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本发明公开了一种再生硅片Wafer ID信息收集装置及收集工艺,包括支撑底座,所述支撑底座上端安装有用于放置硅片的承载装置,所述承载装置一侧设置有检测装置,所述承载装置包括承载底座以及盖体,所述承载底座以及盖体时间形成容纳区间,所述容纳区间...该专利属于安徽富乐德长江半导体材料股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过安徽富乐德长江半导体材料股份有限公司授权不得商用。
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本发明公开了一种再生硅片Wafer ID信息收集装置及收集工艺,包括支撑底座,所述支撑底座上端安装有用于放置硅片的承载装置,所述承载装置一侧设置有检测装置,所述承载装置包括承载底座以及盖体,所述承载底座以及盖体时间形成容纳区间,所述容纳区间...