成像设备和电子设备制造技术

提供了可以改善电荷传输特性的成像设备和电子设备。成像设备包括半导体基板和设置在半导体基板上的垂直晶体管。在半导体基板中设置朝向第一主表面侧开口的孔。垂直晶体管具有设置在孔的内侧的第一栅电极和设置在孔的外侧并且连接到第一栅电极的第二栅电极。第一栅电极具有第一部分以及由具有与第一部分不同的导电率的材料配置的第二部分。的导电率的材料配置的第二部分。的导电率的材料配置的第二部分。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】成像设备和电子设备


[0001]本公开涉及成像设备和电子设备。

技术介绍

[0002]已知CMOS图像传感器作为包括光电二极管和晶体管的成像设备，该晶体管读出由光电二极管光电转换的电荷。此外，为了在CMOS图像传感器中增加光电二极管的饱和信号量，已知使用垂直晶体管作为用于将电荷从光电二极管传输到浮置扩散的传输晶体管(例如，参见专利文献1)。垂直晶体管包括在半导体基板中形成的孔、以覆盖孔的内壁的状态形成的栅极绝缘膜、以及以填充孔的状态形成的垂直栅电极，栅极绝缘膜插入其间。
[0003]引文列表
[0004]专利文件
[0005]专利文献1：日本专利申请公开No.2013
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技术实现思路

[0006]要由专利技术解决的问题
[0007]垂直栅电极在距半导体基板的表面的深度方向上长。为此，在具有垂直栅电极的传输晶体管中，电荷的传输路径在半导体基板的深度方向上长，并且当传输晶体管的栅极从导通切换到截止时，传输中途的电荷倾向于容易返回到光电二极管侧(即，电荷容易被泵送)。当电荷本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种成像设备，包括半导体基板，以及垂直晶体管，所述垂直晶体管设置在所述半导体基板上，其中：所述半导体基板设置有开口到第一主表面侧的孔；所述垂直晶体管包括第一栅电极，所述第一栅电极设置在所述孔的内侧，以及第二栅电极，所述第二栅电极设置在所述孔的外侧并且连接到所述第一栅电极；并且所述第一栅电极包括第一部分，以及第二部分，所述第二部分包括具有与所述第一部分的导电率不同的导电率的材料。2.根据权利要求1所述的成像设备，其中所述第一部分位于所述第二部分与所述第二栅电极之间。3.根据权利要求1所述的成像设备，其中所述第一部分和所述第二部分在与所述第一主表面平行的方向上彼此面对。4.根据权利要求1所述的成像设备，其中所述第一部分和所述第二部分中的每一个包括第一导电类型的半导体，并且所述第二部分中的第一导电类型的杂质浓度低于所述第一部分中的第一导电类型的杂质浓度。5.根据权利要求4所述的成像设备，其中所述第一栅电极还包括第三部分，所述第三部分位于所述第一部分的相对侧，其中所述第二部分插入其间，并且所述第三部分包括第一导电类型的半导体，并且所述第三部分中的第一导电类型的杂质浓度低于所述第二部分中的第一导电类型的杂质浓度。6.根据权利要求1所述的成像设备，其中所述第一部分包括第一导电类型的半导体，并且...

【专利技术属性】
技术研发人员：村上博亮，
申请(专利权)人：索尼半导体解决方案公司，
类型：发明
国别省市：