【技术实现步骤摘要】
一种基于氮化铝压电薄膜的双模谐振器及双通带滤波器
[0001]本申请属于射频MEMS器件领域，涉及一种基于氮化铝压电薄膜的双模谐振器及双通带滤波器。
技术介绍
[0002]近年来，随着5G无线通信技术的飞速发展，小型化集成化成为射频(RF)前端研究的一个重要方向。射频滤波器是无线通信系统的核心部件之一，选用小型化集成化的射频滤波器芯片有利于减小射频前端的体积和器件的能量损耗。谐振器作为滤波器的核心部件，其工作频率直接决定了滤波器通带的中心频率，品质因数(Q值)决定了滤波器的插入损耗，有效机电耦合系数(k
2eff
)则决定了滤波器的通带宽度。基于AlN材料的压电谐振器具备较高的Q值和k
2eff
，是构成滤波器的优良选择。通常，减少串、并联谐振器的数量是直接减小滤波器芯片体积的有效方法，但这会引起滤波器性能的衰减。使用多模谐振器级联构成具有多个通带的声学滤波器可以降低射频前端所需滤波器的数量，并且不会对滤波性能造成较大影响，因而在现有的WiFi2.4G和n77频段的射频前端中极具应用前景。
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种基于氮化铝压电薄膜的双模谐振器，其特征在于，所述双模谐振器具有第一区域和第二区域，所述第一区域包括从上至下依次设置的第一顶部叉指电极、第一压电振动结构和第一底部叉指电极；所述第二区域均包括从上至下依次设置的第二顶部叉指电极、第二压电振动结构和第二底部叉指电极，所述第二顶部叉指电极、第二压电振动结构和第二底部叉指电极的厚度均小于所述第一顶部叉指电极、第一压电振动结构和第一底部叉指电极，所述第一压电振动结构和所述第二压电振动结构均为掺钪氮化铝薄膜，所述第一区域与所述第二区域连接部分通过刻蚀声学隔绝槽来实现。2.根据权利要求1所述的双模谐振器，其特征在于，所述第一顶部叉指电极、所述第二顶部叉指电极、所述第一底部叉指电极和所述第二底部叉指电极的材料选用钼。3.根据权利要求1所述的双模谐振器，其特征在于，所述掺钪氮化铝薄膜的掺钪浓度为40％。4.根据权利要求1所述的双模谐振器，其特征在于，所述第一压电振动结构的厚度为540nm
‑
580nm，所述第一顶部叉指电极的厚度为140nm
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180nm...
【专利技术属性】
技术研发人员：赵继聪，马迅言，吕世涛，孙泽鑫，党岩盟，孙海燕，
申请(专利权)人：南通大学，
类型：发明
国别省市：
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