【技术实现步骤摘要】
一种功率芯片凸点的结构及其制作方法
[0001]本专利技术申请属于半导体封装
,尤其涉及一种功率芯片凸点的结构及其制作方法。
技术介绍
[0002]面板级封装(PLP)是一种从晶圆和条带级向更大尺寸面板级转换的封装方案,由于其潜在的成本效益和更高的制造效率,吸引了市场的广泛关注,使用PLP封装技术可实现一种多芯片平面扇出封装结构,其工艺流程为:在贴片流程中贴上两颗或两颗以上的芯片,通过成型工艺做成一块完整的面板,然后在芯片的电路面贴上保护膜后,通过激光开孔以及电镀的方式镀上铜,将功能区引出,并对多颗芯片之间进行电性连接,使其可以相互通信,最后做出铜通孔并进行电镀,最终完成整个的封装结构。
[0003]功率芯片是面板级封装中一大类产品,芯片的背面为漏极(Darin极),芯片的源极(Source极)和栅极(Gate极)都在芯片正面,为了适合面板级封装工艺,功率芯片的源极区和栅极区需要制作突出的凸点,通过塑封料包封研磨后露出凸点的铜层,再经过化铜工艺在面板上制作一层导通层,经过贴感光膜、曝光、显影和电镀铜工艺制作相应 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种功率芯片凸点的制作方法,其特征在于,包括以下步骤:焊层制作步骤:在晶圆的电极区金属层上制作焊层,以保护功能区;填料步骤:在焊层上涂覆保护膜,蚀刻保护膜,暴露出焊层顶面;焊接步骤:在暴露的焊层顶面填上焊料,并将对应尺寸的焊球放置在焊料上进行焊接固定;去膜步骤:去除涂覆的保护膜并清洗,完成凸点的制作。2.根据权利要求1所述的功率芯片凸点的制作方法,其特征在于,所述焊层制作步骤中,焊层为镍金或镍钯金通过化学镀的方式制作形成,其厚度为3~5μm。3.根据权利要求2所述的功率芯片凸点的制作方法,其特征在于,所述填料步骤中,保护膜为感光膜,其厚度为20~50μm。4.根据权利要求3所述的功率芯片凸点的制作方法,其特征在于,所述焊接步骤中,通过印刷的方式将焊料填入到暴露的焊层顶面,焊球为铜球,其尺寸为5...
【专利技术属性】
技术研发人员:刘勇,
申请(专利权)人:合肥矽迈微电子科技有限公司,
类型:发明
国别省市:
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