一种光电芯片导电层结构制造技术

本实用新型专利技术公开的属于半导体电子信息技术领域，具体为一种光电芯片导电层结构，包括芯片本体，所述芯片本体的下侧设置有封装反射层，所述芯片本体的上侧设置有石墨烯层；所述芯片本体包括外延层、n型电极区、限制层和p型电极区，所述n型电极区位于外延层与限制层之间，所述限制层位于n型电极区与p型电极区之间，本装置基于垂直UVC光电子芯片的基础，应用在垂直UVC光电子芯片上可以极大的提升电流扩展及UVC光的分布和透射，通过垂直芯片结构使得芯片电流可以上下导通，减小电流的堵塞和增大扩展面积，通过加入石墨烯层，可以提升电极的导电和电流扩展均匀性。的导电和电流扩展均匀性。的导电和电流扩展均匀性。

【技术实现步骤摘要】
一种光电芯片导电层结构


[0001]本技术涉及半导体电子信息
，具体为一种光电芯片导电层结构。

技术介绍

[0002]随着科技进步和发展，深紫外UVC光电子芯片应用越来越广泛，其包括UVC
‑
LED芯片、UVC
‑
VCSEL芯片以及UVC
‑
LD芯片等芯片在医疗卫生、生物分析和通信等领域发挥着着越来越重要的作用。而深紫外UVC光电子芯片的性能主要取决于芯片内部产生的光子在经过芯片本身的吸收、折射、反射后，实际在器件外部可测量到的数据。
[0003]由于深紫外UVC光具有折射率大、容易被材料吸收、透射率低等特点，一般UVC光电子芯片都会表现出较低的出光效率，出光率低会导致功率输出变小，这会降低芯片的性能，UVC光电子芯片的出光效率低会导致其在工业和商业上的应用范围有限，而石墨烯材料对紫外光的吸收少，而且导电性能极佳，将其应用在UVC光电芯片上，可以大大的提高UVC光电芯片的出光率。

技术实现思路

[0004]本技术的目的在于提供一种光电芯片导电层结构，以解决上述背景技本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种光电芯片导电层结构，包括芯片本体(1)，其特征在于：所述芯片本体(1)的下侧设置有封装反射层(2)，所述芯片本体(1)的上侧设置有石墨烯层(3)；所述芯片本体(1)包括外延层(11)、n型电极区(12)、限制层(13)和p型电极区(14)，所述n型电极区(12)位于外延层(11)与限制层(13)之间，所述限制层(13)位于n型电极区(12)与p型电极区(14)之间。2.根据权利要求1所述的一种光电芯片导电层结构，其特征在于：所述芯片本体(1)包括外延层(11)、n型电极区(12)、限制层(13)和p型电极区(14)从下往上依次排列，所述芯片本体(1)为UVC
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VCSEL芯片，所述石墨烯层(3)位于p型电极区(14)的上侧，所述封装反射层(2)位于外延层(11)的下侧。3.根据权利要求2所述的一种光电芯片导电层结构，其特征在于：所述封装反射层(2)从下往上依次包括镀Ag层Ⅰ和DBR层Ⅰ，所述外延层(11)从下往上依次包括Al2O3层、低温AlN层及高温AlN层，所述n型电极区(12)从下往上依次包括低浓度n型Al1‑
x
Ga
x
N层、n++型Al1‑
x
Ga
x
N层和高浓度n型Al1‑
x
Ga
x
N层，所述限制层(13)从下...

【专利技术属性】
技术研发人员：王晓波，
申请(专利权)人：西安瑞芯光通信息科技有限公司，
类型：新型
国别省市：