在氮气下铸造氮浓度可控的掺氮单晶硅的方法技术

本发明专利技术公开了在氮气下铸造氮浓度可控的掺氮单晶硅的方法，采用在氮气保护气氛下铸造单晶硅，使得氮在多晶硅铸造过程中掺入，通过控制氮气的压力和流量来调节氮的掺杂浓度，以未融化的部分无位错的单晶硅块作为籽晶，定向凝固铸造单晶硅，得到氮浓度可控的掺氮铸造单晶硅。本发明专利技术还公开了上述方法制得的掺氮单晶硅，含有浓度为１×１０↑［１５］～１×１０↑［１７］／ｃｍ↑［３］的硼、镓和磷，还含有浓度为１×１０↑［１３］～５×１０↑［１５］／ｃｍ↑［３］的氮。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体
，尤其涉及在氮气下铸造氮浓度可控的掺 氮单晶硅的方法。
技术介绍
能源和环境是当今世界广泛关注的两大问题，太阳能作为 一种可再生的绿色能源自然成为人们开发和研究的焦点。自1954年美国贝尔实验室 成功研制出第一块单晶硅太阳能电池以来，经过全球科技和产业界的不懈 努力，太阳能电池技术和产业得到了巨大发展。而太阳能电池的发展主要 是建立在半导体硅材料的基础上的。一般情况下，单晶硅的制备是利用直拉技术或区熔技术而获得的，可 以用在电子工业和太阳能光伏工业，它制备的太阳电池效率高，但是晶体 制备成本高、能耗高。而利用定向铸造技术，可以制备涛造多晶硅，能用在太阳能光伏行业， 虽然成本相对比较低，但是由于它是多晶，不是单晶，所以其制备的太阳 能电池效率低，限制了其在太阳能电池的广泛应用。此外，定向铸造技术中制备得到的硅材料中位错较多，因此机械强度 较低。而当前影响太阳能电池广泛使用的一个主要障碍是成本较高。太阳 能电池的成本主要在硅片，如减少每一片硅片的厚度，使得每一片硅片的 材料用量减少，可有效降低太阳能电池的成本。但是由于铸造硅片的机械 强度低， 一旦降低单一硅片的厚度，就会使硅片在加工、电池制备和电池 组装成组件等过程中，容易发生损伤和破碎，硅片的破碎率增加，仍然导致成本的增加。因此，现有的铸造珪难以制成薄的硅片的缺陷，造成硅片 成本增加，也限制了其使用。
技术实现思路
本专利技术提供了，包括以下步骤(1) 将无位错的原料单晶硅块铺满坩埚底部，再将多晶硅置于原料 单晶硅块之上，并按目标掺杂浓度计算的投料量加入电活性掺杂剂，装炉；其中，所述的电活性掺杂剂为硼、镓或磷；所述的目标掺杂浓度为本 专利技术要制备得到的目标产物中电活性掺杂剂的浓度。本专利技术中，电活性掺 杂剂的目标掺杂浓度为lxl015~lxio17/cm3。所述的原料单晶硅块的厚度优选为5~20mm。使用太薄的单晶硅块， 对铸造炉热场的设计要求较高，同时铸造单晶硅的实际生长过程的控制要 求太高；而使用太厚的单晶硅块，将导致铸造单晶硅成本的增加。(2) 将炉室抽成真空后通入氩气，调整炉内保温罩的位置，使得电 活性掺杂剂、多晶硅和靠近多晶硅的部分原料单晶硅块受热；逐渐加热到 1400。C以上使得多晶硅开始融化，并保持温度在1400。C以上一段时间，使 得电活性掺杂剂、多晶硅和靠近多晶硅的部分原料单晶硅块融化成液体形 成硅熔体，而坩埚底部下部的部分原料单晶珪块不融化。由于要确保坩埚底部下部存在部分原料单晶硅块不被融化以便作为 生长单晶硅的籽晶，优选的技术方案中，未融化的部分原料单晶硅块的厚 度至少为原料单晶硅块总厚度的10%,即融化的部分原料单晶硅块的厚度 不超过原料单晶硅块总厚度的卯％;同时，为了保证与原料单晶硅块相接 触的多晶硅全部完全融化，优选的技术方案中，融化的部分原料单晶硅块 的厚度至少为原料单晶硅块总厚度的10%。因此，在优选的技术方案中， 位于坩锅底部的单晶硅原料中，置于上部的、靠近多晶硅的、厚度为原料单晶硅块总厚度的10% ~ 90%的部分单晶硅原料融化。(3)在晶体生长时，将氩气换成氮气，氮气的压力为5~200Torr, 流量为l~200L/min,然后冷却坩埚底部，使得硅熔体的热交换主要发生 在坩埚底部；同时以1 4mm/min的速度提升炉内保温罩，使得硅熔体从 底部向上逐渐定向凝固，由于坩埚底部保留有未融化的部分单晶硅，在此 作为籽晶诱导生长，从而形成含氮浓度为lxl0"-5xl0"/cn^的掺氮单晶 硅。本专利技术中优选采用纯度为99.999 ~99.9999°/0的氮气，可保证不会因纯 度过低引入杂质影响产品质量，又不至因使用过高纯度的氮气增加成本。本专利技术中，通过冷却坩锅底部和调整炉内保温罩位置来调节热场，形 成单方向的热 流(晶 体的生长方向垂直向上，热流方向垂直向下)进行定 向凝固，该过程中仅在固-液界面处存在一定的轴向温度梯度，而在横向 的平面温度梯度较小，从而实现从下至上的铸造单晶硅的生长。通常，采 取在坩埚底部吹入冷却气体或通入冷却水来冷却坩锅底部。其中，冷却气 体可采用安全便宜易得的常用气体，通常采用冷却惰性气体或冷却氮气。上述方法制得的掺氮单晶硅，含有浓度为lxlO" lxlO力cn^硼、镓 或磷，还含有浓度为lxlO" 5xlO"/cm3的氮。通常，单晶硅采用直拉法制备，直拉法生长单晶硅的过程中，在引晶 后必须经过缩颈阶段，以便排出位错，避免在拉晶过程中由于位错太多出 现裂紋，甚至造成晶体断裂。本专利技术中，通过在坩埚底部预先平铺无位错 单晶硅块，覆盖坩锅底部，并通过热场控制，保留无位错单晶硅块的下部 不融化，将其作为在多晶硅融化后定向凝固时的籽晶，诱导生长单晶硅； 同时，热场控制使得仅在固-液界面轴向产生温度梯度，进行定向凝固， 实现了无缩颈铸造得到不含有晶界的单晶硅块。本专利技术中，避免了直拉法 制备单晶硅的高成本和高能耗的问题，用低成本的定向凝固铸造方法生产具有较高电池转换效率的单晶硅。进一步地，本专利技术中，采用在氮气保护气氛下铸造单晶硅，使得氮在多晶硅铸造过程中掺入，氮的掺杂浓度可通过控制氮气的压力和流量来调节，从而实现在铸造单晶硅中可控掺氮的目的，得到氮浓度可控的掺氮铸造单晶硅。由于氮能够钉扎硅中位错，提高铸造单晶硅的机械强度，因此本专利技术中氮浓度可控的掺氮铸造单晶硅的制备方法，对实现机械强度可控 的铸造单晶硅的制备有重要的意义。附图说明图1为本专利技术实施例1中得到的掺氮铸造单晶硅底部样品腐蚀后的光 学显微镜照片。具体实施方式 实施例1先将厚度为20mm的无位错的原料单晶硅块铺满蚶埚底部，然后将 240kg的多晶硅置于坩埚，摻入10mg的掺杂剂硼，实现装炉。将炉室抽 成真空后通入氩气，调整炉内保温罩的位置并加热到1430°C,使硼、多晶 硅和靠近多晶硅的5mm厚的单晶硅块受热，保持温度在1430。C以上，使 得靠近多晶硅的5mm厚的单晶硅块、全部的多晶硅和硼均融化成液体， 形成硅熔体。在晶体生长时，将高纯氩气换成氮气，氮气的纯度为99.999%， 氮气的压力为10Torr,流量为100L/min,然后在坩埚底部通入冷却水，并 以1 mm/min的速度提升保温罩，使得硅熔体从底部向上逐渐定向凝固， 通过铺在坩锅底部下部的未融化的15mm厚的单晶硅块作为籽晶诱导生 长，铸造形成掺氮的单晶硅。通过四探针法测试电阻率和红外吸收光谱测试氮浓度，得到上述的掺 氮铸造单晶硅中硼的浓度为3xl015/cm3，氮的浓度为lxl015/cm3。采用择优腐蚀液对上述得到的掺氮铸造单晶硅的底部样品进行腐蚀后，其缺陷^Ai文大，通过光学显孩i镜进行观察，结果如附图l所示。采用的腐蚀液为Secco腐蚀液，其配比为HF:0.15MK2Ci"4O7-l : 2。图1中可 以看到在底部的籽晶A与铸造的单晶体B的界面C之上的晶体(即本发 明的掺氮铸造单晶硅B)中没有晶界，为单晶硅。通过三点弯法测得本实施例中掺氮的铸造单晶硅的室温断裂机械强 度为270N/mm2，而同样条件下不掺氮的铸造单晶硅的室温断裂机械强度 为200N/mm2，掺氮的铸造单晶硅比不掺氮的铸造单晶硅机械强度增加约 35%。实施例2先将厚度为10mm的无位错单晶硅块铺本文档来自技高网...

【技术保护点】
在氮气下铸造氮浓度可控的掺氮单晶硅的方法，包括以下步骤：　（１）将无位错的原料单晶硅块铺满坩埚底部，再将多晶硅置于原料单晶硅块上，加入电活性掺杂剂，装炉；　其中，所述的电活性掺杂剂为硼、镓或磷；　（２）将炉室抽成真空后通入 氩气，调整炉内保温罩的位置并加热到１４００℃以上，使得电活性掺杂剂、多晶硅和靠近多晶硅的部分原料单晶硅块融化成液体；　（３）在晶体生长时，将氩气换成氮气，氮气的压力为５～２００Ｔｏｒｒ，流量为１～２００Ｌ／ｍｉｎ；然后以１～４ｍｍ／ｍ ｉｎ的速度提升炉内保温罩并冷却坩锅底部，以在坩埚底部下部未融化的部分原料单晶硅块作为籽晶，定向凝固，形成含氮浓度为１×１０↑［１３］～５×１０↑［１５］／ｃｍ↑［３］的掺氮单晶硅；　所述的电活性掺杂剂的加入量以形成的掺氮单晶硅中含有的 硼、镓或磷浓度为１×１０↑［１５］～１×１０↑［１７］／ｃｍ↑［３］计。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：余学功，杨德仁，
申请(专利权)人：浙江大学，
类型：发明
国别省市：86[中国|杭州]