气体处理系统和使用该气体处理系统的气体处理方法技术方案

提供了一种气体处理系统和气体处理方法。一种气体处理系统包括：第一洗涤塔、处理穿过第一洗涤塔的气体的蓄热式催化氧化炉(RCO)、处理穿过蓄热式催化氧化炉的气体的第二洗涤塔、以及处理穿过第二洗涤塔的气体的电介质阻挡放电(DBD)等离子反应器。蓄热式催化氧化炉包括双床蓄热式催化反应器。包括双床蓄热式催化反应器。包括双床蓄热式催化反应器。

【技术实现步骤摘要】
气体处理系统和使用该气体处理系统的气体处理方法
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2022年2月25日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10
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2022
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0025547和于2022年5月6日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10
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2022
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0056238的优先权，所述两项申请的内容以引用方式全文并入本文中。


[0003]本专利技术构思的实施例针对一种气体处理系统和一种使用该气体处理系统的气体处理方法，更具体地，涉及一种可以降低成本并且提高效率的气体处理系统和一种使用该气体处理系统的气体处理方法。

技术介绍

[0004]半导体装置由一系列工艺制造。例如，半导体装置由光刻工艺、蚀刻工艺、以及晶圆上的沉积工艺制造。这些工艺使用各种化学物质。化学物质在气态下排放。化学物质应该在从半导体工艺装备排放到大气之前进行适当的处理。洗涤塔和催化反应器可以被用于处理化学物质。

技术实现思路

[0005]本专利技术构思的一些实施例提供了一种可以降低成本的气体处理系统，以及使用该气体处理系统的气体处理方法。
[0006]本专利技术构思的一些实施例提供了一种可以增加装备寿命的气体处理系统，以及使用该气体处理系统的气体处理方法。
[0007]本专利技术构思的一些实施例提供了一种可以增加维修周期的气体处理系统，以及使用该气体处理系统的气体处理方法。
[0008]根据本专利技术构思的一些实施例，一种气体处理系统包括：第一洗涤塔；蓄热式催化氧化炉(RCO)，其处理从第一洗涤塔接收的气体；第二洗涤塔，其处理从蓄热式催化氧化炉接收的气体；以及电介质阻挡放电(DBD)等离子反应器，其处理从第二洗涤塔接收的气体。所述蓄热式催化氧化炉包括双床蓄热式催化反应器。
[0009]根据本专利技术构思的一些实施例，一种气体处理系统包括：第一洗涤塔；蓄热式催化氧化炉(RCO)，其连接至第一洗涤塔；以及第二洗涤塔，其连接至蓄热式催化氧化炉。所述蓄热式催化氧化炉包括旋转蓄热式催化反应器。
[0010]根据本专利技术构思的一些实施例，一种气体处理系统包括：第一洗涤塔，其处理从半导体工艺室排放的气体；蓄热式催化氧化炉，其连接至第一洗涤塔，其中，蓄热式催化氧化炉将从第一洗涤塔接收的气体中的氟化化合物(FC)分解；第二洗涤塔，其连接至蓄热式催化氧化炉，其中，第二洗涤塔处理从蓄热式催化氧化炉接收的气体；以及电介质阻挡放电(DBD)等离子反应器，其连接至第二洗涤塔。
[0011]根据本专利技术构思的一些实施例，一种气体处理方法包括：使用第一洗涤塔处理从
半导体工艺室排放的气体；使用蓄热式催化氧化炉(RCO)处理穿过第一洗涤塔的气体；使用第二洗涤塔处理穿过蓄热式催化氧化炉的气体；以及使用电介质阻挡放电(DBD)等离子反应器处理穿过第二洗涤塔的气体。
[0012]其它实施例的细节包括在描述和附图中。
附图说明
[0013]图1示出了根据本专利技术构思的一些实施例的气体处理系统。
[0014]图2是根据本专利技术构思的一些实施例的旋风分离器的透视图。
[0015]图3是根据本专利技术构思的一些实施例的第一洗涤塔的截面图。
[0016]图4是根据本专利技术构思的一些实施例的蓄热式催化氧化炉的截面图。
[0017]图5是沿着图4的线I
‑
I
’
截取的截面图。
[0018]图6是根据本专利技术构思的一些实施例的第二洗涤塔的截面图。
[0019]图7是根据本专利技术构思的一些实施例的DBD等离子反应器的透视图。
[0020]图8是部分地显示根据本专利技术构思的一些实施例的DBD等离子反应器的透视图。
[0021]图9是根据本专利技术构思的一些实施例的气体处理方法的流程图。
[0022]图10至图14示出了符合图9的流程图的气体处理方法。
[0023]图15示出了根据本专利技术构思的一些实施例的气体处理系统。
[0024]图16是根据本专利技术构思的一些实施例的蓄热式催化氧化炉的截面图。
[0025]图17是根据本专利技术构思的一些实施例的气体处理方法的流程图。
[0026]图18示出了符合图17的流程图的气体处理方法。
具体实施方式
[0027]下面现将参照附图对本专利技术构思的一些实施例进行描述。贯穿描述，相同的参考编号可以表示相同的组件。
[0028]图1示出了根据本专利技术构思的一些实施例的气体处理系统。
[0029]参照图1，在一些实施例中，提供了气体处理系统GT。气体处理系统GT消除气体中的有害物质。例如，气体处理系统GT消除从半导体工艺室PC排放的气体中的有害物质。气体处理系统GT连接至半导体工艺室PC。半导体工艺室PC对衬底或晶圆执行工艺。例如，衬底在半导体工艺室PC中经历蚀刻工艺、沉积工艺、曝光工艺、涂布工艺、或者清洁工艺中的一种或多种。
[0030]各种化学物质被用在半导体工艺室PC中。因此，不同的化学物质包括在从半导体工艺室PC排放的气体中。例如，氟化化合物(FC)包括在从半导体工艺室PC排放的气体中。例如，从半导体工艺室PC排放的气体中包括全氟化合物(PFC)(诸如SF6、CF4或C2F6中的一种或多种)。然而，本专利技术构思的实施例不一定限于此，从半导体工艺室PC排放的气体中可以包括不同种类的氟化化合物(FC)。
[0031]气体处理系统GT将从半导体工艺室PC排放的气体中的氟化化合物(FC)分解。然而，本专利技术构思的实施例不一定限于此，并且在一些实施例中，气体处理系统GT被用于处理气体中的不同物质。气体处理系统GT包括：旋风分离器1、第一洗涤塔3、蓄热式催化氧化炉(regenerative catalytic oxidizer，RCO)5、第二洗涤塔7和电介质阻挡放电(DBD)等离子
反应器9。旋风分离器1、第一洗涤塔3、蓄热式催化氧化炉5、第二洗涤塔7和DBD等离子反应器9通过气体管GP相互连接。从半导体工艺室PC排放的气体在依次穿过旋风分离器1、第一洗涤塔3、蓄热式催化氧化炉5、第二洗涤塔7和DBD等离子反应器9的同时被处理。下面将进一步提供其详细描述。
[0032]中鼓风机2位于气体管GP上。中鼓风机2加速气体在气体管GP中的流动。中鼓风机2位于蓄热式催化氧化炉5和第二洗涤塔7之间。例如，中鼓风机2迫使从蓄热式催化氧化炉5接收的气体加速流向第二洗涤塔7。下面将进一步提供其详细描述。
[0033]图2是根据本专利技术构思的一些实施例的旋风分离器的透视图。
[0034]参照图2，在一些实施例中，旋风分离器1连接至图1的半导体工艺室PC。从半导体工艺室PC排放的气体被引入至旋风分离器1。旋风分离器1分离气体中的粒子PT。例如，粒子PT从通过旋风分离器1的气体中分离。旋风分离器1包括：旋风体11、第一气体导入端口13、第一气体导出端口15、粒子收集器17和风扇19。本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种气体处理系统，包括：第一洗涤塔；蓄热式催化氧化炉，其处理从所述第一洗涤塔接收的气体；第二洗涤塔，其处理从所述蓄热式催化氧化炉接收的所述气体；以及电介质阻挡放电等离子反应器，其处理从所述第二洗涤塔接收的所述气体；其中，所述蓄热式催化氧化炉包括双床蓄热式催化反应器。2.根据权利要求1所述的气体处理系统，其中，所述蓄热式催化氧化炉包括：第一蓄热介质；第一催化层，其位于所述第一蓄热介质上；第二蓄热介质，其与所述第一蓄热介质间隔开；第二催化层，其位于所述第二蓄热介质上；燃烧室，其提供位于所述第一催化层和所述第二催化层之上和之间的燃烧空间；以及燃烧设备。3.根据权利要求2所述的气体处理系统，其中，所述燃烧室包括：内壁，其包围所述燃烧空间；钢层，其耦接至所述内壁的外侧；以及外绝热层，其包围所述钢层，其中，所述外绝热层与所述钢层向外间隔开，从而在所述钢层和所述外绝热层之间形成绝热空间。4.根据权利要求3所述的气体处理系统，其中，所述燃烧室包括：第一温度传感器，其耦接至所述钢层；以及第二温度传感器，其位于所述绝热空间中。5.根据权利要求1所述的气体处理系统，其中，所述第二洗涤塔包括：清洁部分，其喷洒清洁水以处理气体；冷却部分，其位于所述清洁部分和所述蓄热式催化氧化炉之间，其中，所述清洁部分包括：清洁壳体，其提供清洁空间；封装构件，其位于所述清洁空间中；以及清洁喷嘴，其将所述清洁水喷入所述清洁空间，其中，所述冷却部分包括：冷却壳体，其提供冷却空间；以及冷却喷嘴，其将冷却水喷入所述冷却空间，其中，所述冷却壳体的下部分和所述清洁壳体的下部分耦接并将所述冷却空间和所述清洁空间彼此连接。6.根据权利要求1所述的气体处理系统，还包括连接至所述第一洗涤塔的旋风分离器，其中，所述旋风分离器接收从半导体工艺室排放的所述气体，并在所述气体流向所述第一洗涤塔之前将所述气体中的粒子分解。7.根据权利要求1所述的气体处理系统，其中，所述电介质阻挡放电等离子反应器包括等离子发生器，
其中，所述等离子发生器包括：内部电极，其在第一方向上延伸；以及外部电极，其在所述第一方向上延伸，并且包围所述内部电极，其中，所述外部电极的内表面与所述内部电极的外表面间隔开，使得气体处理路径形成在所述外部电极和所述内部电极之间，其中，所述气体处理路径连接至所述第二洗涤塔的内部空间。8.一种气体处理系统，包括：第一洗涤塔；蓄热式催化氧化炉，其连接至所述第一洗涤塔；以及第二洗涤塔，其连接至所述蓄热式催化氧化炉，其中，所述蓄热式催化氧化炉包括旋转蓄热式催化反应器。9.根据权利要求8所述的气体处理系统，还包括连接至所述第二洗涤塔的电介质阻挡放电等离子反应器。10.根据权利要求9所述的气体处理系统，还包括位于所述第二洗涤塔和所述电介质阻挡放电等离子反应器之间的分离器，其中，所述分离器的一侧连接所述电介质阻挡放电等离子反应器，并且其中，所述分离器的另一侧绕过所述第二洗涤塔连接至所述蓄热式催化氧化炉。11.根据权利要求8所述的气体处理系统，还包括位于所述蓄热式催化氧化炉和所述第二洗涤塔之间的中鼓风机，其中，所述中鼓风机加速所述气体流入所述第二洗涤塔。12.根据权利要求9所述的气体处理系统，其中，所述电介质阻挡放电等离子反应器包括等离子发生器，其中所述等离子发生器包括：内部电极，其在第一方向上延伸；以及外部电极，其在所述第一方向上延伸，并且包围所述内部电极，其中，所述外部电极的内表面与所述内部电极的外表面间隔开，使得气体处理路径形成在所述外部电极和所述内部电极之间，其中，所述气体处理路径连接至所述第二洗涤塔的内部空间。13.一种气体处理系统，包括...

【专利技术属性】
技术研发人员：李原秀，李基文，李承俊，张钟山，韩政佑，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：