包含有垂直柱状晶体管的芯片堆叠结构制造技术

本申请实施例提供一种包含有垂直柱状晶体管的芯片堆叠结构，涉及半导体技术领域，用于提供一种采用金属层替换了现有的与VPT电连接的重掺杂工艺制得的结构。该芯片堆叠结构包括通过键合层键合的第一芯片和第二芯片，还包括金属层，该金属层位于第二芯片的朝向第一芯片的一侧，第一芯片的第一衬底具有通过掺杂工艺形成的且为环栅的VPT结构，该VPT结构与金属层电连接。比如，当该芯片堆叠结构为存储器时，这里的金属层可以是存储器中的BL，也就是本申请的存储器采用的是metal BL，而不是重掺杂BL。BL。BL。BL。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

【专利技术属性】
技术研发人员：王敬元璋，范鲁明，焦慧芳，赫然，
申请(专利权)人：华为技术有限公司，
类型：发明
国别省市：