【技术实现步骤摘要】
一种晶片生产夹具
[0001]本技术涉及夹具领域,更具体地,涉及一种晶片生产夹具。
技术介绍
[0002]随着芯片的快速发展,半导体元器件的制造也成为了需求快速膨胀的行业。而石英晶体谐振器简称为石英晶体或晶体、晶振,作为为电路中提供稳定的时间频率信号让半导体元器件可以统一工作的必要产品,其制造工艺要求颇高。晶振是利用石英晶体的压电效应制成的一种谐振器件,它的基本构成是从一块石英晶体上按一定方位角切下薄片(该薄片简称为晶片,它可以是正方形、矩形或圆形等),在它的两个对应面上涂敷银层作为电极,在每个电极上各焊一根引线接到管脚上,再加上封装外壳就构成了晶振。由于石英晶体是离子型的晶体,是结晶点阵的有规则分布,当其发生机械变形时,例如拉伸或压缩时能产生电极化现象,成为压电现象。石英晶体压电效应的固有频率不仅取决于其几何尺寸,切割类型,而且还取决于晶片的厚度,当晶片上镀了某种膜层,使晶片的厚度增大,则晶片的固有频率会相应的衰减,石英晶体的这个效应是质量负荷效应。
[0003]现有技术中为了实现晶片的精准镀膜,需要工人借助手工持 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种晶片生产夹具,包括上夹板(100)、中间板(200)和下夹板(300),所述中间板(200)被夹持于上夹板(100)和下夹板(300)之间,其特征在于,所述中间板(200)上开设有容纳晶片的晶片腔(230)和若干分布于晶片腔(230)周围且连通晶片腔(230)的中间导通腔,所述中间导通腔包括第一类中间导通腔(210)和第二类中间导通腔(220);所述上夹板(100)上开设有用于电镀形成上电极片的上电极腔(110)和与上电极腔(110)分隔设置的上导通腔(120),上导通腔(120)与第二类中间导通腔(220)相对应;所述下夹板(300)上开设有用于电镀形成下电极片的下电极腔(310)和与下电极腔(310)分隔设置的下导通腔(320),下导通腔(320)与第一类中间导通腔(210)相对应;所述上电极腔(110)的至少一部分与所述第一类中间导通腔(210)和下导通腔(320)连通形成上下通道(410);所述下电极腔(310)的至少一部分与所述第二类中间导通腔(220)和上导通腔(120)连通形成下上通道(420)。2.根据权利要求1所述的晶片生产夹具,其特征在于,所述上电极腔(110)包括上主腔(111)和与上主腔(111)连通的上延伸腔(112),所述上主腔(111)面积小于所述晶片腔(230),所述中间板(200)被夹持于上夹板(100)和下夹板(300)之间,所述上主腔(111)不超出所述晶片腔(230),所述上延伸腔(112)与所述第一类中间导通腔(210)和下导通腔(320)连通形成上下通道(410);所述下电极腔(310)包括下主腔(311)和与下主腔(311)连通的下延伸腔(312),所述下主腔(311)面积小于所述晶片腔(230),所述中间板(200)被夹持于上夹板(100)和下夹板(300)之间,所述下主腔(311)不超出所述晶片腔(230),所述下延伸腔(312)与所述第二类中间导通腔(220)和上导通腔(120)连通形成下上通道(420)。3.根据权利要求2所述的晶片生产夹具,其特征在于,所述上延伸腔(112)、第一类中间导通腔(210)和下导通腔(320)部分外轮廓上下重叠,形成具有相同横截面的上下通道(410);所述下延伸腔(312)、第二类中间导通腔(220)和上导通腔(120)部分外轮廓上下重叠,形成具有相同横截面的下上通道(420)。4.根据权利要求2所述的晶片生产夹具,其特征在于,所述上主腔(111)或下主腔(311)面积占晶片腔(230)面积的1/2
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9/10。5.根据权利要求2所述的晶片生产夹具,其特征在于,所述上主腔(111)和下主腔(311)边缘不与晶片腔(230)边缘重合。6.根据权利要求1所述的晶片生产夹具,其特征在于,所述上电极腔(110)和上导通腔(120),与下电极腔(310)和下导通腔(320)形状与布局相同,方向相反或对称。7.根据权利要求2
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5任一项所述的晶片生产夹具,其特征在于,所述晶片腔(230)和中间导通腔呈矩形,所述中间导通腔包括四个、对称分布于晶片腔(230)的四个角,并与晶片腔(230)部分重叠,所述重叠部分的面积占中间导通腔面积的1/4
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1/2;所述上主腔(111)和下主腔(311),上导通腔(120)和下导通腔(320)呈矩形,所述上导通腔(120)和下导通腔(320)面积与中间导通腔相同且对应;
所述上延伸腔(112)呈L型,包括连通上主腔(111)的竖直部和横向部,所述横向部面积与中间导通腔相同且对应;...
【专利技术属性】
技术研发人员:欧阳华,欧阳晟,陈伟文,陈炀,
申请(专利权)人:广州晶优电子科技有限公司,
类型:新型
国别省市:
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