【技术实现步骤摘要】
基板、电路封装、通孔结构及其制造方法
[0001]本专利技术实施例涉及半导体
,尤其涉及一种基板、电路封装、通孔结构及其制造方法。
技术介绍
[0002]穿过基板各层的电镀通孔(Plated Through Hole,PTH)提供了不同层之间的电连通,以提高有效电路占用率。
[0003]电镀通孔设置成用于接地、信号传输和供电。一般而言,信号PTH之间的串扰是一主要的信号完整性问题,尤其是对于高性能双数据速率SDRAM(Double Data Rate SDRAM,DDR)接口和外围组件互连高速(Peripheral Component Interconnect express,PCIe)信号。要实现下一代DDR性能和PCIe性能,需要最大限定地减少互感和串扰。
[0004]传统PTH需要用于信号/供电的PTH和用于接地的PTH(或共享接地PTH)。在结构方面,单独的信号/供电PTH和接地PTH会占用大量布线空间,并且在电气方面,它可能会产生较高互感,导致了这些信号之间的较高串扰。
技术实现思路
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【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种基板,设置在集成电路和印刷电路板之间,包括:芯绝缘层,包括延伸穿过所述芯绝缘层的第一电镀通孔和第二电镀通孔;增层绝缘层,设置在所述芯绝缘层的第一表面和第二表面上;其中,所述第一电镀通孔可经由操作提供从所述印刷电路板到所述集成电路的接地通路,其中,所述第二电镀通孔可经由操作穿过所述增层绝缘层提供所述集成电路和所述印刷电路板之间的承载信号或供电的电连通,其中,所述第一电镀通孔形成为由外壁和内壁限定的管状,所述第二电镀通孔形成于所述内壁中并且与所述第一电镀通孔绝缘。2.根据权利要求1所述的基板,其中,所述第一电镀通孔与所述第二电镀通孔同轴设置。3.根据权利要求1所述的基板,其中,所述第二电镀通孔与所述第一电镀通孔的内壁之间设置有绝缘材料。4.根据权利要求3所述的基板,其中,所述绝缘材料与所述第一电镀通孔和所述第二电镀通孔同轴设置。5.根据权利要求1所述的基板,还包括:第一导电材料层,设置在所述增层绝缘层与所述芯绝缘层之间,且与所述第一电镀通孔电性连接。6.根据权利要求5所述的基板,还包括:第二导电材料层,设置在所述增层绝缘层和所述芯绝缘层之间,用于提供承载信号或供电的电连通,其中,所述芯绝缘层的第一表面或第二表面上的所述第一电镀通孔在间隙区域处不连续,并且设置在所述增层绝缘层和所述芯绝缘层之间的所述第二导电材料层经过所述间隙区域与所述第二电镀通孔电连接。7.根据权利要求5所述的基板,还包括:第三导电材料层,设置在所述增层绝缘层的与所述芯绝缘层相对的表面上,其中,所述第三电镀通孔延伸穿过所述增层绝缘层,且与所述第三导电材料层电连接,以提供承载信号或供电的电连通。8.一种多导电通孔结构,包括:一个或多个通孔,设置在第一绝缘区中;第一导电区,设置在所述一个或多个通孔的侧壁周围;第二导电区,设置于所述一个或多个通孔中;以及第二绝缘区,设置在所述第一导电区的内壁和所述第二导电区的侧壁之间。9.根据权利要求8所述的多导电通孔结构,其中,所述第一导电区与所述第二导电区同轴设置。10.根据权利要求8所述的多导电通孔结构,其中,所述第一导电区和所述第二导电区形成为管状。11.根据权利要求8所述的多导电通孔结构,其中,所述第一导电区与所述第二导电区形成为矩形。
12.一种基板,包括:根据权利要求8
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11中任一项所述的多导电通孔结构;增层绝缘层,设置在所述芯绝...
【专利技术属性】
技术研发人员:刘辉,
申请(专利权)人:阿里巴巴中国有限公司,
类型:发明
国别省市:
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