一种紧凑型马赫泽德调制器芯片制造技术

本公开涉及光通信技术领域，尤其涉及一种紧凑型马赫泽德调制器芯片。其中，该芯片包括：光波导结构，光波导结构构成马赫泽德干涉仪，马赫泽德干涉仪包括两个调制臂，每个调制臂均包括波导布拉格光栅；两个集总式高频电极，集总式高频电极一一对应设置在波导布拉格光栅的上方，且集总式高频电极接触并覆盖波导布拉格光栅。采用本公开可以减小芯片尺寸，提高调制器芯片集成度，降低半波电压，提高调制效率，且降低光插入损耗和光传输损耗。且降低光插入损耗和光传输损耗。且降低光插入损耗和光传输损耗。

【技术实现步骤摘要】
一种紧凑型马赫泽德调制器芯片


[0001]本公开涉及光通信
，尤其涉及一种紧凑型马赫泽德调制器芯片。

技术介绍

[0002]随着科学技术的发展，光模块的需求呈现出快速增长的趋势。与基于分立元件的传统光模块相比，光子集成芯片以其封装成本低、体积小、功耗低等优势在光模块领域占据主导地位。在光收发模块中，电光调制器芯片对电
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光信号的转换起到重要的作用。
[0003]相关技术中，马赫泽德调制器因其带宽大、啁啾小、温度不敏感等特性成为光模块首选方案，然而，传统的马赫泽德调制器芯片为了降低半波电压多采用较长的相位区，从而导致芯片尺寸较大，光插入损耗、微波损耗较高。

技术实现思路

[0004]本公开提供了一种紧凑型马赫泽德调制器芯片，主要目的在于减小芯片尺寸，提高调制器芯片集成度，降低半波电压，提高调制效率，且降低光插入损耗和光传输损耗。
[0005]根据本公开的一方面，提供了一种紧凑型马赫泽德调制器芯片，包括：
[0006]光波导结构，所述光波导结构构成马赫泽德干涉仪，所述马赫泽德干涉仪包括本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种紧凑型马赫泽德调制器芯片，其特征在于，包括：光波导结构，所述光波导结构构成马赫泽德干涉仪，所述马赫泽德干涉仪包括两个调制臂，每个所述调制臂均包括波导布拉格光栅；两个集总式高频电极，所述集总式高频电极一一对应设置在所述波导布拉格光栅的上方，且所述集总式高频电极接触并覆盖所述波导布拉格光栅。2.根据权利要求1所述的紧凑型马赫泽德调制器芯片，其特征在于，所述紧凑型马赫泽德调制器芯片的电光调制效率由所述波导布拉格光栅对应的光栅参数确定，其中，所述光栅参数包括以下至少一种：波导侧壁幅度；光栅周期。3.根据权利要求1所述的紧凑型马赫泽德调制器芯片，其特征在于，所述光波导结构采用三五族化合物材料。4.根据权利要求3所述的紧凑型马赫泽德调制器芯片，其特征在于，所述三五族化合物材料包括磷化铟、砷化镓、铟镓砷、铝镓砷、铟铝砷、铟镓砷磷、铝镓铟砷。5.根据权利要求3所述的紧凑型马赫泽德调制器芯片，其特征在于，所述光波导结构对应的外延层结构包括上覆盖层、本征层、下覆盖层；其中，所述本征层包括多量子阱区，所述本征层位于所述上覆盖层和所述下覆盖层之间；所述本征层采用不掺杂的三五族化合物材料，所述上覆盖层和所述下覆盖层采用掺杂的三五族化合物材料。6.根据权利要求5所述的紧凑型马赫泽德调制器芯片，其特征在于，所述紧凑型马赫泽德调制器芯片还包括低频电极；其中，所述低频电极与所述下覆盖层连接；所述集总式高频电极一一对应设置在所述波导布拉格光栅对应的上覆...

【专利技术属性】
技术研发人员：姚偌云，彭张皖，徐廷廷，熊婉姝，吉晨，
申请(专利权)人：之江实验室，
类型：发明
国别省市：