一种碳化硅器件制备工艺和碳化硅MOS器件制造技术

本发明专利技术涉及碳化硅半导体领域，公开一种碳化硅器件制备工艺和碳化硅MOS器件，包括以下结构：N+衬底层；N

【技术实现步骤摘要】
一种碳化硅器件制备工艺和碳化硅MOS器件


[0001]本专利技术涉及碳化硅半导体
，尤其涉及一种碳化硅器件制备工艺和碳化硅MOS器件。

技术介绍

[0002]基于高击穿场强，大禁带宽度，高热导率和高电子饱和漂移速率这些优良的物理和电学特性，SiC成为制造高温﹑大功率﹑低功耗电子器件的理想材料。碳化硅功率器件已成为半导体行业发展的热点方向。运用碳化硅材料制成的功率器件在高频条件下，会产生大量热同时导致电压电流振荡严重，产生较高的dv/dt和di/dt，导致产品出现EMI不合格的情况，影响了碳化硅器件的应用。现有技术中在应用电路中附加电路元器件抑制干扰，包括：1）配置门极电阻Rg：增大门极电阻能有效的增大开关时间并降低电压电流过冲和振荡。增大门极电阻能有效的增大开关时间并降低电压电流过冲和振荡，但由此带来的开关损耗增加不可忽视，通过这一手段解决EMC问题，就无法体现出碳化硅器件的优秀的开关特性，不适用于对碳化硅器件开关特性要求较高的场合。2）配置RC吸收电路：该方案通过在器件漏源极并联RC吸收电路来吸收开关振荡。该方案通过在器件漏源极并联RC本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种碳化硅器件制备工艺，其特征在于，包括以下步骤：1)在碳化硅在N+衬底上生长碳化硅N
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外延层；2)沉积场氧化层，并回刻得到第一场氧化层和第二场氧化层；3)通过栅氧、多晶硅淀积回刻在第一场氧化层上表面形成栅极层，在第二场氧化层上表面形成第一金属层；4)淀积电容介质层，回刻，在第一场氧化层和栅极层的外部形成第一电容介质层，在第二场氧化层和第一金属层的外部形成第二介质层；5)在第二电容介质层上制备第二金属层，淀积第一ILD层和第二ILD层并回刻，注孔；6)淀积金属并回刻，完成制备。2.根据权利要求1所述的一种碳化硅器件制备工艺，其特征在于，在生长碳化硅N
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外延层后，还包括步骤：在N
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外延层注入形成P型阱区，对P型阱区域注入形成N型接触层，形成N/P嵌套结构，N/P嵌套结构上设有源极层，所述源极层设于N型接触层上表面。3.根据权利要求1所述的一种碳化硅器件制备工艺，其特征在于，电容介质层采用SiO材质。4.根据权利要求1所述的一种碳化硅器件制备工艺，其特征在于，第一ILD层和第二ILD层采用SiN材质。5.一种碳化硅MOS器件，其特征在于，包...

【专利技术属性】
技术研发人员：王洋，
申请(专利权)人：海科嘉兴电力科技有限公司，
类型：发明
国别省市：