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本申请提供了一种半导体器件的制作方法，包括：提供一基板，基板具有第一表面；在第一表面形成牺牲结构，牺牲结构包括两个相对设置的侧壁以及顶部；对牺牲结构的表面进行改性处理，形成改性层，改性层包括位于牺牲结构侧壁的侧壁部分以及位于牺牲结构顶部的顶...
该专利属于江苏鲁汶仪器股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过江苏鲁汶仪器股份有限公司授权不得商用。

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