【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于复合半导体材料
,具体涉及一种纳米金属硫化物复合半导体 光催化材料的制备方法。 背录技术金属硫化物半导体纳米材料(ZnS、 CdS)具有优良的光电性质,在太阳能电池、 光催化以及传感器件等领域具有潜在的应用优势,因而受到广泛关注。近年来的研究 表明,复合半导体(主要是二元半导体)表现出髙于单一半导体的光电性质,有些还 可使激发光波长扩展到可见光范围,因而纳米复合半导体材料的合成方法、性能协同 优化成为当前半导体材料研究的热点。目前可以制备ZnS/CdS复合半导体纳米材料的方法很多,如水热法、微乳液法、原 位法等,每种制备方法都有各自的优缺点。水热法(TongRen, Zhibin Lci, Guoyou Luan, Guoqing Jia, Jing Zhang, Rui Yu, Can Li, 7 //7 5W/V,〃瓜s . ^ft7ft ,i/. ,.效-〃f) 可制得晶粒尺寸可调的复合硫化物,但是无法实现粒子的均匀分散。微乳液法 (Alexandre R. Loukanov, Ceco D, Dushkin, Karolina I ...
【技术保护点】
一种纳米金属硫化物复合半导体光催化材料的制备方法,其特征在于:制备步骤为: a配置可溶性二价金属硝酸盐、三价金属硝酸盐以及磺酸盐的混合溶液,其中二价、三价金属阳离子摩尔比为M↑[2+]/M↑[3+]=2~4,配制浓度为0.5~4.0mol/L的NaOH或KOH碱溶液; b将步骤A配制的碱溶液滴加到步骤a配制的混合盐溶液中,至pH为6~10,在室温条件下晶化2~24h,产物用去CO↓[2]水充分洗涤、离心,真空室温干燥,得到磺酸盐插层的LDHs; c将步骤b制得的磺酸盐插层的LDHs置于反应装置中,在60℃~150℃下,通入H↓[2]S气体10~200min ...
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:张法智,鲁瑞娟,徐新,徐赛龙,段雪,
申请(专利权)人:北京化工大学,
类型:发明
国别省市:11[中国|北京]
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