粘接剂组合物、层叠体、层叠体的制造方法、及电子部件的制造方法技术

本发明专利技术涉及粘接剂组合物、层叠体、层叠体的制造方法、及电子部件的制造方法。本发明专利技术的课题是提供不需要分离层的粘接剂组合物、使用该粘接剂组合物制造的层叠体、该层叠体的制造方法、以及使用了该粘接剂组合物的电子部件的制造方法。本发明专利技术的解决手段为一种粘接剂组合物，其用于形成将半导体基板或电子器件、与能使光透过的支撑体临时粘接的粘接层，所述粘接剂组合物含有树脂(P1)、和聚合引发剂(A)，前述树脂(P1)具有包含能吸收波长300～800nm的范围内的至少一部分光的结构的结构单元(u1)，由前述粘接剂组合物形成的前述粘接层的150℃时的储能弹性模量(G

【技术实现步骤摘要】
粘接剂组合物、层叠体、层叠体的制造方法、及电子部件的制造方法


[0001]本专利技术涉及粘接剂组合物、层叠体、层叠体的制造方法、及电子部件的制造方法。

技术介绍

[0002]在包含半导体元件的半导体封装体(电子部件)中，根据相对应的尺寸而存在各种形态，例如有WLP(晶圆级封装，Wafer Level Package)、PLP(面板级封装，Panel Level Package)等。
[0003]作为半导体封装的技术，可举出扇入型技术、扇出型技术。作为基于扇入型技术的半导体封装，将位于裸芯片端部的端子再配置于芯片区域内的扇入型WLP(扇入型晶圆级封装，Fan
‑
in Wafer Level Package)等是已知的。作为基于扇出型技术的半导体封装，将该端子再配置于芯片区域外的扇出型WLP(扇出型晶圆级封装，Fan
‑
out Wafer Level Package)等是已知的。
[0004]近年来，特别地，扇出型技术作为能够实现半导体封装的更进一步的高集成化、薄型化及小型化等的方法而受到关注，如被应用于将半导体元件配置于面板上并进行封装化的扇出型PLP(扇出型面板级封装，Fan
‑
out Panel Level Package)，等等。
[0005]为了实现半导体封装的小型化，重要的是将所组装的元件中的基板的厚度减薄。然而，若将基板的厚度减薄，则其强度会降低，在制造半导体封装体时容易发生基板的破损。针对于此，已知下述技术：使用粘接剂将基板临时粘接于支撑体，进行基板的加工之后，将基板与支撑体分离。
[0006]作为基板与支撑体的临时粘接中使用的粘接剂，从容易利用溶剂等将粘接层除去的方面考虑，大多情况下使用热塑性粘接剂。例如，专利文献1中公开了含有热塑性弹性体、高沸点溶剂和低沸点溶剂的粘接剂组合物。
[0007]现有技术文献
[0008]专利文献
[0009]专利文献1：国际公开第2016/052315号

技术实现思路

[0010]专利技术所要解决的课题
[0011]就以往的粘接剂而言，为了在基板的加工后将支撑体与基板分离，通常需要分离层。因此，需要分别进行分离层的形成、和粘接层的形成，操作繁琐。
[0012]本专利技术是鉴于上述情况而作出的，其课题在于提供不需要分离层的粘接剂组合物、使用该粘接剂组合物制造的层叠体、该层叠体的制造方法、以及使用了该粘接剂组合物的电子部件的制造方法。
[0013]用于解决课题的手段
[0014]为了解决上述的课题，本专利技术采用了以下的构成。
[0015]即，本专利技术的第1方式为粘接剂组合物，其用于形成将半导体基板或电子器件、与能使光透过的支撑体临时粘接的粘接层，所述粘接剂组合物含有树脂(P1)、和聚合引发剂(A)，前述树脂(P1)具有包含能吸收波长300～800nm的范围内的至少一部分光的结构的结构单元(u1)，由前述粘接剂组合物形成的粘接剂组合物层的150℃时的储能弹性模量(G
’
)为1.5
×
105Pa以下。
[0016]本专利技术的第2方式为层叠体，其为依次层叠有能使光透过的支撑体、粘接层、以及半导体基板或电子器件的层叠体，前述粘接层为前述第1方式涉及的粘接剂组合物的固化体。
[0017]本专利技术的第3方式为层叠体的制造方法，其为依次层叠有能使光透过的支撑体、粘接层及半导体基板的层叠体的制造方法，所述制造方法具有下述工序：在前述支撑体或半导体基板上涂布前述第1方式涉及的粘接剂组合物而形成粘接剂组合物层的工序；将前述半导体基板隔着前述粘接剂组合物层而载置于前述支撑体上的工序；以及，使前述粘接剂组合物层固化而形成前述粘接层的工序。
[0018]本专利技术的第4方式为层叠体的制造方法，所述层叠体依次层叠有能使光透过的支撑体、粘接层及电子器件，所述制造方法中，在利用前述第3方式涉及的层叠体的制造方法得到层叠体之后，还具有形成电子器件的电子器件形成工序，所述电子器件为由金属或半导体构成的构件与将前述构件密封或绝缘的树脂形成的复合体。
[0019]本专利技术的第5方式为电子部件的制造方法，其中，在利用前述第4方式涉及的层叠体的制造方法得到层叠体之后，具有下述工序：隔着前述支撑体向前述粘接层照射光而使前述粘接层改性，由此将前述电子器件与前述支撑体分离的工序；以及，将附着于前述电子器件的前述粘接层除去的工序。
[0020]专利技术效果
[0021]根据本专利技术，可提供不需要分离层而容易进行粘接层的除去的粘接剂组合物、使用该粘接剂组合物制造的层叠体、该层叠体的制造方法、以及使用了该粘接剂组合物的电子部件的制造方法。
附图说明
[0022][图1]为示出应用了本专利技术的层叠体的一个实施方式的示意图。
[0023][图2]为示出应用了本专利技术的层叠体的一个实施方式的示意图。
[0024][图3]为示出应用了本专利技术的层叠体的一个实施方式的示意图。
[0025][图4]为示出应用了本专利技术的层叠体的一个实施方式的示意图。
[0026][图5]为对依次层叠有支撑体、粘接剂组合物层、及半导体基板的层叠体100
’
的制造方法的一个实施方式进行说明的概略工序图。
[0027]图5(a)为对粘接剂组合物层形成工序进行说明的图，图5(b)为对半导体基板载置工序进行说明的图。
[0028][图6]为对粘接层形成工序进行说明的图。
[0029][图7]为对制造层叠体120的方法的一个实施方式进行说明的概略工序图。图7(a)为对密封工序进行说明的图，图7(b)为对磨削工序进行说明的图，图7(c)为对布线层形成工序进行说明的图。
[0030][图8]为对由层叠体120制造半导体封装体(电子部件)的方法的一个实施方式进行说明的概略工序图。图8(a)为示出层叠体200的图，图8(b)为对分离工序进行说明的图，图8(c)为对粘接层除去工序进行说明的图。
[0031]附图标记说明
[0032]1 支撑体
[0033]3 粘接层
[0034]3’ꢀ
粘接剂组合物层
[0035]4 半导体基板
[0036]5 密封材料层
[0037]6 布线层
[0038]20 层叠体
[0039]50 电子部件
[0040]100 层叠体
[0041]100
’ꢀ
层叠体
[0042]110 层叠体
[0043]120 层叠体
[0044]200 层叠体
[0045]300 层叠体
[0046]400 层叠体
[0047]456 电子器件
[0048]645 电子器件
具体实施方式
[0049]本说明书及本权利要求书中，“脂肪族”是指相对于芳香族的相对概念，其定义是指不具有芳香性的基团、化合物等。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.粘接剂组合物，其用于形成将半导体基板或电子器件、与能使光透过的支撑体临时粘接的粘接层，所述粘接剂组合物含有：树脂(P1)、和聚合引发剂(A)，所述树脂(P1)具有包含能吸收波长300～800nm的范围内的至少一部分光的结构的结构单元(u1)，由所述粘接剂组合物形成的粘接剂组合物层的150℃时的储能弹性模量(G
’
)为1.5
×
105Pa以下。2.如权利要求1所述的粘接剂组合物，其中，所述结构单元(u1)包含具有芳香性的稠环骨架、二苯甲酮骨架、二苯甲酰基甲烷骨架、二苯甲酰基苯骨架、或苯并三唑骨架。3.如权利要求1或2所述的粘接剂组合物，其特征在于，作为所述电子器件的、由金属或半导体构成的构件与将所述构件密封或绝缘的树脂形成的复合体隔着所述粘接层而层叠于所述支撑体。4.层叠体，其为依次层叠有能使光透过的支撑体、粘接层、以及半导体基板或电子器件的层叠体，所述粘接层为权利要求1～3中任一项所述的粘接剂组...

【专利技术属性】
技术研发人员：富冈有希，鹈野和英，丸山贵史，
申请(专利权)人：东京应化工业株式会社，
类型：发明
国别省市：