一种滤波器、通信设备及其制造方法技术

本公开涉及一种滤波器、通信设备及其制造方法，以谐振频率最高的谐振器的上或下电极厚度作为基准电极厚度，其它谐振器在基准电极厚度的基础上具有不同厚度的质量负载结构，以最厚的质量负载结构厚度作为基准厚度；包括：形成与所述谐振器对应的声波反射区域；在其上形成压电层；在所述压电层上或下形成所述谐振器的功能复合层；所述功能复合层至少包括一上或下电极及设置在其上方的框架结构，所述框架结构包括凸起结构和凹陷结构；所述功能复合层的工序包括：形成一导电材料层，所述导电材料层的厚度为凸起结构厚度以及质量负载结构基准厚度和上或下电极基准厚度的总和，以所述导电材料层的上表面为起始面，向下图形化以形成所述功能复合层。述功能复合层。述功能复合层。

【技术实现步骤摘要】
一种滤波器、通信设备及其制造方法


[0001]本公开内容涉及一种通信设备及其制造方法，更具体而言，涉及一种带有滤波器的通信设备及其制造方法。

技术介绍

[0002]现有技术中，薄膜体声波谐振器（FBAR）更适合于便携式通信装置，其与标准的集成制造技术兼容。薄膜体声波谐振器（FBAR）通常结构为包括夹在两个电极之间的压电层，然后将该结构置于在输入电信号施加在两个平板电极之间的情况下，逆向压电效应使得所述压电层由于压电材料的极化而机械地膨胀或收缩。 随着输入电信号随时间变化，所述压电层的膨胀和收缩产生沿各种方向传播的声波，并且通过压电效应被转换为电信号。
[0003]上述结构的薄膜体声波谐振器（FBAR）中包括可能受到不同类型的谐振或者谐振模式影响的不同横向区域，上下平板电极与压电材料重叠的第一区域和上下电极与压电材料不重叠的第二区域的边缘处包括有电激发模式中的能量散射产生的横向模式。横向模式对于薄膜体声波谐振器（FBAR）的性能具有有害的影响。
[0004]现有技术中为解决上述问题，先在压电层上形成上电极，然后在上电极上根据实际需本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种滤波器的制造方法，所述滤波器包括具有不同谐振频率的至少两个谐振器，以所述滤波器中谐振频率最高的谐振器的上电极厚度作为基准上电极厚度，不同于最高谐振频率谐振器的其它谐振器的上电极在基准上电极厚度的基础上具有不同厚度的质量负载结构，以所述滤波器中质量负载结构最厚的厚度作为基准质量负载结构厚度；其特征在于，包括：提供一衬底，所述衬底中或所述衬底表面形成有至少两个声波反射区域；所述声波反射区域与所述谐振器对应；在所述声波反射区域上形成所述谐振器的下电极层；在所述下电极层上形成压电层；在所述压电层上形成所述谐振器的功能复合层；所述功能复合层至少包括一上电极及设置在其上方的框架结构，所述框架结构包括凸起结构和凹陷结构；其中，在所述压电层上形成所述功能复合层的工序包括：在所述压电层上形成一导电材料层，所述导电材料层的厚度为凸起结构的厚度以及所述基准质量负载结构厚度和所述基准上电极厚度的总和，以所述导电材料层的上表面为起始面，向下图形化以形成所述功能复合层。2.一种滤波器的制造方法，所述滤波器包括具有不同谐振频率的至少两个谐振器，以所述滤波器中谐振频率最高的谐振器的下电极厚度作为基准下电极厚度，不同于最高谐振频率谐振器的其它谐振器的下电极在基准下电极厚度的基础上具有不同厚度的质量负载结构，以所述滤波器中质量负载结构最厚的厚度作为基准质量负载结构厚度；其特征在于，包括：提供一衬底，所述衬底中或所述衬底表面形成有至少两个声波反射区域；所述声波反射区域与所述谐振器对应；在所述声波反射区域上形成所述谐振器的功能复合层，所述功能复合层至少包括一下电极及设置在其上方的框架结构，所述框架结构包括凸起结构和凹陷结构；在所述功能复合层上形成压电层；在所述压电层上形成所述谐振器的上电极层；其中，在所述声波反射区域上形成所述功能复合层的工序包括：在所述声波反射区域上形成一导电材料层，所述导电材料层的厚度为凸起结构的厚度以及所述基准质量负载结构厚度和所述基准下电极厚度的总和，以所述导电材料层的上表面为起始面...

【专利技术属性】
技术研发人员：王友良，魏涛，杨清华，
申请(专利权)人：苏州臻芯微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：