具有白光转换层的发光器件、电子设备及制备方法技术

本公开提供了一种具有白光转换层的发光器件、电子设备及制备方法，属于显示技术领域。该发光器件，包括：发光二极管芯粒和白光转换层；白光转换层包括CsPbBr3钙钛矿纳米晶体层和CsPbI3钙钛矿纳米晶体层，CsPbBr3钙钛矿纳米晶体层和CsPbI3钙钛矿纳米晶体层均位于发光二极管芯粒的出光面。本公开能够提高发光器件的外量子效率。件的外量子效率。件的外量子效率。

【技术实现步骤摘要】
具有白光转换层的发光器件、电子设备及制备方法


[0001]本公开属于显示
，特别涉及一种具有白光转换层的发光器件、电子设备及制备方法。

技术介绍

[0002]发光二极管是一种常见的发光器件。
[0003]在相关技术中，为了实现发光器件发出白光，主要有两种方式。一种方式是通过红、绿、蓝三种颜色的发光器件进行混合发光，从而获得组合白光。另一种方式是通过发光器件发出的蓝光或者紫光来激发荧光粉，从而获得组合白光。由于第一种方式的成本高，且不利于小型化和散热，所以第二种方式是目前的主流应用。
[0004]然而，在上述第二种方式中，由于荧光粉层会反方向散射发光器件发出的蓝光或者紫光，导致其在封装器件内被损耗，降低了外量子效率。

技术实现思路

[0005]本公开实施例提供了一种具有白光转换层的发光器件、电子设备及制备方法，能够提高发光器件的外量子效率。所述技术方案如下：
[0006]一方面，本公开实施例提供了一种具有白光转换层的发光器件，包括：发光二极管芯粒和白光转换层；
[0007]所述白光转换层包括CsPbBr3钙钛矿纳米晶体层和CsPbI3钙钛矿纳米晶体层，所述CsPbBr3钙钛矿纳米晶体层和所述CsPbI3钙钛矿纳米晶体层均位于所述发光二极管芯粒的出光面。
[0008]在本公开的一种实现方式中，所述CsPbI3钙钛矿纳米晶体层和所述CsPbBr3钙钛矿纳米晶体层依次层叠在所述发光二极管芯粒的出光面。
[0009]在本公开的一种实现方式中，所述CsPbBr3钙钛矿纳米晶体层和所述CsPbI3钙钛矿纳米晶体层沿所述发光二极管芯粒的出光面并排布置。
[0010]在本公开的一种实现方式中，所述白光转换层还包括至少三个分隔部；
[0011]各所述分隔部沿所述发光二极管芯粒的出光面并排布置，相邻两个所述分隔部之间具有所述CsPbBr3钙钛矿纳米晶体层或者所述CsPbI3钙钛矿纳米晶体层。
[0012]在本公开的一种实现方式中，所述发光器件还包括钝化保护层；
[0013]所述钝化保护层包覆在所述白光转换层之外，以及部分所述发光二极管芯粒之外。
[0014]在本公开的一种实现方式中，所述发光器件还包括光阻隔层；
[0015]所述光阻隔层包覆在所述发光二极管芯粒之外，以及部分所述白光转换层之外，使得所述白光转换层背向所述发光二极管芯粒的一面暴露在所述光阻隔层外。
[0016]另一方面，本公开实施例提供了一种电子设备，包括前文所述的发光器件。
[0017]又一方面，本公开实施例提供了一种具有白光转换层的发光器件的制备方法，包
括：
[0018]制备发光二极管芯粒；
[0019]在所述发光二极管芯粒的出光面依次制备所述CsPbI3钙钛矿纳米晶体层和所述CsPbBr3钙钛矿纳米晶体层。
[0020]在本公开的一种实现方式中，制备所述CsPbI3钙钛矿纳米晶体层，包括：
[0021]制备CsPbI3钙钛矿纳米晶体悬浊液；
[0022]对所述CsPbI3钙钛矿纳米晶体悬浊液进行离心分离，以得到CsPbI3钙钛矿纳米晶体；
[0023]将CsPbI3钙钛矿纳米晶体散布至甲苯中，以得到CsPbI3钙钛矿纳米晶体甲苯散布溶液；
[0024]将聚二甲基硅氧烷加入至所述CsPbI3钙钛矿纳米晶体甲苯散布溶液中，以得到CsPbI3钙钛矿纳米晶体涂层胶体；
[0025]将所述CsPbI3钙钛矿纳米晶体涂层胶体涂覆至所述发光二极管芯粒的出光面，以得到所述CsPbI3钙钛矿纳米晶体层。
[0026]在本公开的一种实现方式中，制备所述CsPbBr3钙钛矿纳米晶体层，包括：
[0027]制备CsPbBr3钙钛矿纳米晶体悬浊液；
[0028]对所述CsPbBr3钙钛矿纳米晶体悬浊液进行离心分离，以得到CsPbBr3钙钛矿纳米晶体；
[0029]将CsPbBr3钙钛矿纳米晶体散布至甲苯中，以得到CsPbBr3钙钛矿纳米晶体甲苯散布溶液；
[0030]将聚二甲基硅氧烷加入至所述CsPbBr3钙钛矿纳米晶体甲苯散布溶液中，以得到CsPbBr3钙钛矿纳米晶体涂层胶体；
[0031]将所述CsPbBr3钙钛矿纳米晶体涂层胶体涂覆至所述发光二极管芯粒的出光面，以得到所述CsPbBr3钙钛矿纳米晶体层。
[0032]本公开实施例提供的技术方案带来的有益效果是：
[0033]在本公开实施例提供的发光器件工作时，发光二极管芯粒的出光面发光，光线传输至白光转换层。由于白光转换层包括CsPbBr3钙钛矿纳米晶体层和CsPbI3钙钛矿纳米晶体层，二者相较于相关技术中的荧光粉层来说，可以减少发光二极管芯粒出光的反向散射，减少这些散射光在发光器件内的损耗，提高整体外量子效率。并且，二者相较于相关技术中的荧光粉层来说，具有更高的光致发光量子转换效率，提高整个发光器件的光输出功率。
附图说明
[0034]为了更清楚地说明本公开实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本公开的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0035]图1是本公开实施例提供的一种发光器件的结构示意图；
[0036]图2是本公开实施例提供的另一种发光器件的结构示意图；
[0037]图3是本公开实施例提供的又一种发光器件的结构示意图；
[0038]图4是本公开实施例提供的一种发光器件的制备方法的流程图；
[0039]图5是本公开实施例提供的另一种发光器件的制备方法的流程图。
[0040]图中各符号表示含义如下：
[0041]1、发光二极管芯粒；
[0042]11、衬底；12、n型GaN层；13、浅阱层；14、MQW发光阱层；15、p型GaN层；16、CBL层；17、ITO层；181、N电极；182、P电极；19、DBR层；
[0043]2、白光转换层；
[0044]21、CsPbBr3钙钛矿纳米晶体层；22、CsPbI3钙钛矿纳米晶体层；23、分隔部；
[0045]3、钝化保护层；
[0046]4、光阻隔层；
[0047]5、光提取层。
具体实施方式
[0048]为使本公开的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本公开实施方式作进一步地详细描述。
[0049]本公开实施例提供了一种具有白光转换层的发光器件，图1为该发光器件的结构示意图，参见图1，在本实施例中，该发光器件包括发光二极管芯粒1和白光转换层2。白光转换层2包括CsPbBr3钙钛矿纳米晶体层21和CsPbI3钙钛矿纳米晶体层22，CsPbBr3钙钛矿纳米晶体层21和CsPbI3钙钛矿纳米晶体层22均位于发光二极管芯粒1的出光面。
[0050]在本公开实施例提供的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种发光器件，其特征在于，包括：发光二极管芯粒(1)和白光转换层(2)；所述白光转换层(2)包括CsPbBr3钙钛矿纳米晶体层(21)和CsPbI3钙钛矿纳米晶体层(22)，所述CsPbBr3钙钛矿纳米晶体层(21)和所述CsPbI3钙钛矿纳米晶体层(22)均位于所述发光二极管芯粒(1)的出光面。2.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述CsPbI3钙钛矿纳米晶体层(22)和所述CsPbBr3钙钛矿纳米晶体层(21)依次层叠在所述发光二极管芯粒(1)的出光面。3.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述CsPbBr3钙钛矿纳米晶体层(21)和所述CsPbI3钙钛矿纳米晶体层(22)沿所述发光二极管芯粒(1)的出光面并排布置。4.根据权利要求3所述的发光器件，其特征在于，所述白光转换层(2)还包括至少三个分隔部(23)；各所述分隔部(23)沿所述发光二极管芯粒(1)的出光面并排布置，相邻两个所述分隔部(23)之间具有所述CsPbBr3钙钛矿纳米晶体层(21)或者所述CsPbI3钙钛矿纳米晶体层(22)。5.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述发光器件还包括钝化保护层(3)；所述钝化保护层(3)包覆在所述白光转换层(2)之外，以及部分所述发光二极管芯粒(1)之外。6.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述发光器件还包括光阻隔层(4)；所述光阻隔层(4)包覆在所述发光二极管芯粒(1)之外，以及部分所述白光转换层(2)之外，使得所述白光转换层(2)背向所述发光二极管芯粒(1)的一面暴露在所述光阻隔层(4)外。7.一种电子设备，其特征在于，包括权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈张笑雄，张舜，胡任浩，龚逸品，王江波，
申请(专利权)人：华灿光电苏州有限公司，
类型：发明
国别省市：