一种陶瓷封装结构及加速度传感器制造技术

本实用新型专利技术提供了一种陶瓷封装结构及加速度传感器，所述封装结构包括：第一陶瓷基片，所述第一陶瓷基片用于安装外部元件；第二陶瓷基片，所述第二陶瓷基片设置在所述第一陶瓷基片和第三陶瓷基片的中间；第三陶瓷基片，所述第三陶瓷基片还与外部电源相连。通过设置第一陶瓷基片、第二陶瓷基片和第三陶瓷基片，将陶瓷基片直接作为封装外壳，无需采用基板安装，大大节约了空间，可以使封装做得更小，能够满足高集成度和复杂程度的需求同时实现电路小体积、低功耗、低寄生阻抗和强抗干扰性能；陶瓷基片本身具有良好的散热性，在温度和大幅波动的恶劣环境中仍能正常工作。的恶劣环境中仍能正常工作。的恶劣环境中仍能正常工作。

【技术实现步骤摘要】
一种陶瓷封装结构及加速度传感器


[0001]本技术涉及半导体
，尤其涉及一种陶瓷封装结构及加速度传感器。

技术介绍

[0002]在半导体集成电路领域，封装作为保护与支撑芯片的载体，实现芯片与其它器件稳定的电器连接。在半导体封装向着多功能和高集成度方向发展的同时，封装体本身寄生参数对电路信号的传输、放大和散热功能起决定性作用。SiP技术作为先进的封装技术孕育而生，它以芯片为核心，将多个芯片与被动元件整合在一个封装中，通过芯片、系统与工艺的协同设计，形成一个完整的电子系统。
[0003]现有技术中，采用的SiP封装的结构为：将芯片或无源器件设置在基板上，再通过在简易的外壳上设计台阶键合指将基板封装起来；然而这种封装结构当集成较多分离元器件时会导致散热性不好，且需要占用较大的空间。

技术实现思路

[0004]针对现有技术中所存在的不足，本技术提供了一种陶瓷封装结构及加速度传感器，其解决了现有技术中存在的封装结构当集成较多分离元器件时会导致散热性不好，且需要占用较大的空间的问题。
[0005]第一方面，本技术提供一种陶瓷封装结构，所述封装结构包括：第一陶瓷基片，所述第一陶瓷基片用于安装外部元件；第二陶瓷基片，所述第二陶瓷基片设置在所述第一陶瓷基片和第三陶瓷基片的中间；第三陶瓷基片，所述第三陶瓷基片还与外部电源相连；其中，所述第一陶瓷基片、第二陶瓷基片和第三陶瓷基片依次从上到下形成垂直分布结构。
[0006]可选地，所述第一陶瓷基片上表面形成开口向上的腔体，所述外部元件安装在所述腔体内。
[0007]可选地，所述封装结构还包括：封口环，所述封口环设置在所述第一陶瓷基片的腔体边缘上。
[0008]可选地，所述陶瓷封装结构还包括：T型盖板，所述T型盖板安装在所述封口环上。
[0009]可选地，所述封口环或T型盖板采用的材料包括可伐合金。
[0010]可选地，所述陶瓷封装结构还包括：焊盘，所述焊盘设于所述第三陶瓷基片底部；焊柱，所述焊柱与所述焊盘相连；焊环，所述焊环靠近所述焊盘一端穿设于所述焊柱上。
[0011]可选地，每层所述陶瓷基片上设有盲孔、埋孔或通孔；所述盲孔、所述埋孔或所述通孔内填充有掺有氧化铝粉的钨浆料。
[0012]可选地，每层所述陶瓷基片上设有传输线，所述传输线的材质为钨浆。
[0013]第二方面，本技术提供一种加速度传感器，包括上述陶瓷封装结构，所述加速度传感器还包括：滤波器、运放模块、电源芯片和/或基准模块；所述滤波器、运放模块、电源芯片和/或基准模块分别设置在所述第一陶瓷基片上。
[0014]可选地，所述滤波器为巴特沃斯滤波器，所述巴特沃斯滤波器包括：运放控制器、
第一阶滤波电路、第二阶滤波电路、第三阶滤波电路和第四阶滤波电路；所述第一阶滤波电路用于接收外部信号，还与所述运放控制器相连；所述第二阶滤波电路和第三阶滤波电路分别与所述运放控制器相连；所述第四阶滤波电路分别与所述运放控制器和目标滤波信号接收端相连；每阶所述滤波电路包括：第一电阻、第二电阻、第一电容和第二电容；所述第一电阻的第一端用于接收目标被滤波信号，所述第一电阻的第二端分别与所述第一电容的第一端和所述第二电阻的第一端相连；所述第二电阻的第二端分别与所述第二电容的第一端和所述运放控制器相连；所述第一电容的第二端与所述运放控制器相连；所述第二电容的第二端接地。
[0015]相比于现有技术，本技术具有如下有益效果：
[0016]在现有技术中，通常将芯片或无源器件设置在基板上，再在简易的外壳上设计台阶键合指将基板封装起来，这样采用简易外壳将基板封装将会占用较大的体积；而专利技术中通过设置第一陶瓷基片、第二陶瓷基片和第三陶瓷基片，将陶瓷基片直接作为封装外壳，无需采用基板安装，大大节约了空间，可以使封装做得更小，能够满足高集成度和复杂程度的需求同时实现电路小体积、低功耗、低寄生阻抗和强抗干扰性能；陶瓷基片本身具有良好的散热性，在温度和大幅波动的恶劣环境中仍能正常工作。
附图说明
[0017]图1为本技术实施例提供的一种陶瓷封装结构的截面正视图；
[0018]图2为本技术实施例提供的一种陶瓷封装结构的截面左视图；
[0019]图3为本技术实施例提供的一种陶瓷封装结构的仰视图；
[0020]图4为本技术实施例提供的一种陶瓷封装结构的正视图；
[0021]图5为本技术实施例提供的一种陶瓷封装结构的左视图；
[0022]图6为本技术实施例提供的一种带陶瓷封装结构的加速度传感器的截面俯视图；
[0023]图7为本技术实施例提供的一种巴特沃斯滤波器的电路图。
具体实施方式
[0024]下面结合附图及实施例对本技术中的技术方案进一步说明。
[0025]图1为本技术实施例提供的一种陶瓷封装结构的主视图，图2为本技术实施例提供的一种陶瓷封装结构的左视图，如图1和图2所示，所述封装结构包括：
[0026]第一陶瓷基片1，所述第一陶瓷基片1用于安装外部元件；
[0027]第二陶瓷基片2，所述第二陶瓷基片2设置在所述第一陶瓷基片1和第三陶瓷基片3的中间；
[0028]第三陶瓷基片3，所述第三陶瓷基片3还与外部电源相连；
[0029]其中，所述第一陶瓷基片1、第二陶瓷基片2和第三陶瓷基片3依次从上到下形成垂直分布结构。
[0030]需要说明的是，所述第一陶瓷基片1用于安装外部元件，所述第二陶瓷基片2用于信号传输，所述第三陶瓷基片3用于信号传输以及接收外部电源提供的电能。在现有技术中，通常将芯片或无源器件设置在基板上，再在简易的外壳上设计台阶键合指将基板封装
起来，这样采用简易外壳将基板封装将会占用较大的体积；而本实施例中通过设置第一陶瓷基片1、第二陶瓷基片2和第三陶瓷基片3，将陶瓷基片直接作为封装外壳，无需采用基板安装，大大节约了空间，可以使封装做得更小，能够满足高集成度和复杂程度的需求同时实现电路小体积、低功耗、低寄生阻抗和强抗干扰性能；陶瓷基片本身具有良好的散热性，在温度和大幅波动的恶劣环境中仍能正常工作。
[0031]在本实施例中，所述第一陶瓷基片1上表面形成开口向上的腔体，所述外部元件安装在所述腔体内；每层所述陶瓷基片上设有传输线，所述传输线的材质为钨浆。相连传输线间走线相距0.10mm
‑
0.20mm，可有效降低耦合产生的串扰，采用平滑的135
°
通路，在焊盘8与导线相交处，平滑的泪滴型走线方式，减少反射导致的能量损失。
[0032]需要说明的是，传输线印刷在第一陶瓷基片1的表面上，其阻抗为2.08
×
106S/m，钨浆中钨粉含量为70％
‑
90％。
[0033]如图1和图2所示，每层所述陶瓷基片上设有盲孔、埋孔或通孔；所述盲孔、所述埋孔或所述通孔内填充有掺有氧化铝粉的钨浆料。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种陶瓷封装结构，其特征在于，所述封装结构包括：第一陶瓷基片，所述第一陶瓷基片用于安装外部元件；第二陶瓷基片，所述第二陶瓷基片设置在所述第一陶瓷基片和第三陶瓷基片的中间；第三陶瓷基片，所述第三陶瓷基片还与外部电源相连；其中，所述第一陶瓷基片、第二陶瓷基片和第三陶瓷基片依次从上到下形成垂直分布结构。2.如权利要求1所述的一种陶瓷封装结构，其特征在于，所述第一陶瓷基片上表面形成开口向上的腔体，所述外部元件安装在所述腔体内。3.如权利要求2所述的一种陶瓷封装结构，其特征在于，所述封装结构还包括：封口环，所述封口环设置在所述第一陶瓷基片的腔体边缘上。4.如权利要求3所述的一种陶瓷封装结构，其特征在于，所述陶瓷封装结构还包括：T型盖板，所述T型盖板安装在所述封口环上。5.如权利要求3所述的一种陶瓷封装结构，其特征在于，所述封口环或T型盖板采用的材料包括可伐合金。6.如权利要求1所述的一种陶瓷封装结构，其特征在于，所述陶瓷封装结构还包括：焊盘，所述焊盘设于所述第三陶瓷基片底部；焊柱，所述焊柱与所述焊盘相连；焊环，所述焊环靠近所述焊盘一端穿设于所述焊柱上。7.如权利要求1所述的一种陶瓷封装结构，其特征在于，每层所述陶瓷基片上设有盲孔、埋孔或通孔...

【专利技术属性】
技术研发人员：潘琴，尹灿，甘贤鹏，万启波，陈媛，任春桥，
申请(专利权)人：贵州振华风光半导体股份有限公司，
类型：新型
国别省市：