一种再生硅片WaferID信息收集装置及收集工艺制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种再生硅片Wafer ID信息收集装置及收集工艺，包括支撑底座，所述支撑底座上端安装有用于放置硅片的承载装置，所述承载装置一侧设置有检测装置，所述承载装置包括承载底座以及盖体，所述承载底座以及盖体时间形成容纳区间，所述容纳区间内部转动连接有用于吸附硅片的吸附平台，所述承载装置内部设置有电控装置用于驱动吸附平台定向转动，所述承载装置位于靠近检测装置一侧开有观察窗，相对一侧开有上料开口。本发明专利技术其能够提高对硅片信息录入的准确性，并且防止污染源扩散于检测的一侧。的一侧。的一侧。

【技术实现步骤摘要】
一种再生硅片Wafer ID信息收集装置及收集工艺


[0001]本专利技术涉及硅片检测
，尤其涉及一种再生硅片Wafer ID信息收集装置及收集工艺。

技术介绍

[0002]随着集成电路的发展，晶圆表面处理工艺越来越复杂，使用的成分也越来越广，目前半导体制造中的晶圆表面大致可以分成Baer，氧化，氮化，Poly，金属，有机膜(阻抗)，Pattern膜 ，Higk
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K等面状态，加工路线目前也进行铜与非铜线进行区分，如何对这些状态进行分类，分选在再生行业尤为重要。半导体厂常用一类测试片来模拟真实的产品，检测设备及工艺运行是否正常，这一类测试片通过不同流程以及多次使用后表面沾污、损伤使硅片无法再使用，为了降低成本，将这一类测试片回收后进行一定的工艺处理达到合格标准，再在半导体厂循环使用，这就是晶圆再生过程。
[0003]目前Wafer ID进行收集是放在分膜后，产品需要经过测量机台测量晶圆来料参数的同时进行Wafer ID收集，但是产品已经进入机台和净空房，我们无法有效拦截带有污染片源（铜），其携带的污染物质在检测的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种再生硅片Wafer ID信息收集装置，包括支撑底座（100），所述支撑底座（100）上端安装有用于放置硅片（800）的承载装置（200），所述承载装置（200）一侧设置有检测装置（300），其特征在于：所述承载装置（200）包括承载底座（210）以及盖体（220），所述承载底座（210）以及盖体（220）时间形成容纳区间，所述容纳区间内部转动连接有用于吸附硅片（800）的吸附平台（211），所述承载装置（200）内部设置有电控装置用于驱动吸附平台（211）定向转动，所述承载装置（200）位于靠近检测装置（300）一侧开有观察窗（230），相对一侧开有上料开口，所述上料开口一侧设置有上料装置（400），所述上料装置（400）末端设置有与上料开口尺寸相适配的密封挡板（500）,所述观察窗（230）一侧设置有出气孔（213），所述密封挡板（500）侧壁设置有吸气接头（510）。2.根据权利要求1所述的一种再生硅片Wafer ID信息收集装置，其特征在于，所述吸气接头（510）竖直位置与吸附平台（211）竖直位置相对应，所述出气孔（213）为多个且沿着观察窗（230）长度方向线性分布，所述出气孔（213）与吸气接头（510）之间形成穿过硅片（800）的循环风。3.根据权利要求1所述的一种再生硅片Wafer ID信息收集装置，其特征在于，所述上料装置（400）包括上料底座，所述上料底座表面设置有转动关节（410），所述转动关节（410）末端设置有升降关节（420），所述升降关节（420）的升降末端固定连接有转运手（430），所述密封挡板（500）与转运手（430）固定连接。4.根据权利要求3所述的一种再生硅片Wafer ID信息收集装置，其特征在于，所述承载底座（210）底端设置有与转运手（430）相适配的下沉区域（212），所述密封挡板（500）与承载装置（200）之间设置有用于检测位置的感应装置（700）。5.根据权利要求1所述的一种再生硅片Wafer ID信息收集装置，其特征在于，所述承载装置（200）内部设置有清理装置（600），所述清理装置（600）包括清理末端（630），通过控制清理末端（630）处于预定位置以实现对硅片（800）边缘部分的连续清洁。6.根据权利要求5...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡文星，吴伟，
申请(专利权)人：安徽富乐德长江半导体材料股份有限公司，
类型：发明
国别省市：