本发明专利技术公开了具有压力控制功能的半导体湿法刻蚀设备用排气处理装置，包括装置壳体、若干废气连接管道、排气管道、排风扇；装置壳体的内部设置有排气处理净化机构，装置壳体的内部且位于排气处理净化机构的侧边设置有润湿机构，装置壳体的内部底端设置有污水处理机构；装置壳体的顶端设置有急停模块，装置壳体的底部一端设置有自来水管道，且自来水管道的顶端延伸至装置壳体的外部；废气连接管道及排气管道的侧边均连接有排气监测装置。本发明专利技术能够根据排放气体的浓度进行装置内压力的控制，全面解决了刻蚀过程中产生废气的处理问题，实现了废气的有效处理和净化，保护了环境，同时也保障了工作人员的健康。也保障了工作人员的健康。也保障了工作人员的健康。
【技术实现步骤摘要】
具有压力控制功能的半导体湿法刻蚀设备用排气处理装置
[0001]本专利技术涉及刻蚀设备排气处理领域，具体来说，涉及具有压力控制功能的半导体湿法刻蚀设备用排气处理装置。
技术介绍
[0002]ECS(Exhaust Control system for wet tools)湿法刻蚀设备排气处理装置是专门为湿法刻蚀单片清洗机台排气特点量身定制的设备排气处理装置。近年来，随着半导体行业的不断发展，湿法刻蚀技术在微电子和半导体制造过程中扮演着越来越重要的角色。湿法刻蚀是一种利用液体化学药剂溶解材料的工艺，通过局部化学反应来实现半导体芯片中微小结构的加工。然而，湿法刻蚀过程中产生的废气中可能含有颗粒物、腐蚀性气体等有害物质，对环境和人体健康具有潜在危害。
[0003]为了解决这一问题，现有技术中通常采用排气处理装置，如除雾器，对湿法刻蚀过程产生的废气进行处理。然而，现有排气处理装置存在一定的局限性。在大多数情况下，处理效率受到半导体湿法刻蚀设备排出废气量变化的影响。当半导体湿法刻蚀设备内的废气排出速率波动时，排气处理装置对废气的处理能力可能受限，导致处理效率降低。
[0004]例如中国专利201710647567.1公开了一种干法蚀刻设备的尾气处理装置，其第一输入部和第二输入部通过空气动力学管路相连通，第一输入部和第二输入部中排出的气体通过空气动力学管路向外排出，改善管路的腐蚀问题，节约了蚀刻工艺整体的成本，延长了机台保养的周期。但是该装置还存在以下不足：当干法蚀刻设备或者湿法刻蚀设备使用时，其废气处理效率受到排出废气量变化的影响。当这些设备内部的废气排放速率发生波动时，排气处理装置的处理能力可能会受到限制，从而导致处理效率降低。
[0005]针对相关技术中的问题，目前尚未提出有效的解决方案。
技术实现思路
[0006]针对相关技术中的问题，本专利技术提出具有压力控制功能的半导体湿法刻蚀设备用排气处理装置，以克服现有相关技术所存在的上述技术问题。
[0007]为此，本专利技术采用的具体技术方案如下：
[0008]具有压力控制功能的半导体湿法刻蚀设备用排气处理装置，包括装置壳体，装置壳体的一端侧壁上设置有若干废气连接管道，装置壳体的另一端侧壁的顶部设置有排气管道，排气管道的中部设置有排风扇；装置壳体的内部设置有排气处理净化机构，装置壳体的内部且位于排气处理净化机构的侧边设置有润湿机构，装置壳体的内部底端设置有污水处理机构；装置壳体的顶端设置有急停模块，装置壳体的底部一端设置有自来水管道，且自来水管道的顶端延伸至装置壳体的外部；废气连接管道及排气管道的侧边均连接有排气监测装置。
[0009]进一步的，为了有效地吸附废气中的有害物质，使得废气中的固态颗粒物可以被有效地捕集，进而使得经过处理后的废气能达到环保排放标准，大大减少了环境污染，排气
处理净化机构包括设置在装置壳体内部靠近废气连接管道一侧顶端的第一挡板，且第一挡板的底端与装置壳体的内底部之间形成通道，装置壳体内部中间设置有第二挡板，且第二挡板的顶端与装置壳体的内顶部之间形成通道，装置壳体内部靠近排气管道一侧顶端设置有第三挡板，第三挡板的底端与装置壳体的内底部之间形成通道；第一挡板与第二挡板之间设置有第一气体吸附填料，第三挡板与装置壳体的内侧壁之间设置有第二气体吸附填料，第二气体吸附填料的顶端设置有颗粒物捕集器，且颗粒物捕集器与排气管道连接。
[0010]进一步的，为了有效地对进入设备的废气进行冷却和湿润处理，降低废气温度，减少粉尘和热量的排放，且使第一气体吸附填料及第二气体吸附填料表面保持湿润状态，润湿机构包括设置在自来水管道侧边的水泵，水泵的底端位于装置壳体的内底部，水泵的一侧连接有横向管道，横向管道远离水泵的一端延伸至装置壳体的内部靠近废气连接管道的一侧；横向管道的顶端依次设置有第一喷淋管、第二喷淋管、废水管及第三喷淋管；第一喷淋管的顶端延伸至废气连接管道的侧边，第二喷淋管的顶端延伸至第一气体吸附填料的上方，废水管的顶端延伸至装置壳体的顶端，第三喷淋管的顶端延伸至第二气体吸附填料的上方。
[0011]进一步的，为了能够开启或关闭第一喷淋管、第二喷淋管、废水管及第三喷淋管，第一喷淋管、第二喷淋管、废水管及第三喷淋管的底端均设置有阀门。
[0012]进一步的，为了在需要更换或清洗第一气体吸附填料及第二气体吸附填料时，可以快速和便捷地拆卸和安装，第一气体吸附填料及第二气体吸附填料的底端均设置有支撑板，支撑板的内部开设有若干通气孔，支撑板的侧边且位于装置壳体上设置有检修孔，检修孔的侧壁设置有封闭板；封闭板的顶端及底端均设置有连接板，装置壳体的侧壁上设置有若干螺杆，且螺杆通过螺母与连接板连接。
[0013]进一步的，为了使得装置壳体内部底端的水中不会产生污染物的沉积，污水处理机构包括横向设置在装置壳体的内部底端且远离水泵一端的搅拌杆，搅拌杆远离水泵的一端设置有电机，电机的外部设置有保护壳，电机的输出轴通过连接轴与搅拌杆连接。
[0014]进一步的，为了在平时不会改变废气的流通通道，需要排出污水时，能够打开第二挡板底部的污水流通口，使得污水能够自动的排出，污水处理机构还包括设置在搅拌杆靠近水泵的一端且位于第二挡板底部的固定板，第二挡板及固定板的底端设置有污水流通口；固定板的内部竖直方向开设有通槽，通槽内设置有隔板，且隔板与通槽滑动配合，隔板的底端延伸至装置壳体的内底端。
[0015]进一步的，为了自动的完成污水流通口的打开与关闭，隔板的顶端设置有耳板，耳板的侧壁上设置有销轴，耳板的侧边且位于隔板的上方设置有安装板，安装板上设置电动伸缩杆，电动伸缩杆的输出轴上连接有驱动板，驱动板内开设有驱动槽，销轴位于驱动槽内；其中，驱动槽包括设置在驱动板底部的第一横向通槽，驱动板的顶部设置有第二横向通槽，第一横向通槽与第二横向通槽之间设置有斜向通槽；固定板靠近搅拌杆的侧壁上设置有底部连板，底部连板的顶端设置有弧形保护板。
[0016]本专利技术的有益效果为：
[0017](1)本专利技术能够根据排放气体的浓度进行装置内压力的控制，全面解决了刻蚀过程中产生废气的处理问题，实现了废气的有效处理和净化，保护了环境，同时也保障了工作人员的健康。
[0018](2)通过设置排气处理净化机构，从而有效地吸附废气中的有害物质，使得废气中的固态颗粒物可以被有效地捕集，进而使得经过处理后的废气能达到环保排放标准，大大减少了环境污染，通过第一挡板、第二挡板以及第三挡板的设置，形成了良好的空气流通通道，使得废气能够更好地与吸附填料接触，提高了废气处理效率；通过设置润湿机构，从而可以有效地对进入设备的废气进行冷却和湿润处理，降低废气温度，减少粉尘和热量的排放，且可以使第一气体吸附填料及第二气体吸附填料表面保持湿润状态，增加液相与固相之间的接触面积，提高吸附效率。
[0019](3)本专利技术通过支撑板可以增加第一气体吸附填料及第二气体吸附填料的稳定性，防止在气流冲击下填料发生位移，确保了装置的正常运行。通气孔可以使得气体能够更加本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.具有压力控制功能的半导体湿法刻蚀设备用排气处理装置，包括装置壳体(1)，其特征在于，所述装置壳体(1)的一端侧壁上设置有若干废气连接管道(2)，所述装置壳体(1)的另一端侧壁的顶部设置有排气管道(3)，所述排气管道(3)的中部设置有排风扇(4)；所述装置壳体(1)的内部设置有排气处理净化机构(5)，所述装置壳体(1)的内部且位于所述排气处理净化机构(5)的侧边设置有润湿机构(6)，所述装置壳体(1)的内部底端设置有污水处理机构(7)；所述装置壳体(1)的顶端设置有急停模块(8)，所述装置壳体(1)的底部一端设置有自来水管道(9)，且所述自来水管道(9)的顶端延伸至所述装置壳体(1)的外部；所述废气连接管道(2)及所述排气管道(3)的侧边均连接有排气监测装置(17)；还包括第一气体吸附填料(504)和第二气体吸附填料(505)，所述第二气体吸附填料(505)的顶端设置有颗粒物捕集器(506)，且所述颗粒物捕集器(506)与所述排气管道(3)连接。2.根据权利要求1所述的具有压力控制功能的半导体湿法刻蚀设备用排气处理装置，其特征在于，所述排气处理净化机构(5)包括设置在所述装置壳体(1)内部靠近所述废气连接管道(2)一侧顶端的第一挡板(501)，且所述第一挡板(501)的底端与所述装置壳体(1)的内底部之间形成通道，所述装置壳体(1)内部中间设置有第二挡板(502)，且所述第二挡板(502)的顶端与所述装置壳体(1)的内顶部之间形成通道，所述装置壳体(1)内部靠近所述排气管道(3)一侧顶端设置有第三挡板(503)，所述第三挡板(503)的底端与所述装置壳体(1)的内底部之间形成通道；所述第一气体吸附填料(504)设置在所述第一挡板(501)与所述第二挡板(502)之间；所述第二气体吸附填料(505)设置在所述第三挡板(503)与所述装置壳体(1)的内侧壁之间。3.根据权利要求2所述的具有压力控制功能的半导体湿法刻蚀设备用排气处理装置，其特征在于，所述润湿机构(6)包括设置在所述自来水管道(9)侧边的水泵(601)，所述水泵(601)的底端位于所述装置壳体(1)的内底部，所述水泵(601)的一侧连接有横向管道(602)，所述横向管道(602)远离所述水泵(601)的一端延伸至所述装置壳体(1)的内部靠近所述废气连接管道(2)的一侧；所述横向管道(602)的顶端依次设置有第一喷淋管(603)、第二喷淋管(604)、废水管(605)及第三喷淋管(606)；所述第一喷淋管(603)的顶端延伸至所述废气连接管道(2)的侧边，所述第二喷淋管(604)的顶端延伸至所述第一气体吸附填料(504)的上方，所述废水管(605)的顶端延伸至所述装置壳体(1)的顶端，所述第三喷淋管(606)的顶端延伸至所述第二气体吸附填料(505)的上方。4.根据权利要求3所述的具有压力控制功能的半导体湿法刻蚀设备用排气处理装置，其特征在于，所述第一喷淋管(603)、所述第二喷淋管(...
【专利技术属性】
技术研发人员：王贝易，沈玉柱，黄莉，
申请(专利权)人：盛奕半导体科技无锡有限公司，
类型：发明
国别省市：
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