一种微型发光二极管的制备方法技术

本发明专利技术提供一种微型发光二极管的制备方法，包括：图案蓝宝石衬底上制备n

【技术实现步骤摘要】
SiO2层和包含SiO2和Ti3O5叠层的布拉格反射器DBR；
[0012]S7.对DBR、SiO2和Al2O3层进行图案化和干法蚀刻，直到露出下面的FML；
[0013]S8.沉积Ti/Al/Ti/Au第二金属层SML作为p和n金属焊盘，微型LED芯片的长度和宽度分别约为600μm和200μm。
[0014]本专利技术在miniLED内部利用原子层沉积致密、超薄的防潮薄膜，并同时提升光输出量。
附图说明
[0015]图1是实施例获得的具有超薄Al2O3内部防潮层的mini
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LED器件结构示意图。
具体实施方式
[0016]结合实施例说明本专利技术的具体技术方案：
[0017]一种微型发光二极管，结构如图1所示，其制备方法具体为，n
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GaN/多量子阱(MQW)/p
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GaN层是在图案蓝宝石衬底上制备的。
[0018]接下来，使用光刻法进行台面图案化，然后使用电感耦合等离子体反应离子蚀刻进行台面蚀刻以暴露n
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GaN。采用等离子体增强气相沉积(PECVD)系统沉积厚度为230nm的SiO2层作为阻挡层。这是图案和干蚀刻。
[0019]在SiO2阻挡层上溅射厚度为110nm的氧化铟锡(ITO)层。
[0020]然后，在p和n
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GaN区域分别蒸镀包含Al/Pt/Ti多层膜的第一金属层。沉积厚度仅为40nm的ALD Al2O3薄层作为内部防潮层，覆盖有650nm厚的PECVD SiO2层和包含SiO2和Ti3O5叠层的布拉格反射器(DBR)。
[0021]随后，对DBR、SiO2和Al2O3层进行图案化和干法蚀刻，直到露出下面的FML。最后，沉积Ti/Al/Ti/Au第二金属层作为p和n金属焊盘，微型LED芯片的长度和宽度分别约为600μm和200μm。
[0022]表1、原子层沉积Al2O3的工艺参数
[0023][0024][0025]本专利技术技术方案带来的有益效果：
[0026]1.提升Mini
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LED在高温高湿(85oC/85％相对湿度)老化实验可靠性，Mini
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LED在恒定电流下老化时间1000h基本无衰减，数据如表2；
[0027]表2、高温高湿测试1000小时，miniLED器件光功率的衰减
[0028][0029]2.提升光功率约1.9％，因为器件结构内部加入这层，其折射率高于SiO2，所以器件在Al2O3和SiO2界面反射量增多，即光线提前反射(原本需在DBR才反射)。若有光线朝向器件侧壁行进，有可能在未到达DBR时即从器件侧壁离开，提前反射能够将该部分光线反射回来，进而减少侧壁出光这部分的损失，也就增加了器件出光量。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种微型发光二极管的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S1.图案蓝宝石衬底上制备n
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GaN/多量子阱MQW/p
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GaN层；S2.使用光刻法进行台面图案化，然后使用电感耦合等离子体反应离子蚀刻进行台面蚀刻以暴露n
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GaN；S3.采用等离子体增强气相沉积PECVD系统沉积SiO2层作为阻挡层；S4.在SiO2阻挡层上溅射氧化铟锡ITO层；S5.在p和n
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GaN区域分别蒸镀包含Al/Pt/Ti多层膜的第一金属层FML；S6.沉积ALDAl2O3薄层作为内部防潮层，覆盖PECVDSiO2层和包含SiO2和Ti3O5叠层的布拉格反射器DBR；S7.对...

【专利技术属性】
技术研发人员：许嘉巡，连水养，罗海龙，岳新翔，
申请(专利权)人：厦门理工学院，
类型：发明
国别省市：