Micro-LED内嵌式触控显示面板及其制备方法技术

本发明专利技术涉及一种Micro

【技术实现步骤摘要】
Micro
‑
LED内嵌式触控显示面板及其制备方法


[0001]本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种Micro
‑
LED内嵌式触控显示面板及其制备方法。

技术介绍

[0002]Micro
‑
LED显示技术是一种主要基于无机GaN
‑
LED的新兴技术，是以微米量级的LED为发光像素单元，将其组装到驱动面板上形成高密度LED阵列的显示技术。Micro
‑
LED显示面板具有高对比度、高分辨率、寿命长、能耗低、响应速度快、热稳定性好等优点，Micro
‑
LED显示面板的应用可以从平板显示器扩展到空间显示、可穿戴式设备、生物医学检测等多个领域。
[0003]近些年来，触控屏凭借轻巧、直观、方便等优点，已经成为电子产品的趋势，作为人机交互的工具，是显示技术不可缺失的部分。目前用于触控屏的主流是投射式电容屏，其原理是基于判断手指触碰前后的电容变化带来的电流信号的改变，实现触控的功能。然而，传统的电容触控屏采用外挂式的结构，触控模组与显示模组独立，使得整个显示面板比较厚重，便携性较低。

技术实现思路

[0004]本专利技术意在提供一种Micro
‑
LED内嵌式触控显示面板及其制备方法，以解决现有技术中存在的不足，本专利技术要解决的技术问题通过以下技术方案来实现。
[0005]本专利技术提供的Micro
‑
LED内嵌式触控显示面板，包括：
[0006]衬底基板，依次设置在所述衬底基板上方的缓冲层、有源层、栅极绝缘层、双栅极、源极和漏极；
[0007]钝化层，设置在所述栅极绝缘层上方，并包覆裸露的双栅极、源极以及部分漏极；
[0008]所述钝化层中设置漏极接触通孔或触控电极层接触通孔；
[0009]多个间隔设置的金属电极，设置在所述钝化层的上方，且部分金属电极设置在所述钝化层中的漏极接触通孔中，并与所述漏极连接；
[0010]间隔件，设置在所述钝化层上方；
[0011]Micro
‑
LED芯片，设置在所述金属电极上方；
[0012]触控电极层，通过所述间隔件与所述Micro
‑
LED芯片绝缘设置，且被所述间隔件分隔成阵列，每个阵列是由触控电极单元组成，触控电极单元被所述Micro
‑
LED芯片分隔成金属网格状。
[0013]在上述的方案中，所述有源层间隔设置在所述缓冲层上方，并覆盖部分所述缓冲层；所述栅极绝缘层设置在所述缓冲层上方且包覆所述有源层；所述双栅极分别设置在所述栅极绝缘层上方的两侧位置处，并覆盖部分所述栅极绝缘层；所述源极和所述漏极分别设置在所述双栅极中各个栅极的两侧位置处，并覆盖部分所述双栅极。
[0014]在上述的方案中，所述钝化层为一层。
[0015]在上述的方案中，所述触控电极层为一层，设置在所述钝化层上方的两侧位置处。
[0016]在上述的方案中，所述触控电极层为两层，一层为触控接收电极层，一层为触控信号走线层，所述触控接收电极层设置在所述钝化层上方的两侧位置以及所述钝化层中的触控电极层接触通孔中，所述触控信号走线层设置在所述栅极绝缘层上方，所述触控接收电极层和触控信号走线层连接。
[0017]在上述的方案中，所述钝化层为两层，包括依次堆叠的第一钝化层和第二钝化层，所述第一钝化层和所述第二钝化层中设置相互贯通的漏极接触通孔，所述第二钝化层中设置触控电极层接触通孔。
[0018]在上述的方案中，所述触控电极层为两层，一层为触控接收电极层，一层为触控信号走线层，所述触控接收电极层设置在所述第二钝化层上方的两侧位置以及所述第二钝化层中的触控电极层接触通孔中，所述触控信号走线层设置在所述第一钝化层上方且部分被所述第二钝化层包覆，所述触控接收电极层和触控信号走线层连接。
[0019]本专利技术提供的Micro
‑
LED内嵌式触控显示面板的制备方法，包括：
[0020]形成衬底基板，并在所述衬底基板上方形成包括钝化层的驱动电路，其中，所述钝化层为一层或两层；
[0021]在所述钝化层中刻蚀漏极接触通孔或触控电极层接触通孔；
[0022]在所述钝化层上以及钝化层中的漏极接触通孔或触控电极层接触通孔中淀积金属淀积层，并在所述金属淀积层刻蚀多个间隔设置的金属电极，使得漏极接触通孔中的金属电极与所述漏极连接；
[0023]在所述金属电极上转移Micro
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LED芯片以及在所述钝化层上形成间隔件；
[0024]在所述Micro
‑
LED芯片四周形成通过间隔件与所述Micro
‑
LED芯片绝缘设置的触控电极层，所述触控电极层被所述间隔件分隔成阵列，每个阵列是由触控电极单元组成，触控电极单元被所述Micro
‑
LED芯片分隔成金属网格状。
[0025]在上述的方案中，所述驱动电路包括设置在所述衬底基板上方的缓冲层、间隔设置在所述缓冲层上方且覆盖部分所述缓冲层有源层、
[0026]设置在所述缓冲层上方且包覆所述有源层的栅极绝缘层、
[0027]分别设置在所述栅极绝缘层上方的两侧位置处且覆盖部分所述栅极绝缘层的双栅极、分别设置在所述双栅极中各个栅极的两侧位置处且覆盖部分所述双栅极的源极和漏极、设置在所述栅极绝缘层上方且包覆裸露的双栅极、源极以及部分漏极的钝化层。
[0028]在上述的方案中，在所述钝化层为一层时，形成的所述触控电极层为一层，形成的所述触控电极层设置在所述钝化层上方的两侧位置处。
[0029]在上述的方案中，在所述钝化层为一层时，形成的所述触控电极层为两层，一层为触控接收电极层，一层为触控信号走线层，所述触控接收电极层设置在所述钝化层上方的两侧位置以及所述钝化层中的触控电极层接触通孔中，所述触控信号走线层设置在所述栅极绝缘层上方且部分被所述钝化层覆盖，所述触控接收电极层和触控信号走线层连接。
[0030]在上述的方案中，在所述钝化层为两层时，所述钝化层包括依次堆叠的第一钝化层和第二钝化层，所述第一钝化层和所述第二钝化层中设置相互贯通的漏极接触通孔，所述第二钝化层中设置触控电极层接触通孔，形成的所述触控电极层为两层，一层为触控接收电极层，一层为触控信号走线层，所述触控接收电极层设置在所述第二钝化层上方的两
侧位置以及所述第二钝化层中的触控电极层接触通孔中，所述触控信号走线层设置在所述第一钝化层上方且部分被所述第二钝化层覆盖，所述触控接收电极层和触控信号走线层连接。
[0031]本专利技术实施例包括以下优点：
[0032]本专利技术实施例提供的Micro
‑
LED内嵌式触控显示面板及其制备方法，通过间隔件将触控电极层与Micro
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LED芯片分隔开，使触控电极层围绕在所述Micro
‑
LED芯片四周，从而本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种Micro
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LED内嵌式触控显示面板，其特征在于，所述显示面板包括：衬底基板(101)，依次设置在所述衬底基板(101)上方的缓冲层(102)、有源层(103)、栅极绝缘层(104)、双栅极(105)、源极(106)和漏极(107)；钝化层，设置在所述栅极绝缘层(104)上方，并包覆裸露的双栅极(105)、源极(106)以及部分漏极(107)；所述钝化层中设置漏极接触通孔或触控电极层接触通孔；多个间隔设置的金属电极(109)，设置在所述钝化层的上方，且部分金属电极设置在所述钝化层中的漏极接触通孔中，并与所述漏极(107)连接；间隔件(110)，设置在所述钝化层上方；Micro
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LED芯片(20)，设置在所述金属电极(109)上方；触控电极层(30)，通过所述间隔件(110)与所述Micro
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LED芯片(20)绝缘设置，且被所述间隔件(110)分隔成阵列，每个阵列是由触控电极单元组成，触控电极单元被所述Micro
‑
LED芯片(20)分隔成金属网格状。2.根据权利要求1所述的Micro
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LED内嵌式触控显示面板，其特征在于，所述有源层(103)间隔设置在所述缓冲层(102)上方，并覆盖部分所述缓冲层(102)；所述栅极绝缘层(104)设置在所述缓冲层(102)上方且包覆所述有源层(103)；所述双栅极(105)分别设置在所述栅极绝缘层(104)上方的两侧位置处，并覆盖部分所述栅极绝缘层(104)；所述源极(106)和所述漏极(107)分别设置在所述双栅极(105)中各个栅极的两侧位置处，并覆盖部分所述双栅极(105)。3.根据权利要求1所述的Micro
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LED内嵌式触控显示面板，其特征在于，所述钝化层为一层。4.根据权利要求3所述的Micro
‑
LED内嵌式触控显示面板，其特征在于，所述触控电极层(30)为一层，设置在所述钝化层上方的两侧位置处。5.根据权利要求3所述的Micro
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LED内嵌式触控显示面板，其特征在于，所述触控电极层(30)为两层，一层为触控接收电极层(301)，一层为触控信号走线层(302)，所述触控接收电极层(301)设置在所述钝化层上方的两侧位置以及所述钝化层中的触控电极层接触通孔中，所述触控信号走线层(302)设置在所述栅极绝缘层(104)上方，所述触控接收电极层(301)和触控信号走线层(302)连接。6.根据权利要求1所述的Micro
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LED内嵌式触控显示面板，其特征在于，所述钝化层为两层，包括依次堆叠的第一钝化层和第二钝化层，所述第一钝化层和所述第二钝化层中设置相互贯通的漏极接触通孔，所述第二钝化层中设置触控电极层接触通孔。7.根据权利要求6所述的Micro
‑
LED内嵌式触控显示面板，其特征在于，所述触控电极层(30)为两层，一层为触控接收电极层(301)，一层为触控信号走线层(302)，所述触控接收电极层(301)设置在所述第二钝化层上方的两侧位置以及所述第二钝化层中的触控电极层接触通孔中，所述触控信号走线层(302)设置在所述第一钝化层上方且部分被所述第二钝化层包覆，所述触控接收电极层(301)和触控信号走线层(302)连接。8.一种如权利要求1
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7任一项所述的Micro
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【专利技术属性】
技术研发人员：欧阳成岚，何可，刘迪，康佳昊，
申请(专利权)人：北京大学，
类型：发明
国别省市：