一种等离子体发生装置、晶圆处理设备制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种等离子体发生装置，包括：通道，所述通道包含上游区和下游区，通道的两端分别设置有进气口和排气口，所述进气口用于通入工艺气体，所述排气口用于将工艺气体排出，所述上游区靠近所述进气口，所述下游区靠近所述排气口；磁芯，用于将通入所述通道内的所述工艺气体形成等离子体，其中至少一磁芯环绕上游区设置，以及至少一磁芯环绕下游区设置；所述磁芯在上游区产生的磁通小于在下游区产生的磁通，在磁通影响下，使得上游区和下游区的等离子体分布均匀。本发明专利技术提出的等离子体发生装置产生的等离子体浓度均匀且稳定。发生装置产生的等离子体浓度均匀且稳定。发生装置产生的等离子体浓度均匀且稳定。

【技术实现步骤摘要】
一种等离子体发生装置、晶圆处理设备


[0001]本专利技术涉及半导体制造领域，具体涉及一种等离子体发生装置、晶圆处理设备。

技术介绍

[0002]等离子体在半导体制造领域具有很广的应用，等离子体的产生受到多种条件影响，比如射频放电、磁场、容纳等离子体的通道等。
[0003]在远程等离子体发生装置中，其通道中的气体温度、气体成分、电离率和等离子体阻抗沿通道路径不是恒定的，且分布不均匀，进而导致沿该通道的等离子体分布不均匀。一方面会造成不同位置对通道内壁侵蚀度不一致，降低通道使用寿命；另一方面会造成进入工艺腔内的等离子体的不稳定性。
[0004]为了半导体工艺的稳定性，迫切需要提高等离子体的稳定性，以及降低等离子体对通道的腐蚀。

技术实现思路

[0005]为了达到上述目的，本专利技术提出了一种等离子体发生装置，包括：通道，所述通道包含上游区和下游区，通道的两端分别设置有进气口和排气口，所述进气口用于通入工艺气体，所述排气口用于将工艺气体排出，所述上游区靠近所述进气口，所述下游区靠近所述排气口；r/>[0006]磁本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种等离子体发生装置，其特征在于，包括：通道，所述通道包含上游区和下游区，通道的两端分别设置有进气口和排气口，所述进气口用于通入工艺气体，所述排气口用于将工艺气体排出，所述上游区靠近所述进气口，所述下游区靠近所述排气口；磁芯，用于将通入所述通道内的所述工艺气体形成等离子体，其中至少一磁芯环绕上游区设置，以及至少一磁芯环绕下游区设置；所述磁芯在上游区产生的磁通小于在下游区产生的磁通，在磁通影响下，使得上游区和下游区的等离子体分布均匀。2.如权利要求1所述的等离子体发生装置，其特征在于，所述通道为六边形，所述工艺气体从所述进气口进入所述通道后，被分成两路，两路工艺气体所经通道的路径相同。3.如权利要求2所述的等离子体发生装置，其特征在于，所述磁芯沿通道的轴向间隔设置。4.如权利要求1所述的等离子体发生装置，其特征在于，设置在所述上游区的所述磁芯的截面直径大于设置在所述下游区的所述磁芯的截面直径。5.如权利要求1所述的等离子体发生装置，其特征在于，沿所述上游区至下游区方向所述磁芯的截面直径依次递减，使得沿上游区至下游区方向磁芯在通道附近产生的磁通依次递增。6.如权利要求1所述的等离子体发生装置，其特征在于，所述上游区的磁芯的线圈的匝数小于下游区的磁芯的线圈的匝数。7.如权利要求1所述的等离子体发生装置，其特征在于，沿上游区至下游区方向所述磁芯的线圈的匝数依次递增，使得沿上游区至下游区方向磁芯在通道附近产生的磁通依次递增。8....

【专利技术属性】
技术研发人员：崔强，
申请(专利权)人：江苏天芯微半导体设备有限公司，
类型：发明
国别省市：