等离子体处理装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供能够提高等离子体处理的均匀性的等离子体处理装置。本发明专利技术的等离子体处理装置包括腔室、窗部件、气体导入口和天线。腔室能够收纳基片。窗部件构成腔室的上部。气体导入口设置在腔室的侧壁和窗部件中的至少任一者上，用于向腔室内供给气体。天线隔着窗部件设置在腔室的上方，由导电性的材料形成为线状。天线能够通过向腔室内辐射RF电功率来使被供给至腔室内的气体等离子体化。天线具有第一线圈和多个第二线圈。能够向第一线圈供给RF电功率。多个第二线圈形成为相同形状，并且以第一线圈的中心轴线为中心，旋转对称地配置在第一线圈的周围。在各个第二线圈的一端各连接有1个可变电容器。1个可变电容器。1个可变电容器。

【技术实现步骤摘要】
等离子体处理装置


[0001]本专利技术的各个方面和实施方式涉及等离子体处理装置。

技术介绍

[0002]在等离子体处理中，处理的均匀性是提高成品率的重要因素。随着近年来的半导体器件的微细化的进展和半导体基片的大口径化，处理的均匀性越来越重要。下述的专利文献1中公开了通过在与基片相对的位置设置多个天线的线圈来控制腔室内的等离子体的分布的技术。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：日本特许第5227245号公报

技术实现思路

[0006]专利技术要解决的技术问题
[0007]本专利技术提供一种能够提高等离子体处理的均匀性的等离子体处理装置。
[0008]用于解决技术问题的手段
[0009]本专利技术的一个方面是一种等离子体处理装置，其包括腔室、窗部件、气体导入口和天线。腔室能够收纳基片。窗部件构成腔室的上部。气体导入口设置在腔室的侧壁和窗部件中的至少任一者上，用于向腔室内供给气体。天线隔着窗部件设置在腔室的上方，由导电性的材料形成为线状。天线能够通过向腔室内辐射RF(Radio Frequency：射频)电功率来使被供给至腔室内的气体等离子体化。天线具有第一线圈和多个第二线圈。能够向第一线圈供给RF电功率。多个第二线圈形成为相同形状，并且以第一线圈的中心轴线为中心，旋转对称地配置在第一线圈的周围。在各个第二线圈的一端各连接有1个可变电容器。
[0010]专利技术效果
[0011]采用本专利技术的各个方面和实施方式，能够提高等离子体处理的均匀性。
附图说明
[0012]图1是表示本专利技术的一个实施方式中的等离子体处理系统的一个例子的概略截面图。
[0013]图2是表示天线的形状和配置的一个例子的平面图。
[0014]图3是表示第二线圈的形状和配置的另一个例子的平面图。
[0015]图4是表示第二线圈的形状和配置的另一个例子的平面图。
[0016]图5是表示第二线圈的形状和配置的另一个例子的平面图。
[0017]图6是表示第二线圈的形状和配置的另一个例子的平面图。
[0018]图7是表示第一实施方式中的天线的电路结构的一个例子的连接图。
[0019]图8是表示第二实施方式中的天线的电路结构的一个例子的连接图。
[0020]图9是表示第三实施方式中的天线的电路结构的一个例子的连接图。
[0021]图10是表示第二线圈的端部与窗部件之间的距离的一个例子的图。
[0022]附图标记说明
[0023]X中心轴线，W基片，100等离子体处理系统，1等离子体处理装置，10等离子体处理腔室，10e气体排出口，10s等离子体处理空间，101窗部件，102侧壁，11基片支承部，111主体部，111a基片支承面，111b环支承面，1110基座，1110a流路，1111静电卡盘，1111a加热器，112环组件，13中央气体注入部，13a气体供给口，13b气体流路，13c气体导入口，20气体供给部，21气体源，22流量控制器，30电源，31RF电源，31a第一RF生成部，31b第二RF生成部，32DC电源，32a偏置DC生成部，40排气系统，50天线，51内侧线圈，51a线圈，51b线圈，510电容器，52外侧线圈，520端部，521端部，52a线圈，52b线圈，52c线圈，52d线圈，53a可变电容器，53b可变电容器，53c可变电容器，53d可变电容器，2控制部，2a计算机，2a1处理部，2a2存储部，2a3通信接口。
具体实施方式
[0024]下面，基于附图对本专利技术的等离子体处理装置的实施方式进行详细说明。此外，本专利技术的等离子体处理装置不受下面的实施方式限定。
[0025]本专利技术提供能够进一步提高等离子体处理的均匀性的技术。
[0026](第一实施方式)
[0027][等离子体处理系统100的结构][0028]下面，对等离子体处理系统100的结构例进行说明。图1是表示本专利技术的一个实施方式中的等离子体处理系统100的一个例子的概略截面图。等离子体处理系统100包括电感耦合型的等离子体处理装置1和控制部2。等离子体处理装置1包括等离子体处理腔室10、气体供给部20、电源30和排气系统40。等离子体处理腔室10包括构成等离子体处理腔室10的上部的窗部件101。在本实施方式中，窗部件101可以由例如石英或陶瓷等电介质构成。此外，窗部件101也可以由例如铝等金属(导电体)或者例如硅等半导体构成。另外，等离子体处理装置1包括基片支承部11、气体导入部、和天线50。基片支承部11配置在等离子体处理腔室10内。天线50隔着窗部件101设置在等离子体处理腔室10的上方，由铜等导电性的材料形成为线状。天线50以中心轴线X为中心，旋转对称地配置。“旋转对称”是对图形进行表征的对称性的一种，是在设n为2以上的整数的情况下，使图形绕某个中心旋转(360/n)
°
时与自身的图形重叠的性质。天线50能够通过向等离子体处理腔室10内辐射RF电功率来使被供给至等离子体处理腔室10内的气体等离子体化。等离子体处理腔室10具有由窗部件101、等离子体处理腔室10的侧壁102和基片支承部11规定的等离子体处理空间10s。等离子体处理腔室10具有：用于向等离子体处理空间10s供给至少一种处理气体的至少一个气体供给口；和用于从等离子体处理空间排出气体的至少一个气体排出口。
[0029]基片支承部11包括主体部111和环组件112。主体部111具有：用于支承基片W的中央区域即基片支承面111a；和用于支承环组件112的环状区域即环支承面111b。基片W有时也被称为晶片。主体部111的环支承面111b在俯视时包围主体部111的基片支承面111a。基片W配置在主体部111的基片支承面111a上，环组件112以包围主体部111的基片支承面111a上的基片W的方式配置在主体部111的环支承面111b上。
[0030]在一个实施方式中，主体部111包括基座1110和静电卡盘1111。基座包含导电性部件。基座1110的导电性部件能够作为下部电极发挥作用。静电卡盘1111配置在基座1110上。静电卡盘1111的上表面是基片支承面111a。环组件112包括一个或多个环状部件。一个或多个环状部件中的至少一个是边缘环。另外，虽然省略了图示，但是基片支承部11可以包括用于将静电卡盘1111、环组件112和基片W中的至少一者调节为目标温度的温度调节模块。温度调节模块可以包括加热器1111a、传热介质、流路1110a或者它们的组合。可以在流路1110a中流动盐水或气体那样的传热流体。另外，基片支承部11可以包括用于向基片W的背面与基片支承面111a之间供给传热气体的传热气体供给部。
[0031]气体导入部能够将来自气体供给部20的至少一种处理气体导入到等离子体处理空间10s内。在一个实施方式中，气体导入部包括中央气体注入部(CGI：Center Gas Injector)本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种等离子体处理装置，其特征在于，包括：能够收纳基片的腔室；构成所述腔室的上部的窗部件；设置在所述腔室的侧壁和所述窗部件中的至少任一者上的、用于向所述腔室内供给气体的气体导入口；和隔着所述窗部件设置在所述腔室的上方的、由导电性的材料形成为线状的天线，其能够通过向所述腔室内辐射RF电功率来使被供给至所述腔室内的气体等离子体化，所述天线具有：第一线圈，能够向该第一线圈供给RF电功率；和形成为相同形状的多个第二线圈，其以所述第一线圈的中心轴线为中心，旋转对称地配置在所述第一线圈的周围，在各个所述第二线圈的一端各连接有1个可变电容器。2.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：各个所述第二线圈的另一端被接地，各个所述可变电容器的一端与所述第二线圈的一端连接，各个所述可变电容器的另一端被接地。3.如要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：各个所述第二线圈的另一端经由电容器被接地，各个所述可变电容器的一端与所述第二线圈的一端连接，各个所述可变电容器的另一端被接地。4.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：各个所述第二线...

【专利技术属性】
技术研发人员：山泽阳平，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：