单层相位差膜的制造方法及单层相位差膜形成用聚合物组合物技术

本发明专利技术提供一种单层相位差膜的制造方法，其包括以下工序：(I)将聚合物的单层相位差膜形成用聚合物组合物涂布于基板上并干燥，形成涂膜的工序，所述聚合物在侧链上具有通过紫外线进行光反应的光反应性部位；(II)第一曝光工序，其中，对所述涂膜照射第一偏振光紫外线；及(III)第二曝光工序，其中，对照射了所述偏振光紫外线的涂膜、进一步对与照射了第一偏振光紫外线的面相同的面，照射与第一偏振光紫外线的偏振轴方向不同的第二偏振光紫外线。偏振轴方向不同的第二偏振光紫外线。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】单层相位差膜的制造方法及单层相位差膜形成用聚合物组合物


[0001]本专利技术涉及单层相位差膜的制造方法及单层相位差膜形成用聚合物组合物。

技术介绍

[0002]液晶显示装置、有机电致发光(EL)显示装置等显示装置中，因显示品质的提高等要求，已知为了抑制显示面的外部光的反射而使用圆偏振板。
[0003]已知这样的圆偏振板，是将相位差板与偏振器组合而成。相位差板具有将线偏振光转换为圆偏振光的1/4波长板、将线偏振光的偏振光振动面转换90
°
的1/2波长板等。这些相位差板能够对于某特定的单色光准确地转换为光线波长的1/4波长或1/2波长的相位差。
[0004]但是，现有的相位差板存在通过相位差板而输出的偏振光被转换为有色的偏振光的问题。这是因为，相位差板具有随着波长增加，相位差减少的正波长色散性，对于作为可见光区域的光线混合存在的合成波的白色光，在每个波长的偏振状态下产生分布，因此不能在全部波长区域准确地调整为1/4波长的相位差。
[0005]为了解决这样的问题，正在研究能够对广泛的波长区域的光形成均匀的相本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种单层相位差膜的制造方法，其特征在于，包括以下工序：(I)将包含聚合物的单层相位差膜形成用聚合物组合物涂布于基板上并干燥，形成涂膜的工序，所述聚合物在侧链上具有通过紫外线进行光反应的光反应性部位；(II)第一曝光工序，其中，对所述涂膜照射第一偏振光紫外线；及(III)第二曝光工序，其中，对照射了所述偏振光紫外线的涂膜、进一步对与照射了第一偏振光紫外线的面相同的面，照射与第一偏振光紫外线的偏振轴方向不同的第二偏振光紫外线。2.根据权利要求1所述的单层相位差膜的制造方法，其中，所述制造方法还包括以下工序：(Ⅳ)对工序(III)中得到的涂膜进行加热的工序。3.根据权利要求1或2所述的单层相位差膜的制造方法，其中，在工序(II)和(III)中，从涂膜与空气的界面侧照射偏振光紫外线。4.根据权利要求1～3中任一项所述的单层相位差膜的制造方法，其中，所述具有通过紫外线进行光反应的光反应性部位的侧链由下述式(a1)～(a6)中的任一式所表示，式中，n1及n2各自独立地为0、1、2或3，L为单键或碳原子数1～12的亚烷基，该亚烷基的氢原子的一部分或全部被或不被卤原子替代，
T1为单键或碳原子数1～12的亚烷基，该亚烷基的氢原子的一部分或全部被或不被卤原子替代，A1、A2及D1各自独立地为单键、
‑
O
‑
、
‑
CH2‑
、
‑
C(＝O)
‑
O
‑
、
‑
O
‑
C(＝O)
‑
、
‑
C(＝O)
‑
NH
‑
或
‑
NH
‑
C(＝O)
‑
，其中，在T1为单键时，A2也为单键，Y1及Y2为亚苯基或亚萘基，该亚苯基及亚萘基的氢原子的一部分或全部被或不被氰基、卤原子、碳原子数1～5的烷基、碳原子数2～6的烷基羰基或碳原子数1～5的烷氧基替代，P1、Q1及Q2各自独立地为单键、亚苯基或碳原子数5～8的2价的脂环式烃基，该亚苯基的氢原子的一部分或全部被或不被氰基、卤原子、碳原子数1～5的烷基、碳原子数2～6的烷基羰基或碳原子数1～5的烷氧基替代；在Q1的数量为2时，各Q1彼此相同或不同；在Q2的数量为2时，各Q2彼此相同或不同，R为氢原子、氰基、卤原子、羧基、碳原子数1～5的烷基、碳原子数2～6的烷基羰基、碳原子数3～7的环烷基或碳原子数1～5的烷氧基，X1及X2各自独立地为单键、
‑
O
‑
、
‑
C(＝O)
‑
O
‑
、
‑
O
‑
C(＝O)
‑
、
‑
N＝N
‑
、
‑
CH＝CH
‑
、
‑
C≡C
‑
、
‑
CH＝CH
‑
C(＝O)
‑
O
‑
或
‑
O
‑
C(＝O)
‑
CH＝CH
‑
；在X1的数量为2时，各X1彼此相同或不同；在X2的数量为2时，各X2彼此相同或不同，Cou为香豆素
‑6‑
基或香豆素
‑7‑
基，与它们键合的氢原子的一部分被或不被
‑
NO2、
‑
CN、
‑
CH＝C(CN)2、
‑
CH＝CH
‑
CN、卤原子、碳原子数1～5的烷基或碳原子数1～5的烷氧基替代，E为
‑
C(＝O)
‑
O
‑
、
‑
O
‑
C(＝O)
‑
、
‑
C(＝O)
‑
S
‑
或
‑
S
‑
C(＝O)
‑
，G1及G2各自独立地为N或CH，虚线为结合键。5.根据权利要求1～4中任1项所述的单层相位差膜的制造方法，其中，所述聚合物还具有既不发生光二聚化也不发生光异构化的侧链。6.根据权利要求5所述的单层相位差膜的制造方法，其中，所述既不发生光二聚化也不发生光异构化的侧链进一步由下述式(b1)～(b11)中的任一式所表示，
式中，A3及A4各自独立地为单键、
‑
O
‑
、
‑
CH2‑
、
‑
C(＝O)
‑
O
‑
、
‑
O
‑
C(＝O)
‑
、
‑
C(＝O)
‑
NH
‑
或
‑
NH
‑
C(＝O)
‑
，R1为
‑
NO2、
‑
CN、卤原子、苯基、萘基、联苯基、呋喃基、1价含氮杂环基、碳原子数5～8的1价脂环式烃基、碳原子数1～12的烷基或碳原子数1～12的烷氧基，R2为苯基、萘基、联苯基、呋喃基、1价含氮杂环基或碳原子数5～8的1价脂环式烃基，这
些基团的氢原子的一部分或全部被或不被
‑
NO2、
‑
CN、卤原子、碳原子数1～5的烷基或碳原子数1～5的烷氧基替代，R3为氢原子、
‑
NO2、
‑
CN、卤原子、苯基、萘基、联苯基、呋喃基、1价含氮杂环基、碳原子数5～8的1价脂环式烃基、碳原子数1～12的烷基或碳原子数1～12的烷氧基，E为
‑
C(＝O)
‑
O
‑
、
‑
O
‑
C(＝O)
‑
、
‑
C(＝O)
‑
S
‑
或
‑
S
‑
C(＝O)
‑
，a为1～12的整数，k1～k5各自独立地为0～2的整数，k1～k5的合计为2以上，k6及k7各自独立地为0～2的整数，k6及k7的合计为1以上，m1、m2及m3各自独立地为1～3的整数，n为0或1，Z1及Z2各自独立地为单键、
‑
C(＝O)
‑
、
‑
CH2‑
O
‑
或
‑
CF2‑
，虚线为结合键，另外，式中的苯环及萘环的氢原子的一部分或全部被或不被氰基、卤原...

【专利技术属性】
技术研发人员：藤枝司，山极大辉，后藤耕平，
申请(专利权)人：日产化学株式会社，
类型：发明
国别省市：