一种具有TFET的存储器制造技术

本申请实施例提供一种包含有隧穿场效应晶体管的存储器和电子设备，涉及半导体技术领域，该存储器可以提高工作效率，以及可以降低操作电压，降低功耗。该存储器包括具有掺杂类型相同的第一掺杂区和第二掺杂区的衬底，衬底上具有存储单元，该存储单元不仅包括存储部分，还包括位于存储部分两侧的选通管和隧穿场效应晶体管TFET，且存储部分和隧穿场效应晶体管TFET共用控制栅。这样的话，该存储器是基于热空穴注入(Hot hole injection，HHI)擦除方式实现擦除，另外，在TFET的调控下，可以降低擦除电压，降低存储器功耗。降低存储器功耗。降低存储器功耗。降低存储器功耗。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

【专利技术属性】
技术研发人员：焦慧芳，周雪，秦青，范鲁明，王校杰，
申请(专利权)人：华为技术有限公司，
类型：发明
国别省市：