本发明专利技术属于植物组织培养技术领域，具体公开了一种减少八仙花气生根方法，解决了八仙花组培过程中气生根的问题，可提高八仙花组培苗的移栽成活率。本发明专利技术通过以下步骤实现：以八仙花组培苗为实验材料，接种于珍珠岩（４０－６０ｍｌ）＋２５－３５ｍｌ液体生根培养基（１／２Ｂ５＋ＮＡＡ或ＩＢＡ０．１－１．０ｍｇ／Ｌ＋糖１０ｇ／Ｌ ｐＨ４－７），３０天后组培苗无气生根形成，培养瓶内生根率达１００％，移栽成活率可达１００％。本发明专利技术不仅提高移栽成活率和简化移栽操作程序，而且用珍珠岩代替琼脂，可循环利用，节约了组培成本。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于植物组织培养
，具体涉及，以解决八仙花 组培苗生根过程中产生气生根的问题，提高八仙花的再生植株的移栽成活率。
技术介绍
八仙花(^Krfra/^ea/2 acro/ A^7a)绣球花科，八仙花属，落叶灌木，高l-2m，花色艳丽，花朵硕大， 花期长，观赏价值高，是重要的园林和室内盆花植物之一。近年来，随着微型盆栽如'雪王后'(〃 瓜'Snow Queen，)、'红色新娘'瓜flushing Bride，)等名优新品种的培育成功，微型八仙花在国内外市场 越来越受到欢迎，其种苗供不应求。组织培养技术在苗木快繁中显得越来越重要。与很多其他花卉一样， 在八仙花组培快繁过程中，通过增加继代次数、应用细胞分裂素是提高繁殖系数常用的方法。但在提高增 殖率的同时也很容易生成气生根，即在培养基表面以上的茎的部位形成的根(如马铃薯)。气生根的形成 容易造成八仙花试管苗老化，主要表现为组培苗生长较弱，茎基根系少，生长差，试管苗的存活率低，导 致移栽成活率不高，给生产推广应用上带来很大影响。前人有关八仙花的组培的报道主要集中在中国栽培的普通八仙花原种(^^ra/^ea /z7acro/ A^7a)上。 江弈凤(1996)、邱运亮(2005)、任叔辉(2006)、雷亚灵(2008)等主要从八仙花快繁培养基和激素种 类和浓度方面做了研究，尚未涉及有关气生根的问题。由于八仙花品种来源不同，基因型的差异表现在快 繁、增殖、生根培养等过程中产生气根的差异性也不同。 一般八仙花组培苗用胶化剂琼脂蔗糖作为支撑物 质，增殖后培养瓶内生根至瓶外，严重影响八仙花再生植株的移栽成活率。该问题到目前为止是八仙花离 体繁殖的难题尚未解决。申请人分析，造成八仙花组培苗气生根问题主要有以下几个原因(1)品种的特 异性，矮花盆栽八仙花品种中均有一定得气生根的现象形成，个别品种特别严重。(2)培养瓶内透气性差 及其凝胶中水分较多，瓶内湿度较大，容易诱导八仙花形成气生根。(3)继代次数对气生根的形成也有一 定得影响。组培苗经过多次继代，气生根增加，生长较弱。(4)组培苗在高浓度的激素条件下，容易产生 气生根。在申请人所供试的10个八仙花微型品种中，随着激素浓度和继代次数的增加，繁殖系数增加， 气根数量相应增加但程度不同。为了满足八仙花增殖率的需要，八仙花茎段在B5基本培养基+6-苄氨基嘌 呤(6-BA) 1. Omg/L+B引哚丁酸(IBA) 0. 5mg/L+琼脂7g/L的快繁增殖培养中，增殖率高，植株的生长速度 较快，并生长健壮，但同时又导致气生根的形成。现有文献对八仙花离体生根的报道主要限于在生根培养基的筛选，但是有关植物组织培养特别是八仙 花的快繁殖过程中外植体的生根是直接受到前处理(培养步骤和培养基)的影响，现有专利或非专利文献 都没有涉及。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供，以解决八仙花组培苗生根过程中产生气 生根的难题，提高八仙花的再生植株的移栽成活率。本专利技术对八仙花组织培养中的关键步骤生根移栽做了试验对比研究，利用珍珠岩作为支持体代替琼 脂，结合生根培养基的设计，解决了八仙花气生根的问题，从而提高了茎基生根率和移栽成活效果。本专利技术采用以下技术方案申请人专利技术了，其步骤包括A:在培养瓶中加入40-60mL的珍珠岩，然后加入25-35mL液体生根培养基，所述的液体生根培养基成分及配比如下1/2 B5基本培养基+萘乙酸或H引哚丁酸0. l-1.0mg/L+蔗糖10g/L，调pH至4-7，在12rC下高压蒸汽灭菌20min，备用；B:在无菌环境下(例如在超净工作台中)，将苗高为l-2cm具有2片以上叶片的八仙花组培苗(组培苗 获得以前的培养步骤和培养基的设计参见实施例部分)的顶芽接种于A步骤制备的生根培养基上，在 培养室内养30-50天；C:从珍珠岩中取出八仙花组培苗，勿需清洗和炼苗，直接将八仙花组培苗移栽到体积比为1: 1的 泥炭土珍珠岩的基质中； 其中上述步骤A和B的培养条件是光照为1500-20001x，光照时间为16h. d—1，培养温度为23_25°C: 上述步骤C的移栽条件是遮荫80%,保持相对湿度95%，栽培温度为25'C; 上述步骤A步骤的1/2 B5基本培养基成分按mg/ L计的成分及配比如下硝酸钾1250. 0;二水氯化钙75,0;七水硫酸镁125.0;硫酸氨67.0;磷酸二氢钠75.0;碘化钾0. 375;硼酸1. 5;四水硫酸锰5.0;七水硫酸锌1.0;二水钼酸钠0. 125;五水硫酸铜0.0125:六水氯化钴0.0125;七水硫酸亚铁13.9;乙二胺四乙酸二钠18. 7;肌醇50. 0;烟酸0.5;盐酸吡咳醇0.5;盐酸硫胺素5.0。上述B5培养基参照报道的培养基配方制备(参见李明浚编译，植物组织培养，中国农业出版社，1992年版)。本专利技术有益的效果是1、 由于利用珍珠岩作为基质，加入一定比例的液体生根培养基，可有效调节培养瓶中的湿度，从而 抑制了气生根的形成，有利于在培养基里面形成正常根系。2、 珍珠岩形成了疏松的、黑暗的环境，有利于诱导八仙花组培苗根的形成。明显缩短了八仙花组培 苗的生根时间，8天左右就能形成完整的根，本专利技术的生根率和移栽成活率均为100%。而且在该环境下， 八仙花再生植株生长快速健壮。3、 本专利技术利用珍珠岩作支持体，勿需瓶内炼苗后和清洗根系直接移栽，减少对根系的损伤，简化了 移栽程序，提高了移栽成活率。而且珍珠岩价格便宜，可重复循环利用，节约组培成本。4、 本专利技术的培养基中，申请人将蔗糖含量从30g/L降低至10g/L，从而节约组培成本。5、本专利技术方法简便、易行，操作方便，可提高矮化八仙花品种生根及移栽的效果。附图说明图1A:培养30天后八仙花组培苗在50mL珍珠岩+25mL液体生根培养基(1/2B5基本培养基 +IBA0. 5mg/L蔗糖10g/L , pH5. 8)中的生长情况；图1B:培养30天后八仙花组培苗在琼脂7g/L+l/2 B5基本培养基+IBA 0. 5mg/L+蔗糖10g/L , pH5. 8 的生根培养基中生长情况；图2A:培养30天后八仙花组培苗在50mL珍珠岩+25mL液体生根培养基(1/2 B5基本培养基 +IBA0. 5mg/L蔗糖10g/L ， pH5. 8)中的根系生长情况；图2B:培养30天后八仙花组培苗在琼脂7g/L+l/2 B5基本培养基+IBAO. 5mg/L+蔗糖10g/L， pH5. 8 的生根培养基中根系生长情况。图3:八仙花组培苗在珍珠岩支持体上生根和移栽成活情况。图4:珍珠岩基质中不同液体生根培养基(1/2 B5基本培养基+IBAO. 5mg/L+蔗糖10g/，调pH至5. 8) 用量情况下八仙花组培苗的生根情况，在图4中图4A:珍珠岩50mL+液体培养基25mL的液体生根培养基中的八仙花组培苗的生根及防止气生根的 情况；图4B:珍珠岩50raL+液体培养基35mL的培养基中八仙花组培苗的生根及防止气生根的情况；图4C: 珍珠岩50mL-液体培养基15mL培养基中八仙花组培苗的生根及抑制气生根的情况。具体实施方案实施例lA:在培养瓶中加入50mL的珍珠岩，然后加入25mL的液体生根培养基(1/2 B5基本培养基+吲哚丁 酸(IBA本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种减少八仙花组培苗气生根的方法，其步骤包括： Ａ：在培养瓶中加入４０－６０ｍｌ的珍珠岩，然后加入２５－３５ｍｌ液体生根培养基，所述的液体生根培养基成分及配比如下：１／２Ｂ５基本培养基＋萘乙酸或吲哚丁酸０．１－１．０ｍｇ／Ｌ＋蔗糖１０ ｇ／Ｌ，调ｐＨ至４－７，在１２１℃下高压蒸汽灭菌２０ｍｉｎ，备用； Ｂ：在无菌环境下，将苗高为１－２ｃｍ具有２片以上叶片的八仙花组培苗的顶芽接种于Ａ步骤制备的生根培养基中，在培养室培养３０－５０天； Ｃ：从珍珠岩中取出八仙花组培 苗，勿需清洗和炼苗，直接将八仙花组培苗移栽到体积比为１∶１的泥炭土：珍珠岩的基质中； 其中 上述步骤Ａ和Ｂ的培养条件是：光照为１５００－２０００ｘｌ，光照时间１６ｈ．ｄ－１，培养温度为２３－２５℃； 上述步骤Ｃ的移栽条件是 ：遮荫为８０％，保持相对湿度为９５％，栽培温度为２５℃； 上述步骤Ａ的１／２Ｂ５基本培养基成分按ｍｇ／Ｌ计的配比如下： 硝酸钾 １２５０．０； 二水氯化钙 ７５．０； 七水硫酸镁 １２５．０； 硫酸氨 ６７．０； 磷酸二氢钠 ７５．０； 碘化钾 ０．３７５； 硼酸 １．５； 四水硫酸锰 ５．０； 七水硫酸锌 １．０； 二水钼酸钠 ０．１２５； 五水硫酸铜 ０．０１２５； 六水氯 化钴 ０．０１２５； 七水硫酸亚铁 １３．９； 乙二胺四乙酸二钠 １８．７； 肌醇 ５０．０； 烟酸 ０．５； 盐酸吡哆醇 ０．５； 盐酸硫胺素 ５．０。...
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：王彩云，黄丽莉，刘峰，李扬丽，
申请(专利权)人：华中农业大学，
类型：发明
国别省市：83[中国|武汉]
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