一种半导体器件的制作方法技术

本申请提供了一种半导体器件的制作方法，包括：提供一基板，基板具有第一表面；在第一表面形成牺牲结构，牺牲结构包括两个相对设置的侧壁以及顶部；对牺牲结构的表面进行改性处理，形成改性层，改性层包括位于牺牲结构侧壁的侧壁部分以及位于牺牲结构顶部的顶部部分；去除顶部部分，以在改性层形成开口，开口露出侧壁部分之间的剩余牺牲结构；基于开口去除剩余牺牲结构，保留侧壁部分作为鳍型结构。改性层的形成以及改性层和牺牲结构的刻蚀都可以采用反应离子束刻蚀设备，不仅降低了工艺复杂度和制作成本，而且刻蚀精度高，可以在基板上形成厚度较小的鳍型结构，还能够避免不同鳍型结构之间的刻蚀不完全问题。结构之间的刻蚀不完全问题。结构之间的刻蚀不完全问题。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体器件的制作方法


[0001]本申请涉及半导体器件
，更具体的说，涉及一种半导体器件的制作方法。

技术介绍

[0002]目前先进芯片主流架构为鳍式场效应晶体管（FinFET）架构，采用鳍式场效应晶体管架构的芯片，其基底表面具有多个鳍状结构，所述鳍状结构能够改善电路控制并减少漏电流，也可以大幅缩短晶体管的栅长。随着半导体行业的不断发展，对于小型化低功耗的芯片需求越来越多，对鳍式场效应晶体管架构的芯片来说，就要求宽度更小的鳍状结构，然而在现有技术中，由于受到光刻设备分辨率的限制，当鳍状结构的宽度过小时，容易出现曝光不完全，导致不同的鳍状结构之间没有完全分开。

技术实现思路

[0003]有鉴于此，本申请提供了一种半导体器件的制作方法，方案如下：一种半导体器件的制作方法，包括：提供一基板，所述基板具有第一表面；在所述第一表面形成牺牲结构，所述牺牲结构包括两个相对设置的侧壁以及顶部；对所述牺牲结构的表面进行改性处理，形成改性层，所述改性层包括位于牺牲结构侧壁的侧壁部分以及位于牺牲结构顶部的顶部部分；去除所述顶部部分，以在所述本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括：提供一基板，所述基板具有第一表面；在所述第一表面形成牺牲结构，所述牺牲结构包括两个相对设置的侧壁以及顶部；对所述牺牲结构的表面进行改性处理，形成改性层，所述改性层包括位于牺牲结构侧壁的侧壁部分以及位于牺牲结构顶部的顶部部分；去除所述顶部部分，以在所述改性层形成开口，所述开口露出两所述侧壁部分之间的剩余牺牲结构；基于所述开口去除所述剩余牺牲结构，保留所述侧壁部分作为鳍型结构。2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，采用同一反应离子束刻蚀设备依次形成所述改性层，去除所述顶部部分，去除所述剩余牺牲结构。3.根据权利要求2所述的制作方法，其特征在于，对所述牺牲结构的表面进行改性处理，形成改性层，包括：通过第一控制电压，使得所述反应离子束刻蚀设备基于第一气体源产生改性离子束；基于第一离子束加速偏压和第一离子束电流，使得所述改性离子束朝向所述基板移动，以与所述牺牲结构的表面发生反应，形成所述改性层；其中，所述改性离子束的运动方向相对于所述第一表面的法线具有第一夹角。4.根据权利要求3所述的制作方法，其特征在于，所述第一气体源包括：氢气、氮气、氧气、氟基气体、氨基气体、溴基气体和碳氢化合物气体中的一种或多种。5.根据权利要求3所述的制作方法，其特征在于，所述第一夹角的取值范围是15
°
~75
°
；所述第一控制电压的取值范围为50V~400V；所述第一离子束加速偏压的取值范围是50V~800V；所述第一离子束电流的取值范围是10mA~1000mA。6.根据权利要求3所述的制作方法，其特征在于，去除所述顶部部分，以在所述改性层形成开口，包括：通过第二控制电压，使得所述反应离子束刻蚀设备基于第二气体源产生第一刻蚀离子束；基于第二离子束加速偏压和第二离子束电流，使得所述第一刻蚀离子束朝向所述基板移动，以刻蚀去除所述顶部部分，形成所述开口；其中，所述第一刻蚀离子束的运动方向相对于所述第一表面的法线具有第二夹角。7.根据权利要求6所述的制作方法，其特征在于，所述第二气体源为惰性气体，所述第一刻蚀离子束对所述顶部部分进行物理刻蚀。8.根据权利要求6所述的制作方法，其特征在于，所述第二夹角小于所述第一夹角；所述第二控制电压大于所述第一控制电压；所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨宇新，彭泰彦，许开东，
申请(专利权)人：江苏鲁汶仪器股份有限公司，
类型：发明
国别省市：