深硅刻蚀设备及其组装方法技术

本发明专利技术提供一种深硅刻蚀设备及其组装方法，设备包括：限位装置，限位装置包括一环形侧壁，环形侧壁顶部设有自环形侧壁顶面超环形侧壁内部凹陷的多个缺口，多个缺口间隔排布；深硅反应腔体，限位装置套设于深硅反应腔体的下部；法拉第屏蔽罩，环绕覆盖于深硅反应腔体的外壁，法拉第屏蔽罩的下边缘与限位装置的上边缘相接，限位装置的缺口显露深硅反应腔体的外壁；固定胶片，粘贴于法拉第屏蔽罩上以及缺口显露的深硅反应腔体的外壁上，以将法拉第屏蔽罩固定于深硅反应腔体上。本发明专利技术可避免深硅反应腔体下边缘损坏情况发生，降低备件消耗，降低生产成本，同时可简化安装，提高设备维护效率，提高生产效率。提高生产效率。提高生产效率。

【技术实现步骤摘要】
深硅刻蚀设备及其组装方法


[0001]本专利技术属于半导体集成电路制造设备领域，特别是涉及一种深硅刻蚀设备及其组装方法。

技术介绍

[0002]深硅刻蚀机在半导体制造领域有着广泛应用，深硅反应腔体中一般都是陶瓷件，部分陶瓷件需先组装后再安装到反应腔体中，有些陶瓷件边缘薄且有真空密封面，组装时易造成密封边缘损坏，损坏严重时影响密封性会导致整个陶瓷件报废，而陶瓷件一般都比较贵，特别是大的陶瓷器件，如深硅刻蚀设备的陶瓷腔。深硅刻蚀设备的陶瓷腔在安装过程中，会遇到以下问题：1)深硅刻蚀设备的陶瓷反应腔体设计下边缘薄且有真空密封要求，安装时容易损坏，损坏严重时会导致制程腔体发生漏率问题或陶瓷件报废；2)安装前陶瓷反应腔体外需要安装法拉第罩，法拉第罩下边到腔体下边缘有尺寸要求(例如12毫米)，安装时高度位置需要用卡尺反复调整确认，且至少需要两人合作完成，同时位置确认好后需及时用高温胶带固定，效率偏低。
[0003]应该注意，上面对技术背景的介绍只是为了方便对本申请的技术方案进行清楚、完整的说明，并方便本领域技术人员的理解而阐述的。不能仅仅因为这些方案在本申请的
技术介绍
部分进行了阐述而认为上述技术方案为本领域技术人员所公知。

技术实现思路

[0004]鉴于以上所述现有技术的缺点，本专利技术的目的在于提供一种深硅刻蚀设备及其组装方法，用于解决现有技术中陶瓷反应腔体安装不便及容易损坏的问题。
[0005]为实现上述目的及其他相关目的，本专利技术提供一种深硅刻蚀设备，所述深硅刻蚀设备包括：限位装置，所述限位装置包括一环形侧壁，所述环形侧壁顶部设有自所述环形侧壁顶面超所述环形侧壁内部凹陷的多个缺口，多个所述缺口间隔排布；深硅反应腔体，所述限位装置套设于所述深硅反应腔体的下部；法拉第屏蔽罩，环绕覆盖于所述深硅反应腔体的外壁，所述法拉第屏蔽罩的下边缘与所述限位装置的上边缘相接，所述限位装置的缺口显露所述深硅反应腔体的外壁；固定胶片，粘贴于所述法拉第屏蔽罩上以及所述缺口显露的所述深硅反应腔体的外壁上，以将所述法拉第屏蔽罩固定于所述深硅反应腔体上。
[0006]可选地，所述限位装置的缺口宽度介于30毫米～60毫米之间，所述缺口的下边缘与所述限位装置的底缘的距离介于4毫米～6毫米之间。
[0007]可选地，所述限位装置的环形侧壁的高度介于10毫米～15毫米之间。
[0008]可选地，所述限位装置的内径与所述深硅反应腔体的外径相等。
[0009]可选地，所述缺口的数量为3个，且3个所述缺口等距排布。
[0010]可选地，所述限位装置的材质为聚四氟乙烯。
[0011]可选地，所述深硅反应腔体的材质为陶瓷。
[0012]可选地，所述深硅反应腔体的下缘的内壁去除了部分厚度以供所述深硅反应腔体
的底座嵌入连接，所述限位装置的内壁与所述深硅反应腔体的下缘外壁贴合以加强所述下缘外壁的机械强度。
[0013]可选地，所述法拉第屏蔽罩贴合于所述深硅反应腔体的外壁。
[0014]本专利技术还提供一种深硅刻蚀设备的组装方法，所述组装方法包括以下步骤：1)提供所述限位装置及所述深硅反应腔体，所述深硅反应腔体的下缘的内壁去除了部分厚度以供所述深硅反应腔体的底座嵌入连接，将所述限位装置套设于所述深硅反应腔体的下部；2)提供所述法拉第屏蔽罩，将所述法拉第屏蔽罩环绕覆盖于所述深硅反应腔体的外壁，所述法拉第屏蔽罩的下边缘与所述限位装置的上边缘相接，所述限位装置的缺口显露所述深硅反应腔体的外壁；3)提供所述固定胶片，将所述固定胶片粘贴于所述法拉第屏蔽罩上以及所述缺口显露的所述深硅反应腔体的外壁上，以将所述法拉第屏蔽罩固定于所述深硅反应腔体上；4)将所述深硅反应腔体放置于底座上，使所述底座嵌入所述深硅反应腔体的下缘。
[0015]可选地，所述法拉第屏蔽罩环绕所述深硅反应腔体的起始缘与末尾缘相接，且对位于多个所述缺口中的其中一个。
[0016]如上所述，本专利技术的深硅刻蚀设备及其组装方法，具有以下有益效果：
[0017]本专利技术通过限位装置可以有效保护陶瓷腔体边缘，防止安装时损坏，进而降低定期保养(PM)成本，本专利技术可有效降低备件消耗，从而降低生产成本。
[0018]本专利技术通过限位装置，使得安装法拉第屏蔽罩时只需要一个人操作且不需要反复确认高度，大大降低安装难度，可以有效提高定期保养(PM)效率，提高设备的可运行时间(up time)，提高生产效率。
附图说明
[0019]所包括的附图用来提供对本申请实施例的进一步的理解，其构成了说明书的一部分，用于说明本申请的实施方式，并与文字描述一起来阐释本申请的原理。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例。
[0020]图1～图4显示为本专利技术实施例的深硅刻蚀设备的组装方法各步骤所呈现的结构示意图，其中，图4显示为本专利技术实施例的深硅刻蚀设备的结构示意图。
[0021]元件标号说明
[0022]101
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限位装置
[0023]102
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缺口
[0024]103
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深硅反应腔体
[0025]104
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法拉第屏蔽罩
[0026]1041
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起始缘
[0027]1042
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末尾缘
[0028]105
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固定胶片
具体实施方式
[0029]以下通过特定的具体实例说明本专利技术的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本专利技术的其他优点与功效。本专利技术还可以通过另外不同的具体实
施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本专利技术的精神下进行各种修饰或改变。
[0030]应该强调，术语“包括/包含”在本文使用时指特征、整件、步骤或组件的存在，但并不排除一个或更多个其它特征、整件、步骤或组件的存在或附加。
[0031]针对一种实施方式描述和/或示出的特征可以以相同或类似的方式在一个或更多个其它实施方式中使用，与其它实施方式中的特征相组合，或替代其它实施方式中的特征。
[0032]如在详述本专利技术实施例时，为便于说明，表示器件结构的剖面图会不依一般比例作局部放大，而且所述示意图只是示例，其在此不应限制本专利技术保护的范围。此外，在实际制作中应包含长度、宽度及深度的三维空间尺寸。
[0033]为了方便描述，此处可能使用诸如“之下”、“下方”、“低于”、“下面”、“上方”、“上”等的空间关系词语来描述附图中所示的一个元件或特征与其他元件或特征的关系。将理解到，这些空间关系词语意图包含使用中或操作本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种深硅刻蚀设备，其特征在于，所述深硅刻蚀设备包括：限位装置，所述限位装置包括一环形侧壁，所述环形侧壁顶部设有自所述环形侧壁顶面超所述环形侧壁内部凹陷的多个缺口，多个所述缺口间隔排布；深硅反应腔体，所述限位装置套设于所述深硅反应腔体的下部；法拉第屏蔽罩，环绕覆盖于所述深硅反应腔体的外壁，所述法拉第屏蔽罩的下边缘与所述限位装置的上边缘相接，所述限位装置的缺口显露所述深硅反应腔体的外壁；固定胶片，粘贴于所述法拉第屏蔽罩上以及所述缺口显露的所述深硅反应腔体的外壁上，以将所述法拉第屏蔽罩固定于所述深硅反应腔体上。2.根据权利要求1所述的深硅刻蚀设备，其特征在于：所述限位装置的缺口宽度介于30毫米～60毫米之间，所述缺口的下边缘与所述限位装置的底缘的距离介于4毫米～6毫米之间。3.根据权利要求1所述的深硅刻蚀设备，其特征在于：所述限位装置的环形侧壁的高度介于10毫米～15毫米之间。4.根据权利要求1所述的深硅刻蚀设备，其特征在于：所述限位装置的内径与所述深硅反应腔体的外径相等。5.根据权利要求1所述的深硅刻蚀设备，其特征在于：所述缺口的数量为3个，且3个所述缺口等距排布。6.根据权利要求1所述的深硅刻蚀设备，其特征在于：所述限位装置的材质为聚四氟乙烯。7.根据权利要求1所述的深硅刻蚀设备，其特征在于：所述深硅反应腔体的材质...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘国峰，
申请(专利权)人：上海新微技术研发中心有限公司，
类型：发明
国别省市：