多晶硅薄膜的形成方法及LPCVD工艺中污染物的去除方法技术

本发明专利技术提供了一种多晶硅薄膜的形成方法及LPCVD工艺中污染物的去除方法，应用于半导体技术领域。由于在本发明专利技术实施例所提供的形成方法和去除方法中，其在炉管的反应区内每执行一次多晶硅薄膜的LPCVD工艺后，均再执行一次热氧化工艺，以通过将应力大的多晶硅热氧化转换成应力小的二氧化硅的方式，来避免反应区内的炉管内壁在LPCVD工艺过程中同步形成的第二多晶硅薄膜的厚度，随着炉管的单次设备维护周期内所执行的LPCVD工艺次数的增加而增厚而导致第二多晶硅薄膜的应力增大，进而发生第二多晶硅薄膜的局部薄膜发生剥离破裂所形成的多晶硅颗粒污染物脱落在晶圆以及其上所形成的第一多晶硅薄膜的表面上所造成的表面污染问题。题。题。

【技术实现步骤摘要】
多晶硅薄膜的形成方法及LPCVD工艺中污染物的去除方法


[0001]本专利技术涉及半导体
，特别涉及一种多晶硅薄膜的形成方法及LPCVD工艺中污染物的去除方法。

技术介绍

[0002]化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition，CVD)是一种化工技术，该技术主要是利用含有薄膜元素的一种或几种气相化合物或单质、在晶圆表面上进行化学反应生成薄膜的方法。化学气相沉积主要分为常压化学气相沉积(Atmospheric Pressure CVD，APCVD)、低压化学气相沉积(Low Pressure CVD，LPCVD)以及等离子体增强化学气相淀积(plasma enhanced CVD，PECVD)。
[0003]目前，LPCVD工艺的生产设备主要为炉管，而采用炉管作为生产设备的LPCVD工艺（简称为炉管LPCVD工艺），由于具有生产效率高，膜质稳定，膜厚易调节等优点，现主要用于形成多晶硅、无定形硅、氮化硅、氧化硅等各种薄膜。其中，多晶硅为一种应力较大的材料。
[0004]然而，由于在利用炉管LPCVD工艺在本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种多晶硅薄膜的形成方法，其特征在于，包括：将一晶圆置于炉管的反应区内，并对所述晶圆进行LPCVD工艺，以在所述晶圆的表面上形成第一多晶硅薄膜，同时所述反应区内的炉管内壁上形成有第二多晶硅薄膜；将形成有所述第一多晶硅薄膜的晶圆从所述炉管的反应区内转移到炉管的装载区内，并同时向所述炉管的装载区内通入第一气体，以使扩散到所述炉管的反应区内的第一气体与所述第二多晶硅薄膜的表层进行热氧化工艺。2.如权利要求1所述的多晶硅薄膜的形成方法，其特征在于，所述炉管的反应区和其装载区由一活动闸门所隔开，且所述炉管的反应区内的温度高于其装载区内的温度。3.如权利要求2所述的多晶硅薄膜的形成方法，其特征在于，在向所述炉管的装载区内通入第一气体，以使扩散到所述炉管的反应区内的第一气体与所述第二多晶硅薄膜的表层进行热氧化工艺的步骤之后，所述形成方法还包括：将形成有所述第一多晶硅薄膜的晶圆从所述炉管的装载区内移出，并同时向该炉管的装载区内通入第二气体，以去除该炉管的装载区内残留的第一气体。4.如权利要求3所述的多晶硅薄膜的形成方法，其特征在于，所述第一气体包括氧气，所述第二气体包括氮气。5.如权利要求3所述的多晶硅薄膜的形成方法...

【专利技术属性】
技术研发人员：高勇强，施剑华，
申请(专利权)人：粤芯半导体技术股份有限公司，
类型：发明
国别省市：