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本申请实施例提供一种包含有隧穿场效应晶体管的存储器和电子设备，涉及半导体技术领域，该存储器可以提高工作效率，以及可以降低操作电压，降低功耗。该存储器包括具有掺杂类型相同的第一掺杂区和第二掺杂区的衬底，衬底上具有存储单元，该存储单元不仅包括存...
该专利属于华为技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华为技术有限公司授权不得商用。

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