【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体器件，具体为一种晶圆除静电设备及基于高纯水供给的除静电方法。
技术介绍
1、晶圆是指制作硅半导体电路所用的硅晶片，半导体晶圆湿法刻蚀在传送室与处理室之间移动。在移动的过程中晶圆受到外界摩擦产生静电颗粒，常规的晶圆清洗技术其通常采用毛刷等结构通过摩擦对晶圆表面进行清洁，但是由于晶圆加工工序的影响，在晶圆表面存在静电，静电会对小颗粒物产生吸附，常规的采用摩擦的清洗方式容易将该小颗粒物按压在晶圆表面，再相对滑动，由于小颗粒物的刚度通常高于晶圆，导致晶圆表面会因为该种摩擦方式产生划痕，导致晶圆损伤。
2、为了避免摩擦的清洗方式对晶圆表面产生伤害，因此多数的晶圆清洗方式为高纯水清洗，但是，使用高纯水对晶圆清洗过程中会出现以下几个问题，第一，现有液体混合装置存在二氧化碳气体提前从水中析出，导致成品溶液中存在气泡，在后续清洗过程中，晶圆表面会有微观水纹产生而形成水斑，第二，高纯水对晶圆冲洗后，会有水渍沾附在喷淋设备上，水渍过多后凝结成水液，在对晶圆进行干燥的过程结束后，会有水液滴落或滑落，从而降低晶圆的干燥效率，以及水...
【技术保护点】
1.一种晶圆除静电设备，包括供水设备（1）、与供水设备（1）相匹配的清洗设备（2）、设于清洗设备（2）内的晶圆硅片（3），其特征在于：所述清洗设备（2）包括固定组件（21）、夹持组件（22）、除水组件（23）以及清洗组件（24），所述晶圆硅片（3）安装于固定组件（21）上，所述固定组件（21）与夹持组件（22）和除水组件（23）之间设有传动件（25），以使所述固定组件（21）运行时，带动所述传动件（25）运行，并带动所述夹持组件（22）和除水组件（23）运行；
2.根据权利要求1所述的一种晶圆除静电设备，其特征在于：所述驱动件（211）包括驱动汽缸（211...
【技术特征摘要】
1.一种晶圆除静电设备，包括供水设备（1）、与供水设备（1）相匹配的清洗设备（2）、设于清洗设备（2）内的晶圆硅片（3），其特征在于：所述清洗设备（2）包括固定组件（21）、夹持组件（22）、除水组件（23）以及清洗组件（24），所述晶圆硅片（3）安装于固定组件（21）上，所述固定组件（21）与夹持组件（22）和除水组件（23）之间设有传动件（25），以使所述固定组件（21）运行时，带动所述传动件（25）运行，并带动所述夹持组件（22）和除水组件（23）运行；
2.根据权利要求1所述的一种晶圆除静电设备，其特征在于：所述驱动件（211）包括驱动汽缸（2111）和与驱动汽缸（2111）匹配的伸缩杆（2112），所述驱动汽缸（2111）固定安装在清洗设备（2）外壁上，所述伸缩杆（2112）一端与驱动汽缸（2111）固定连接，所述伸缩杆（2112）另一端与驱动设备（213）固定连接。
3.根据权利要求2所述的一种晶圆除静电设备，其特征在于：所述夹持组件（22）还包括螺纹套筒（223），所述螺纹套筒（223）固定安装在弧形夹板（221）上，所述螺纹套筒（223）外周顶部固定连接有圆板（224），所述圆板（224）底部两侧固定连接有限位轴（225），所述限位轴（225）另一端与弧形夹板（221）固定连接，所述螺纹套筒（223）外周套设有限位板（226），所述限位板（226）设于圆板（224）和弧形夹板（221）之间且与限位轴（225）套接，所述限位板（226）顶部两侧均固定连接有连接板（227），所述连接板（227）一端与清洗设备（2）内壁固定连接，所述弧形夹板（221）靠近空心垫（222）一侧开设有收纳槽（228），所述空心垫（222）设于收纳槽（228）内，所述空心垫（222）远离弧形夹板（221）一侧开设有定位槽（229），所述晶圆硅片（3）与定位槽（229）吻合。
4.根据权利要求3所述的一种晶圆除静电设备，其特征在于...
【专利技术属性】
技术研发人员：王贝易，孙涛，沈玉柱，
申请(专利权)人：盛奕半导体科技无锡有限公司，
类型：发明
国别省市：
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