一种可控硅控制电路制造技术

本实用新型专利技术公开了一种可控硅控制电路，包括第一输入信号接口、第二输入信号接口、第一信号输出接口、第二信号输出接口、隔离光耦和双向可控硅，通过双向可控硅的第一电极端与所述第一信号输出接口连接，所述双向可控硅的第二电极端与所述第二信号输出接口连接，所述双向可控硅的第二电极端还通过第一电阻(R2)与所述隔离光耦的第一输出端连接，所述隔离光耦的第二输出端与所述双向可控硅的受控端连接，所述双向可控硅的受控端还通过第二电阻(R6)与所述第一信号输出接口连接。这样，通过所述隔离光耦配合所述双向可控硅，以实现输出端不区分正负极性连线关系。使用更加方便，信号连接不容易出错。接不容易出错。接不容易出错。

【技术实现步骤摘要】
一种可控硅控制电路


[0001]本技术涉及隔离控制
，尤其涉及一种可控硅控制电路。

技术介绍

[0002]隔离控制器在现实生活中经常用到，其工作原理为，通过输入小控制信号来对大电流或高电压信号进行隔离控制。增加电路控制的安全性。隔离控制器一般是通过信号输入端输入小信号，来控制信号输出端的大电流或高电压信号。
[0003]在现有技术中，隔离控制电路的信号输出端的也是分正负端的，不能反接，否则，隔离控制电路不能正常工作，也即是，不能实现对输出端的电源或信号的导通或断开控制，使用时容易接错，使得使用相对麻烦。

技术实现思路

[0004]本技术旨在至少在一定程度上解决相关技术中的技术问题之一。为此，本技术的一个目的在于提出一种可控硅控制电路。
[0005]为实现上述目的，本技术实施例提供一种可控硅控制电路，包括：
[0006]第一输入信号接口；
[0007]第二输入信号接口；
[0008]第一信号输出接口；
[0009]第二信号输出接口；
[0010]隔离光耦，所述隔离光耦的发光二极管的阳极端与所述第一输入信号接口信号连接，所述隔离光耦的发光二极管的阴极端与所述第二输入信号接口信号连接；
[0011]双向可控硅，所述双向可控硅的第一电极端与所述第一信号输出接口连接，所述双向可控硅的第二电极端与所述第二信号输出接口连接，所述双向可控硅的第二电极端还通过第一电阻R2与所述隔离光耦的第一输出端连接，所述隔离光耦的第二输出端与所述双向可控硅的受控端连接，所述双向可控硅的受控端还通过第二电阻R6与所述第一信号输出接口连接。
[0012]进一步地，根据本技术的一个实施例，所述可控硅控制电路还包括尖峰吸收电路，所述尖峰吸收电路包括：
[0013]第三电阻R3，所述第三电阻R3的一端与所述第二信号输出接口连接；
[0014]电容C1，所述电容C1的一端与所述第三电阻R3的另一端连接，所述电容C1的另一端与所述第一信号输出接口连接。
[0015]进一步地，根据本技术的一个实施例，所述可控硅控制电路还包括：
[0016]第四电阻R4，所述隔离光耦的发光二极管的阳极端通过所述第四电阻R4与所述第一输入信号接口连接；其中，所述第四电阻R4的一端与所述隔离光耦的发光二极管的阳极端连接，所述第四电阻R4的另一端与所述第一输入信号接口连接。
[0017]进一步地，根据本技术的一个实施例，所述可控硅控制电路还包括：
[0018]恒流电路，所述第一输入信号接口、第二输入信号接口通过所述恒流电路与所述隔离光耦的发光二极管端连接，以为所述隔离光耦的发光二极管端提供恒流发光驱动电源。
[0019]进一步地，根据本技术的一个实施例，所述恒流电路包括：
[0020]第一三极管Q2，所述第一三极管Q2的集电极与所述隔离光耦的发光二极管的阴极端连接，所述第一三极管Q2发射极与第五电阻R7的一端连接，所述第五电阻R7的另一端与所述第二输入信号接口信号连接，所述第一三极管Q2的基极与通过第六电阻R5与所述第一输入信号接口信号连接；
[0021]第二三极管Q3，所述第二三极管Q3的集电极与所述第一三极管Q2的基极连接，所述第二三极管Q3的基极与所述第一三极管Q2的发射极连接，所述第二三极管Q3的发射极与所述第五电阻R7的所述另一端连接。
[0022]进一步地，根据本技术的一个实施例，所述可控硅控制电路还包括：
[0023]发光二极管D2，所述发光二极管D2的阳极与所述第一输入信号接口连接，所述发光二极管D2的阴极与所述第一三极管Q2的集电极连接。
[0024]进一步地，根据本技术的一个实施例，所述可控硅控制电路还包括：
[0025]二极管D1，所述第五电阻R7的所述另一端通过所述二极管D1与所述第二输入信号接口连接；其中，所述二极管D1的阳极与所述第五电阻R7的所述另一端连接，所述二极管D1的另一端与所述第二输入信号接口连接。
[0026]进一步地，根据本技术的一个实施例，所述隔离光耦包括：
[0027]光耦二极管，所述光耦二极管的阳极与所述隔离光耦第一输入信号端连接，所述光耦二极管的阴极与所述隔离光耦第二输入信号端连接；
[0028]第一光敏电阻，所述第一光敏电阻的阳极与所述隔离光耦的第一输出信号端连接，所述第一光敏电阻的阴极与所述隔离光耦的第二输出信号端连接；
[0029]第二光敏电阻，所述第二光敏电阻的阳极与所述隔离光耦的第二输出信号端连接，所述第二光敏电阻的阴极与所述隔离光耦的第一输出信号端连接。
[0030]本技术实施例提供的可控硅控制电路，通过隔离光耦的发光二极管的阳极端与所述第一输入信号接口信号连接，所述隔离光耦的发光二极管的阴极端与所述第二输入信号接口信号连接；双向可控硅的第一电极端与所述第一信号输出接口连接，所述双向可控硅的第二电极端与所述第二信号输出接口连接，所述双向可控硅的第二电极端还通过第一电阻R2与所述隔离光耦的第一输出端连接，所述隔离光耦的第二输出端与所述双向可控硅的受控端连接，所述双向可控硅的受控端还通过第二电阻R6与所述第一信号输出接口连接。这样，通过所述隔离光耦配合所述双向可控硅，以实现输出端不区分正负极性连线关系。使用更加方便，信号连接不容易出错。
附图说明
[0031]图1为本技术实施例提供的可控硅控制电路结构示意图；
[0032]本技术目的实现、功能特点及优点将结合实施例，参照附图做进一步说明。
具体实施方式
[0033]为了使本
的人员更好地理解本技术方案，下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本技术的
的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本技术的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本技术。
[0034]在本文中提及“实施例”意味着，结合实施例描述的特定特征、结构或特性可以包含在本技术的至少一个实施例中。在说明书中的各个位置出现该短语并不一定均是指相同的实施例，也不是与其它实施例互斥的独立的或备选的实施例。本领域技术人员显式地和隐式地理解的是，本文所描述的实施例可以与其它实施例相结合。
[0035]参阅图1，本技术实施例提供一种可控硅控制电路包括：第一输入信号接口P1、第二输入信号接口P2、第一信号输出接口P4、第二信号输出接口P5、隔离光耦P3和双向可控硅Q1，所述隔离光耦P3的发光二极管的阳极端与所述第一输入信号接口P1信号连接，所述隔离光耦P3的发光二极管的阳极端与所述第二输入信号接口P2信号连接；具体地，通过所述第二输入信号接口P2、第一信号输出接口P4可引入控制信号，控制信号通过所述隔离光耦P3对所述第一信号输出接口P4、第二信号输出接口P5的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种可控硅控制电路，其特征在于，包括：第一输入信号接口；第二输入信号接口；第一信号输出接口；第二信号输出接口；隔离光耦，所述隔离光耦的发光二极管的阳极端与所述第一输入信号接口信号连接，所述隔离光耦的发光二极管的阴极端与所述第二输入信号接口信号连接；双向可控硅，所述双向可控硅的第一电极端与所述第一信号输出接口连接，所述双向可控硅的第二电极端与所述第二信号输出接口连接，所述双向可控硅的第二电极端还通过第一电阻(R2)与所述隔离光耦的第一输出端连接，所述隔离光耦的第二输出端与所述双向可控硅的受控端连接，所述双向可控硅的受控端还通过第二电阻(R6)与所述第一信号输出接口连接。2.根据权利要求1所述的可控硅控制电路，其特征在于，还包括尖峰吸收电路，所述尖峰吸收电路包括：第三电阻(R3)，所述第三电阻(R3)的一端与所述第二信号输出接口连接；电容(C1)，所述电容(C1)的一端与所述第三电阻(R3)的另一端连接，所述电容(C1)的另一端与所述第一信号输出接口连接。3.根据权利要求1所述的可控硅控制电路，其特征在于，还包括：第四电阻(R4)，所述隔离光耦的发光二极管的阳极端通过所述第四电阻(R4)与所述第一输入信号接口连接；其中，所述第四电阻(R4)的一端与所述隔离光耦的发光二极管的阳极端连接，所述第四电阻(R4)的另一端与所述第一输入信号接口连接。4.根据权利要求3所述的可控硅控制电路，其特征在于，还包括：恒流电路，所述第一输入信号接口、第二输入信号接口通过所述恒流电路与所述隔离光耦的发光二极管端连接，以为所述隔离光耦的发光二极管端提供恒流发光驱动电源。5.根据权利要求4所述的可控硅控制电路，其特征在于，所述恒流电路包括：第一三极管(Q2)，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：莫伙伟，
申请(专利权)人：深圳市斯帕克电气有限公司，
类型：新型
国别省市：