一种接线结构及真空镀膜用磁控溅射装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术涉及磁控溅射装置领域，具体公开了一种接线结构及真空镀膜用磁控溅射装置，包括：本体，装置本体的一侧外壁设有接线槽，接线槽的两侧内壁设有卡槽，卡槽的一侧外壁设有限位槽一；实际使用时，手持接线头按压按块，使调节板挤压弹簧在空腔中进行滑动，同时卡块通过限位槽一向空腔内部滑动，直至卡块的一端侧壁低于滑块，此时通过滑块将接线头插接进行接线槽中，后松开按块，弹簧回弹使卡块滑动插入限位槽一进行卡接，同时限位条的一端侧壁和限位槽二的一侧内壁紧密接触，通过设置的接线结构，提高了导线接口处的牢固性。提高了导线接口处的牢固性。提高了导线接口处的牢固性。

【技术实现步骤摘要】
一种接线结构及真空镀膜用磁控溅射装置


[0001]本技术涉及磁控溅射装置领域，具体为一种接线结构及真空镀膜用磁控溅射装置。

技术介绍

[0002]磁控溅射是物理气相沉积(Physical Vapor Deposition,PVD)的一种。一般的溅射法可被用于制备金属、半导体，绝缘体等多材料,磁控溅射广泛地应用于集成电路、液晶显示器以及薄膜太阳能等领域。磁控溅射通过在靶材背板后方引入磁场,利用磁场来束缚带电粒子,增加靶材表面的等离子体的密度,提高靶材溅射的速率。带电荷的粒子(Ar+)在电场的作用下加速轰击靶材,溅射出大量的中性靶材原子(或分子)沉积在基片上成膜；产生的二次电子被磁场力束缚在靠近靶面的等离子体区域内,围绕靶面做运动。电子在运动过程中不断地与氩原子发生碰撞,电离出大量的氩离子轰击靶材,从而实现高速率沉积。但也正是磁场强弱分布的问题,导致靶材局部消耗相对过快,降低靶材的利用率。
[0003]现有技术中，在装置工作之前需要接上电源进行供电，一般通过导线对装置的电源接口进行插接安装。
[0004]但是，常见的通过插接安装的方本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种接线结构，其特征在于：所述接线结构包括：装置本体(1)，所述装置本体(1)的一侧外壁设有接线槽(2)，所述接线槽(2)的两侧内壁设有卡槽(3)，所述卡槽(3)的一侧外壁设有限位槽一(4)；接线头(5)，所述接线头(5)的两侧外壁设有和卡槽(3)滑动连接的滑块(6)，所述滑块(6)的一侧外壁设有限位槽三(14)，所述接线头(5)的内部开设有空腔(7)，所述空腔(7)的内壁设有若干个限位槽二(8)；及调节板(9)，所述调节板(9)的外壁设有和限位槽二(8)滑动连接的限位块(10)，所述调节板(9)的一侧外壁设有和空腔(7)内壁固定连接的弹簧(16)，所述调节板(9)的一侧外壁固定连接有调节杆(11)，所述调节杆(11)的一端侧壁固定连接有按块(12)，所述调节板(9)的一侧外壁设有和...

【专利技术属性】
技术研发人员：骆晔，
申请(专利权)人：迈捷克纳米科技苏州有限公司，
类型：新型
国别省市：