【技术实现步骤摘要】
具有压力控制功能的半导体湿法刻蚀设备用排气处理装置
[0001]本专利技术涉及刻蚀设备排气处理领域，具体来说，涉及具有压力控制功能的半导体湿法刻蚀设备用排气处理装置。
技术介绍
[0002]ECS(Exhaust Control system for wet tools)湿法刻蚀设备排气处理装置是专门为湿法刻蚀单片清洗机台排气特点量身定制的设备排气处理装置。近年来，随着半导体行业的不断发展，湿法刻蚀技术在微电子和半导体制造过程中扮演着越来越重要的角色。湿法刻蚀是一种利用液体化学药剂溶解材料的工艺，通过局部化学反应来实现半导体芯片中微小结构的加工。然而，湿法刻蚀过程中产生的废气中可能含有颗粒物、腐蚀性气体等有害物质，对环境和人体健康具有潜在危害。
[0003]为了解决这一问题，现有技术中通常采用排气处理装置，如除雾器，对湿法刻蚀过程产生的废气进行处理。然而，现有排气处理装置存在一定的局限性。在大多数情况下，处理效率受到半导体湿法刻蚀设备排出废气量变化的影响。当半导体湿法刻蚀设备内的废气排出速率波动时，排气处理装置对废气...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.具有压力控制功能的半导体湿法刻蚀设备用排气处理装置，包括装置壳体(1)，其特征在于，所述装置壳体(1)的一端侧壁上设置有若干废气连接管道(2)，所述装置壳体(1)的另一端侧壁的顶部设置有排气管道(3)，所述排气管道(3)的中部设置有排风扇(4)；所述装置壳体(1)的内部设置有排气处理净化机构(5)，所述装置壳体(1)的内部且位于所述排气处理净化机构(5)的侧边设置有润湿机构(6)，所述装置壳体(1)的内部底端设置有污水处理机构(7)；所述装置壳体(1)的顶端设置有急停模块(8)，所述装置壳体(1)的底部一端设置有自来水管道(9)，且所述自来水管道(9)的顶端延伸至所述装置壳体(1)的外部；所述废气连接管道(2)及所述排气管道(3)的侧边均连接有排气监测装置(17)；还包括第一气体吸附填料(504)和第二气体吸附填料(505)，所述第二气体吸附填料(505)的顶端设置有颗粒物捕集器(506)，且所述颗粒物捕集器(506)与所述排气管道(3)连接。2.根据权利要求1所述的具有压力控制功能的半导体湿法刻蚀设备用排气处理装置，其特征在于，所述排气处理净化机构(5)包括设置在所述装置壳体(1)内部靠近所述废气连接管道(2)一侧顶端的第一挡板(501)，且所述第一挡板(501)的底端与所述装置壳体(1)的内底部之间形成通道，所述装置壳体(1)内部中间设置有第二挡板(502)，且所述第二挡板(502)的顶端与所述装置壳体(1)的内顶部之间形成通道，所述装置壳体(1)内部靠近所述排气管道(3)一侧顶端设置有第三挡板(503)，所述第三挡板(503)的底端与所述装置壳体(1)的内底部之间形成通道；所述第一气体吸附填料(504)设置在所述第一挡板(501)与所述第二挡板(502)之间；所述第二气体吸附填料(505)设置在所述第三挡板(503)与所述装置壳体(1)的内侧壁之间。3.根据权利要求2所述的具有压力控制功能的半导体湿法刻蚀设备用排气处理装置，其特征在于，所述润湿机构(6)包括设置在所述自来水管道(9)侧边的水泵(601)，所述水泵(601)的底端位于所述装置壳体(1)的内底部，所述水泵(601)的一侧连接有横向管道(602)，所述横向管道(602)远离所述水泵(601)的一端延伸至所述装置壳体(1)的内部靠近所述废气连接管道(2)的一侧；所述横向管道(602)的顶端依次设置有第一喷淋管(603)、第二喷淋管(604)、废水管(605)及第三喷淋管(606)；所述第一喷淋管(603)的顶端延伸至所述废气连接管道(2)的侧边，所述第二喷淋管(604)的顶端延伸至所述第一气体吸附填料(504)的上方，所述废水管(605)的顶端延伸至所述装置壳体(1)的顶端，所述第三喷淋管(606)的顶端延伸至所述第二气体吸附填料(505)的上方。4.根据权利要求3所述的具有压力控制功能的半导体湿法刻蚀设备用排气处理装置，其特征在于，所述第一喷淋管(603)、所述第二喷淋管(...
【专利技术属性】
技术研发人员：王贝易，沈玉柱，黄莉，
申请(专利权)人：盛奕半导体科技无锡有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。