一种半导体集成电路制造领域硅衬底的清洗方法技术

本发明专利技术涉及集成电路制造技术领域，具体涉及一种半导体集成电路制造领域硅衬底的清洗方法。本发明专利技术一方面采用一定浓度的氟化铵、氟化氢铵混合溶液作为清洗药水，用于高化学选择性地去除硅衬底的表面污染物及氧化硅，另一方面采用快速热退火处理的方式，通过硅衬底与污染物之间的应力差异和晶化效果，对硅衬底表面氧化膜层起到更有效的剥离效果，工艺简单，适用于大规模量产。用于大规模量产。用于大规模量产。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体集成电路制造领域硅衬底的清洗方法


[0001]本申请涉及集成电路制造
，更具体地说，它涉及一种半导体集成电路制造领域硅衬底的清洗方法。

技术介绍

[0002]硅材料以其优异的半导体特性，在半导体集成电路生产制造领域中长期广泛应用。现阶段，硅衬底(由硅材料制成的具有一定结构的部件)如silicon top ring(硅环)、showerhead(喷淋头)、Sitarget material(硅靶材)、wafer(晶圆)等因其纯度高且化学稳定性良好，一直作为半导体集成电路中芯片制造以及光电子器件制造过程中的核心部件。
[0003]在传统清洗工艺中采用一定比例的氢氟酸浸泡去除硅材料表面的污染物和氧化物，但容易造成“尖峰缺陷”以及腐蚀性难以控制的问题，影响硅衬底的损耗和轮廓尺寸的变化，尤其是在65nm以下的半导体集成电路制造工艺中，氢氟酸浸泡造成的硅衬底材料缺陷会严重影响到器件的表面结构和电学性能。

技术实现思路

[0004]为了解决传统清洗工艺的上述技术问题，本专利技术的目的是提供一种半导体集成电路制造领域硅衬本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体集成电路制造领域硅衬底的清洗方法，其特征在于，包括以下步骤：S1：将氟化铵溶液和氟化氢铵溶液加入到第一浸泡槽中，水浴加热温度控制为25～30℃，然后将硅衬底缓慢放入到浸泡槽中浸泡；S2：将步骤S1中浸泡完成的硅衬底放在去离子水中漂洗1～2min，使其表面残留的药液稀释并降低；S3：将步骤S2中漂洗完成的硅衬底放入预装有氨水溶液、双氧水溶液的第二浸泡槽中浸泡，水浴加热温度控制为45～50℃；S4：重复步骤S2，去除硅衬底表面残留的药液，然后将其放入溢流纯水槽中浸泡30～40min；S5：将步骤S4中清洗完成的硅衬底吹干；S6：将步骤S5中吹干的硅衬底放入退火炉中，促进硅衬底表面污染物去除；S7：重复步骤S1～S6，直至硅衬底表面污染物完全去除。2.根据权利要求1所述的清洗方法，其特征在于，在步骤S1中，将1mol/L的氟化铵溶液和1mol/L的氟化氢铵溶液...

【专利技术属性】
技术研发人员：惠朝先，
申请(专利权)人：广州富乐德科技发展有限公司，
类型：发明
国别省市：