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本实用新型公开的属于半导体电子信息技术领域，具体为一种光电芯片导电层结构，包括芯片本体，所述芯片本体的下侧设置有封装反射层，所述芯片本体的上侧设置有石墨烯层；所述芯片本体包括外延层、n型电极区、限制层和p型电极区，所述n型电极区位于外延层与...
该专利属于西安瑞芯光通信息科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过西安瑞芯光通信息科技有限公司授权不得商用。

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