薄膜电容底座注塑镶件构造制造技术

本实用新型专利技术涉及新能源汽车技术领域，公开了一种薄膜电容底座注塑镶件构造，包括对应叠层铜排的不封胶部位的上层铜排设置的PTFE材质上镶件、对应叠层铜排的不封胶部位的下层铜排设置的PTFE材质下镶件及对应叠层铜排的封胶位置两端设置的淬火镶件，PTFE材质上镶件、PTFE材质下镶件导向连接压住铜排；薄膜电容底座在注塑塑胶件时不会出现叠层铜排不封胶部位压伤及封胶位置有披锋问题，有助于提高薄膜电容底座导电性能；上层铜排和下层铜排之间采用双层耐高温绝缘纸隔开，绝缘性能满足要求，不会由于绝缘性能不足而出现铜排导电短路问题。题。题。

【技术实现步骤摘要】
薄膜电容底座注塑镶件构造


[0001]本技术涉及新能源汽车
，具体涉及一种新能源汽车薄膜电容底座注塑镶件构造。

技术介绍

[0002]现有的新能源汽车薄膜电容底座采用的上层铜排、下层铜排叠层结构，上层铜排、下层铜排之间的绝缘性无法满足铜排绝缘要求，绝缘性能不足、易出现上下层铜排之间导电短路问题；在注塑生产时，模具镶件压于叠层铜排的不封胶部位易导致该部位铜排压伤、及注塑时铜排的封胶位置出现披锋，而影响导电性能。

技术实现思路

[0003]针对现有技术的不足，本技术旨在提供一种有助于提高薄膜电容底座导电性能、不会出现叠层铜排不封胶部位压伤及封胶位置有披锋的薄膜电容底座注塑镶件构造。
[0004]为实现上述目的，本技术采用如下技术方案：
[0005]薄膜电容底座注塑镶件构造，包括对应叠层铜排的不封胶部位的上层铜排设置的PTFE材质上镶件、对应叠层铜排的不封胶部位的下层铜排设置的PTFE材质下镶件及对应叠层铜排的封胶位置两端设置的淬火镶件，PTFE材质上镶件、PTFE材质下镶件导向连接压住铜排。
[0006]进一步的，上层铜排和下层铜排的封胶位置的侧板面设置定位孔，模具定位针对应连接于定位孔。
[0007]进一步的，PTFE材质上镶件和上层铜排的顶面、PTFE材质下镶件和下层铜排的底面有0.05mm间隙。
[0008]进一步的，上层铜排和下层铜排之间采用双层耐高温绝缘纸隔开。
[0009]本技术具有如下有益效果：
[0010]本技术薄膜电容底座注塑镶件构造，有助于提高薄膜电容底座导电性能、不会出现叠层铜排不封胶部位压伤及封胶位置有披锋；上层铜排和下层铜排之间绝缘性能满足要求，不会由于绝缘性能不足而出现铜排导电短路问题。
附图说明
[0011]图1为本技术薄膜电容底座注塑镶件构造的结构图；
[0012]图2为本技术薄膜电容底座注塑镶件构造的结构图。
实施方式
[0013]下面结合附图及具体实施例，对本技术作进一步的描述，以便于更清楚地理解本技术要求保护的技术思想。
[0014]如图1
‑
2所示薄膜电容底座注塑镶件构造，上层铜排1和下层铜排2之间采用双层
耐高温绝缘纸3隔开，耐高温绝缘纸可采用PMP聚酯薄膜电容器纸柔软复合箔，以满足铜排之间绝缘性能达到：T+与T
‑
之间，DC3000V，1min；漏电流≤0.005mA的要求。上层铜排1和下层铜排2之间设置双层耐高温绝缘纸3叠层后在一侧形成封胶位置4、另一侧形成不封胶部位5，注塑模具对应封胶位置4的两端设置淬火镶件6，塑胶件7注塑于该封胶位置4。
[0015]注塑模具对应上层铜排1和下层铜排2的封胶位置4的侧板面设置定位孔9＇，模具定位针9〞对应连接于该定位孔9＇，注塑模具对应不封胶部位5的上层铜排1设置PTFE材质上镶件8＇、对应不封胶部位5的下层铜排2设置PTFE材质下镶件8〞，注塑合模时PTFE材质上镶件8＇、PTFE材质下镶件8〞导向连接压住铜排，PTFE材质上镶件8＇和上层铜排1的顶面、PTFE材质下镶件8〞和下层铜排2的底面优选设置有0.05mm间隙，PTFE材质镶件和铜排板面之间不会直接硬压接触；这种镶件构造设置注塑成型后薄膜电容底座的封胶位置4不会出现批锋，通过PTFE材质镶件压住铜排不封胶部位5，也不会压伤铜排而影响导电性能，有助于提高薄膜电容底座导电性能。
[0016]对于本领域的技术人员来说，可根据以上描述的技术方案以及构思，做出其它各种相应的改变以及变形，而所有的这些改变以及变形都应该属于本技术权利要求的保护范围之内。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.薄膜电容底座注塑镶件构造，其特征在于，包括对应叠层铜排的不封胶部位的上层铜排设置的PTFE材质上镶件、对应叠层铜排的不封胶部位的下层铜排设置的PTFE材质下镶件及对应叠层铜排的封胶位置两端设置的淬火镶件，PTFE材质上镶件、PTFE材质下镶件导向连接压住铜排。2.如权利要求1所述的薄膜电容底座注塑镶件构造，其特征在于，上层铜排和下层铜排的封胶位置的...

【专利技术属性】
技术研发人员：董青桥，梁现，何礼青，
申请(专利权)人：东莞中兴瑞电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：