【技术实现步骤摘要】
框架门固定装置及化学气相沉积设备
[0001]本技术涉及半导体晶体处理
,更为具体地,涉及一种框架门固定装置及化学气相沉积设备。
技术介绍
[0002]PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)设备是利用指等离子体增强化学的气相沉积设备,该设备借助微波或射频等使含有薄膜成分原子的气体电离,在局部形成等离子体,而等离子体化学活性很强,很容易发生反应,进而在基片上沉积出所期望的薄膜。其中,为了使化学反应能在较低的温度下进行,利用了等离子体的活性来促进反应,因而这种CVD称为等离子体增强化学气相沉积(PECVD)。
[0003]目前,反应腔室的框架门的开关定位通常是通过设置气压弹簧(也可称为气弹簧)或其他的限位结构来实现的,在具体的应用过程中,气压弹簧或限位结构通常是设置在门板的上端,而门板的下端没有与框架进行定位的结构,容易导致门板的下部发生晃动,当晃动发生时,会导致门板的涂装部位产生划痕,且门板的振动也会产生噪声,导致门板弯曲变形等问题发生。
[000 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种框架门固定装置,其特征在于,包括设置在框架门的门板中部位置的把手以及与所述把手连接的上限位杆和下限位杆;其中,在所述框架门的门框上设置有与所述上限位杆位置对应的上限位孔,以及与所述下限位杆位置对应的下限位孔;所述把手用于带动所述上限位杆和所述下限位杆运动,以使所述上限位杆插入或脱离所述上限位孔,所述下限位杆插入或脱离所述下限位孔。2.如权利要求1所述的框架门固定装置,其特征在于,还包括十字连杆;所述十字连杆包括上连接端、下连接端、左连接端和右连接端;所述上限位杆的下端与所述上连接端活动连接,所述上限位杆的中部通过第一转接杆与所述右连接端活动连接;所述下限位杆的上端与所述下连接端活动连接,所述下限位杆的中部通过第二转接杆与所述左连接端活动连接。3.如权利要求2所述的框架门固定装置,其特征在于,所述把手设置在所述十字连杆的中心位置;其中,所述把手用于带动所述十字连杆转动,转动的所述十字连杆用于通过所述第一转接杆带动所述上限位杆运动,以及通过所述第二转接杆带动所述下限位杆运动。4.如权利要求2所述的框架门固定装置,其特征在于,...
【专利技术属性】
技术研发人员:郑盈箕,李踵荣,罗敬勋,姜先美,金明石,崔赞龙,金圭燦,金东宰,咸振植,寓尚润,李东焕,申熙哲,康泰一,
申请(专利权)人:盛吉盛韩国半导体科技有限公司,
类型:新型
国别省市:
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