一种吸附式激光打孔平台制造技术

本发明专利技术公开了一种吸附式激光打孔平台，包括第一平板和第二平板，第一平板正面设有若干阵列排布的第一凹槽，第一凹槽四周的结构梁顶面还设有第一吸附孔，第一凹槽外围还设有第二吸附孔，第二平板内部为阶梯构造，包括第一凹槽和延伸部，第一平板位于延伸部上；第二平板的顶面四周设有用于吸附材料的第三吸附孔，第二平板的侧壁上设有多个供气孔，第二平板上半部设有气道，供气孔通过气道连通第三吸附孔，形成外部气路；第二平板下半部还设有贯穿的空腔气孔，空腔气孔通过空腔连通第一吸附孔和第二吸附孔，形成内部气路。形成内部气路。形成内部气路。

【技术实现步骤摘要】
一种吸附式激光打孔平台


[0001]本专利技术涉及一种吸附式激光打孔平台，属于激光加工


技术介绍

[0002]目前，激光打孔的平台是带有负压吸附孔的平面吸附平台。在激光打孔过程中，生瓷被激光蚀刻并气化，热量在孔内堆积，仅能通过向上即激光入射面喷溅排出，大量的生瓷碎屑及PET熔融物落在通孔内部及生瓷表面无法清除，影响后续工艺。等离子体会阻碍激光对材料的进一步蚀刻，导致通孔出口孔径变小，锥度变差。并且部分被蚀刻的材料碎屑会在通孔出口处堆积，在激光的热影响下形成重铸层，影响通孔出口的质量。
[0003]业内对于这种存在的问题，往往通过降低激光的功率从而降低热影响，但是也带来加工效率低问题。

技术实现思路

[0004]为解决现有技术的不足，本专利技术的目的在于提供一种吸附式激光打孔平台，解决了现有技术中平面吸附平台在材料打孔时易产生重铸层、锥度大的问题。
[0005]为了实现上述目标，本专利技术采用如下的技术方案：一种吸附式激光打孔平台，包括第一平板和第二平板；第一平板正面设有第一凹槽，第一凹槽的底面设有将第一凹槽分割成多个独立凹槽的结构梁，结构梁顶面设有第一吸附孔，第一平板的正面还设有第二吸附孔，结构梁的顶面与第一平板的正面平齐；第二平板正面设有第二凹槽，第二凹槽底面四周设有向内延伸的延伸部，第一平板位于第二凹槽的延伸部上，第一平板的正面与第二平板的正面平齐。
[0006]进一步地，前述第二平板的正面设有第三吸附孔。
[0007]进一步地，前述延伸部上设有贯穿的通孔，第一平板的背面的边缘位置设有与通孔相适配的螺纹孔。
[0008]进一步地，前述第二平板的侧面上设有多个供气孔，第二平板内部设有气道，供气孔通过气道连通第三吸附孔。
[0009]进一步地，前述第一吸附孔和第二吸附孔均为通孔。
[0010]进一步地，前述第一平板与第二凹槽之间形成空腔，第二平板设有空腔气孔，空腔气孔通过空腔连通第一吸附孔和第二吸附孔。
[0011]进一步地，前述第一平板的对角还设有第一定位孔，延伸部设有与第一定位孔相适配的第二定位孔。
[0012]进一步地，每个独立凹槽周边的结构梁之间具有空隙，结构梁首尾互不相连本专利技术所达到的有益效果：1、第一凹槽可以使材料加工区域处于悬空状态，避免出口出现重铸层及入射面表面脏污，提高了激光加工通孔的整洁度和锥度。
[0013]2、第一凹槽的四周设计吸附孔，结构梁和各吸附表面平齐，保证加工中材料的平整度。
[0014]3、由于熔融物被及时清理，不需要降低激光功率，使用更高的激光功率进一步提高了激光加工效率。
[0015]4、内外结构分开的设计，可以兼容不同加工产品的需求。
[0016]5、结构梁围成的独立凹槽尺寸形状可变，满足不同太小材质的加工要求。
附图说明
[0017]图1是本专利技术整体装配完成后的俯视图；图2是本专利技术第一凹槽局部轴侧视图；图3是本专利技术第一平板背视图；图4是本专利技术第二平板轴侧视图；图5是本专利技术第二平板主视图；图6是本专利技术空腔气孔剖面图；图7是本专利技术整体装配完成后的剖面图。
[0018]图中附图标记的含义：1
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第一平板；2
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第二平板；11
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第一凹槽；12
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第一吸附孔；13
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第一定位孔；14
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结构梁；15
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第二吸附孔；16
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空腔；17
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螺纹孔；21
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第二凹槽；22
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延伸部；23
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第三吸附孔；24
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空腔气孔；25
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第二定位孔；26
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通孔；27
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供气孔；28
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气道。
实施方式
[0019]下面结合附图和实施例对本专利技术作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本专利技术，而非对本专利技术的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本专利技术相关的部分而非全部结构。
[0020]在本专利技术的描述中，除非另有明确的规定和限定，术语“相连”、“连接”、“固定”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本专利技术中的含义。
[0021]在本专利技术中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触，也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
[0022]在本实施例的描述中，术语“上”、“下”、“左”、“右”等方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述和简化操作，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本专利技术的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅仅用于在描述上加以区分，并没有特殊的含义。
[0023]本实施例公开了一种吸附式激光打孔平台，如图1所示，包括第一平板1和第二平
板2。第一平板1和第二平板2的外部轮廓形状，可以是方形，也可是其他不规则形状，在此不作限制。
[0024]如图2和图3所示，第一平板1正面由需要激光打孔的图案决定，在第一平板1正面挖去部分，形成下陷的第一凹槽11，第一凹槽11的形状由需要激光打孔的图案决定，第一凹槽11在第一平板1正面上有多处，第一凹槽11底面还设有多个结构梁14，结构梁14将第一凹槽11从整体上分割成多个阵列排布的独立凹槽，每个独立凹槽都是由若干个结构梁14组成，结构梁14的顶面与第一平板1的正面平齐。且围成独立凹槽的若干结构梁14彼此之间具有间隙，即独立凹槽并不是封闭结构。结构梁14顶面上还设有第一吸附孔12，第一平板1的正面还设有第二吸附孔15，通过第一吸附孔12和第二吸附孔15对放置在第一平板1正面上的材料进行吸附固定。
[0025]结合图4和图5，第二平板2内部为阶梯构造，第二平板2从正面挖去一部分形成第二凹槽21，第二凹槽21底面四周设有向内部延伸的延伸部22，且延伸部22不遮挡第一平板1上设有的第一吸附孔12和第二吸附孔15。第一平板1安装时，位于第二凹槽21的延伸部22上，第二凹槽21的内腔尺寸与第一平板1的外延尺寸相匹配。安装后，第一平板1的正面与第二平板2的正面平齐。
[0026]第二平板2的正面四周还设有第三吸附孔23，用来本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种吸附式激光打孔平台，其特征在于，包括第一平板和第二平板；所述第一平板（1）正面设有第一凹槽（11），所述第一凹槽（11）的底面设有将所述第一凹槽（11）分割成多个独立凹槽的结构梁（14），所述结构梁（14）顶面设有第一吸附孔（12），所述第一平板（1）的正面还设有第二吸附孔（15），所述结构梁（14）的顶面与第一平板（1）的正面平齐；所述第二平板（2）正面设有第二凹槽（21），所述第二凹槽（21）底面四周设有向内延伸的延伸部（22），所述第一平板（1）位于所述第二凹槽（21）的延伸部（22）上，所述第一平板（1）的正面与所述第二平板（2）的正面平齐。2.根据权利要求1所述的一种吸附式激光打孔平台，其特征在于，所述第二平板（2）的正面设有第三吸附孔（23）。3.根据权利要求1所述的一种吸附式激光打孔平台，其特征在于，所述延伸部（22）上设有贯穿的通孔（26），所述第一平板的（1）背面的边缘位置设有与所述通孔（26）相适配的螺纹孔（17）。4.根据权利要求2所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：于海超，夏鹤天，
申请(专利权)人：强一半导体苏州股份有限公司，
类型：发明
国别省市：