飞行时间传感器制造技术

一种飞行时间传感器包括第一光线生成电路和第二光线接收电路。树脂层封装第一光线生成电路和第二光线接收电路。第一光线生成电路的被配置为发射光线的第一区域在树脂层的表面处暴露。第二光线接收电路的被配置为接收光线的第二区域也在树脂层的该表面处暴露。树脂层的该表面被配置为指向场景。层的该表面被配置为指向场景。层的该表面被配置为指向场景。

【技术实现步骤摘要】
飞行时间传感器
[0001]优先权要求
[0002]本申请要求于2022年2月22日提交的法国专利申请号2201571的优先权权益，由此其内容在法律允许的最大范围内通过引用全部并入。


[0003]本公开一般涉及电子设备，并且具体地，涉及飞行时间传感器及其制造方法。

技术介绍

[0004]基于飞行时间原理操作的传感器(还被称为飞行时间传感器(TOF))使得能够实时地准确测量距离。为了实现这一点，TOF传感器通过闪光来照射场景和被测对象，并且计算该闪光在对象与传感器之间行进所需的时间。该闪光的飞行时间与传感器与被测对象之间的距离成正比。
[0005]本领域需要解决已知飞行时间传感器的缺点。

技术实现思路

[0006]一个实施例提供了一种飞行时间传感器，该飞行时间传感器包括第一光线生成电路和第二光线接收电路，该第一电路和第二电路位于第一树脂层中。
[0007]另一实施例提供了一种制造飞行时间传感器的方法，该方法包括：在第一树脂层中形成第一光线生成电路和第二光线接收电路。
[0008]根据一个实施例，第一电路的被配置为发射光线的第一区域和第二电路的被配置为接收光线的第二区域与第一层的相同第一表面齐平。
[0009]根据一个实施例，第一表面被配置为指向场景。
[0010]根据一个实施例，用第一绝缘层堆叠覆盖第一表面，该第一绝缘层堆叠具有位于其中的第一导电轨道，第一堆叠包括第一开口和第二开口，第一开口至少部分地暴露第一区域，并且第二开口至少部分地暴露第二区域，第一轨道中的至少一些第一轨道与第一电路或第二电路接触。
[0011]根据一个实施例，传感器包括倚靠在第一堆叠上的部件，该部件包括第三开口和第四开口，在该第三开口和第四开口的内部是光学仪器，光学仪器至少部分地位于第一区域和第二区域的前面。
[0012]根据一个实施例，该部件由树脂制成，并且每个第三开口和第四开口包括其上结合有光学仪器的边缘。
[0013]根据一个实施例，第一开口还暴露第二电路的第三区域，该第三区域被配置为接收光线，第三区域与第一层的第一表面齐平，第三区域位于部件的一部分的前面。
[0014]根据一个实施例，用第二绝缘层堆叠覆盖第一层的第二表面，第二绝缘层堆叠具有位于其中的第二导电轨道。
[0015]根据一个实施例，第一层包括：耦合第一导电轨道和第二导电轨道的导电过孔，
和/或耦合第一电路或第二电路和第二导体轨道的导电过孔。
[0016]根据一个实施例，该方法包括：将第一电路和第二电路以及过孔结合到支撑件。
[0017]根据一个实施例，该方法包括：在第一电路和第二电路以及过孔周围以及在支撑件上形成第一树脂层。
[0018]根据一个实施例，第一层通过面板嵌入式包装(PEP)类型的方法形成。
附图说明
[0019]在参考附图通过说明而非限制的方式给出的具体实施例的公开内容的其余部分中，将对前述特征和优点以及其他特征和优点进行详细描述，其中：
[0020]图1示出了飞行时间传感器的一个实施例；
[0021]图2示出了图1的实施例的一个制造步骤的横截面视图；
[0022]图3示出了图1的实施例的另一制造步骤的横截面视图；
[0023]图4示出了图1的实施例的另一制造步骤的横截面视图；以及
[0024]图5示出了图1的实施例的另一制造步骤的透视图。
具体实施方式
[0025]在各种附图中，相似的特征已经由相似的附图标记表示。具体地，各种实施例之中共同的结构和/或功能特征可以具有相同的附图标记，并且可以设置相同的结构、尺寸和材料特性。
[0026]为了清楚起见，仅详细说明并描述了对理解本文中所描述的实施例有用的步骤和元件。
[0027]除非另有指示，否则当提及连接在一起的两个元件时，这意味着除了导体之外无需任何中间元件的直接连接，并且当提及耦合在一起的两个元件时，这意味着这两个元件可以连接，或者它们可以经由一个或多个其他元件耦合。
[0028]在以下公开内容中，除非另有指定，否则当提及绝对位置修饰语(诸如术语“前”、“后”、“顶”、“底”、“左”、“右”等)或提及相对位置修饰语(诸如术语“上方”、“下方”、“上”和“下”等)或提及定向修饰语(诸如“水平”、“垂直”等)时，参考图中所示的定向。
[0029]除非另有指定，否则表述“约”、“近似”、“基本上”和“在
……
的量级”意味着在10％内，优选地，在5％内。
[0030]图1示出了飞行时间传感器10的一个实施例。在图1的情况下，期望确定其距离的传感器的主表面是下表面，传感器的主表面是发射和接收光线的表面，是位于场景侧(即，面向场景)的表面。
[0031]传感器10包括光生成电路12，例如，激光生成电路12。电路12包括一个或多个二极管，例如，一个或更多个发光二极管或一个或多个激光二极管。电路12包括光线生成区域13。换言之，由电路12生成的光线在区域13的层级处发射。
[0032]传感器10包括电路14，电路14用于接收由电路12生成的所述光。电路14包括光线接收区域16。区域16被配置为接收由电路12生成并且由场景反射的光线。电路14包括另一光线接收区域18。区域18被配置为接收由电路12生成并且由传感器10的部分反射的光线。
[0033]电路12和14位于树脂层20中(即，嵌入树脂层20内)。树脂优选地是适于面板嵌入
式包装(PEP)技术的树脂。例如，树脂是所谓的“热固性”环氧树脂。例如，树脂对电路12所发射的光线的波长是不透明的。
[0034]层20包括(优选地，平面的)下表面20a和(优选地，平面的)上表面20b。下表面20a对应于最靠近(面朝)场景的表面，也就是说，对应于最靠近传感器的发射和接收光线的侧的表面。上表面20b对应于距离场景最远(背离场景)的表面，也就是说，对应于距离传感器的发射和接收光线的侧最远的表面。
[0035]电路12和14位于层20的下表面侧。每个电路12、14的一部分与表面20a共面。换言之，电路12和14与层20的下表面20a齐平。更精确地，区域13与表面20a齐平，因此未用层20覆盖。类似地，电路14的区域16和18与表面20a齐平，因此未用层20覆盖。优选地，区域13、16和18是共面的。
[0036]电路12、14的侧向壁至少部分地、优选地完全地用层20的树脂覆盖并且与层20的树脂接触。电路12、14的上壁至少部分地用层20的树脂覆盖并且与层20的树脂接触。因此，芯片12、14被保持在层20中。电路12和14例如通过层20的一部分彼此分开。
[0037]例如，传感器可以包括层20中的一个或多个其他电路(未示出)。
[0038]传感器10还包括导电过孔22。在图1的示例中，过孔22各自包括例如由金属制成的导电芯22a和由电绝缘材料制成的护套22b。每个过孔的护套22b侧向包围本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种飞行时间传感器，包括：光线生成电路，包括第一区域，所述第一区域被配置为发射光线；光线接收电路，包括第二区域，所述第二区域被配置为接收光线；以及第一树脂层，封装所述光线生成电路和所述光线接收电路，所述第一树脂层具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面；其中所述第一区域和所述第二区域在所述第一树脂层的所述第一表面处暴露；以及其中所述第一树脂层的所述第一表面被配置为指向场景。2.根据权利要求1所述的传感器，还包括：第一绝缘层堆叠，覆盖所述第一树脂层的所述第一表面；以及第一导电轨道，位于所述第一绝缘层堆叠中；其中所述第一绝缘层堆叠包括第一开口和第二开口；其中所述第一开口至少部分地暴露所述光线生成电路的所述第一区域；其中所述第二开口至少部分地暴露所述光线接收电路的所述第二区域；以及其中所述第一导电轨道与所述光线生成电路和所述光线接收电路中的一个或多个电路接触。3.根据权利要求2所述的传感器，还包括：部件，倚靠在所述第一绝缘层堆叠上；所述部件包括第三开口和第四开口；第一光学仪器，结合在所述第三开口中，并且被定位成至少部分地位于所述光线生成电路的前面；第二光学仪器，结合在所述第四开口中，并且被定位成至少部分地位于所述光线接收电路的前面。4.根据权利要求3所述的传感器，其中所述部件由树脂制成，并且其中所述第三开口和所述第四开口中的每个开口包括边缘，所述第一光学仪器和所述第二光学仪器分别结合到所述边缘。5.根据权利要求4所述的传感器，其中所述光线接收电路包括第三区域，所述第三区域被配置为接收光线，并且其中所述第一开口还暴露所述第三区域，所述第三区域与所述第一树脂层的所述第一表面齐平，并且其中所述部件的一部分在所述第三区域之上延伸。6.根据权利要求1所述的传感器，还包括：第二绝缘层堆叠，覆盖所述第一树脂层的所述第二表面；以及第二导电轨道，位于所述第二绝缘层堆叠中。7.根据权利要求6所述的传感器，还包括：导电过孔，位于所述第一树脂层内；其中所述导电过孔电耦合在所述第一导电轨道与所述第二导电轨道之间。8.根据权利要求6所述的传感器，还包括：导电过孔，位于所述第一树脂层内；其中所述导电过孔将所述光线生成电路和所述光线接收电路中的一个或多个电路电耦合到所述第二导电轨道。9.一种制造飞行时间传感器的方法，包括：
将光线生成电路和光线接收电路结合到支撑件的表面；其中所述光线生成电路的被配置为发射光线的第一区域面向所述表面；其中所述光线接收电路的被配置为接收光线的第二...

【专利技术属性】
技术研发人员：R，
申请(专利权)人：意法半导体格勒诺布尔二公司，
类型：发明
国别省市：