本发明专利技术公开了一种碲化镉多晶料的制备装置，本发明专利技术涉及碲化镉多晶制备技术领域。该碲化镉多晶料的制备装置，包括支台，支台上端面固定连接有箱体，箱体侧腔壁通过固定杆固定连接有熔炼皿，箱体内腔安装有用于将惰性气体通入其内部的注气机构，缠绕设置在卷轮外部的注气软管及若干个嵌接在注气软管外部的阀组件，滑动设置在矩形盒后腔壁上用于控制卷轮将注气软管收卷复位的复位组件，本发明专利技术通过通气膨胀展开后的注气软管将若干个阀组件纵向布置在箱体内部，从而能够从不同高度位置向箱体内部通入惰性气体，使得惰性气体能够快速均匀的充斥在箱体中，保证了碲和镉的熔炼质量，进而提高了碲化镉多晶料的制备成形质量。提高了碲化镉多晶料的制备成形质量。提高了碲化镉多晶料的制备成形质量。
【技术实现步骤摘要】
一种碲化镉多晶料的制备装置
[0001]本专利技术涉及碲化镉多晶制备
，具体为一种碲化镉多晶料的制备装置。
技术介绍
[0002]碲化镉是一种无机化合物，化学式为CdTe，是一种重要的Ⅱ—
Ⅵ
族化合物半导体材料，碲化镉多晶料是由碲和镉二者共同组成的物质，具体的制备过程是将高纯度的碲和镉按照一定的化学计量比例混合均匀放置于高温的石英坩埚中，接着通入惰性气体并在惰性气氛下进行坩埚熔炼，当温度升至约850℃时，混合物开始熔融，并且开始生长单晶种子，稳定温度并保持熔融状态至少10分钟，然后降温至室温获得碲化镉多晶料。
[0003]其中制备过程中通入惰性气体这一步骤为了保证碲和镉的碲和镉效果需要等待装置内部的惰性气体浓度达到一定的浓度后才能够开始进行熔炼，一般通过单根管子将惰性气体通入到装置中，但是这种方式需要等待一定的时间才能够将惰性气体充满在装置中，而且通入过程中还容易出现惰性气体分布不均匀的情况，部分区域惰性气体浓度达不到合格标准，容易导致碲和镉熔炼质量差。
[0004]此外，对于将碲和镉通入到石英坩埚中进行混合时都是将碲和镉直接倒石英坩埚中进行混合，容易出现碲和镉混合不充分进而致使后续碲化镉多晶料制备效果差。
技术实现思路
[0005]本专利技术提供了一种碲化镉多晶料的制备装置，解决了碲化镉多晶料制备过程中通入惰性气体时需要等待一定的时间才能够将惰性气体充满在装置中，而且通入过程中还容易出现惰性气体分布不均匀的情况，部分区域惰性气体浓度达不到合格标准，容易导致碲和镉熔炼质量差，以及熔炼时碲和镉直接倒入到石英坩埚中混合不充分的技术问题。
[0006]本专利技术提供的一种碲化镉多晶料的制备装置，包括支台，所述支台上端面固定连接有箱体，所述箱体侧腔壁通过固定杆固定连接有熔炼皿，所述箱体内腔安装有用于将惰性气体通入其内部的注气机构，所述箱体上腔壁安装有注料机构，所述注气机构包括嵌接在箱体侧腔壁上的矩形盒、开设在矩形盒前后相对侧腔壁上的滑移槽、滑动连接在滑移槽内部的滑柱、固定连接在前后两个滑柱之间的卷轮、缠绕设置在卷轮外部的注气软管及若干个嵌接在注气软管外部的阀组件，滑动设置在矩形盒后腔壁上用于控制卷轮将注气软管收卷复位的复位组件。
[0007]在一种可能的实现方式中，所述注料机构包括嵌接在箱体上部壁板中的安装板、通过连接杆左右对称安装在安装板上部的注入管、转动连接在注入管下端的L形管，L形管下部贯穿安装板并伸入到箱体内部，两个所述L形管竖向段外部均固定连接有相互啮合的齿圈，L形管横向段端部安装有触动阀单元。
[0008]在一种可能的实现方式中，所述箱体右部安装有用于对碲化镉多晶料表面清洗的清洗机构，所述清洗机构包括连通在箱体右部的圆筒、若干个等距转动连接在圆筒内部的驱动环、周向等距固定连接在驱动环内壁上的刷条及若干个固定连接在圆筒内部且位于相
邻的两个驱动环之间的环形管，且环形管外部周向等距连通有若干个喷头。
[0009]在一种可能的实现方式中，所述阀组件包括嵌接在注气软管管壁上的阀管、通过滑环滑动连接在阀管外部的阀柱，且阀柱和滑环之间共同固定连接有顶簧，阀柱远离熔炼皿的一端固定连接有堵头，阀柱靠近熔炼皿的一端固定连接有一号磁环，矩形盒靠近熔炼皿的一侧等距开设有若干个与阀管对应的通孔，且每个通孔内部均固定连接有与一号磁环配合的二号磁环。
[0010]在一种可能的实现方式中，所述复位组件包括通过滑槽滑动连接在矩形盒后腔壁上的矩形框及共同固定连接在矩形框和滑柱之间的复位发条。
[0011]在一种可能的实现方式中，所述触动阀单元包括通过复位弹簧滑动连接在L形管横向段中的顶柱、顶柱位于L形管内部的一端固定连接有阀片及固定连接在L形管横向段中用于与阀片配合的环片。
[0012]在一种可能的实现方式中，所述L形管横向段下部等距固定连接有若干个搅拌棒。
[0013]在一种可能的实现方式中，所述滑移槽从下至上逐渐向靠近熔炼皿的一侧倾斜。
[0014]从以上技术方案可以看出，本专利技术具有以下优点：本专利技术中，通过向注气软管中通气使其膨胀鼓起并展开，利用若干个纵向布置在注气软管外部的阀组件将惰性气体通入到箱体中，使得惰性气体能够快速充满在箱体中且分布均匀，能够将熔炼皿完全笼罩，提高碲和镉的熔炼质量。
[0015]本专利技术中，通过两个L形管同时旋转并在旋转过程中带动两个触动阀单元间歇抵触到一起，从而能够将碲和镉间歇投入到熔炼皿中，保证碲和镉能够有着充足的混合时长，提高了碲化镉多晶料的制备质量。
[0016]本专利技术中，通过将成形后的碲化镉多晶料放入到圆筒中，利用相邻的两个刷条异向旋转运动将碲化镉表面上的杂质彻底的清除下来，从而便于对制备出来的碲化镉多晶料更深入的分析。
附图说明
[0017]为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。
[0018]图1为本专利技术提供的碲化镉多晶料的制备装置结构示意图。
[0019]图2为本专利技术提供的注气机构剖视结构示意图。
[0020]图3为本专利技术提供的复位组件安装结构示意图。
[0021]图4为本专利技术提供的阀组件安装剖视结构示意图。
[0022]图5为本专利技术提供的图4中的A部分结构放大示意图。
[0023]图6为本专利技术提供的注料机构结构示意图。
[0024]图7为本专利技术提供的触动阀单元安装结构示意图。
[0025]图8为本专利技术提供的清洗机构剖视结构示意图。
[0026]其中，上述附图包括以下附图标记：1、支台；2、箱体；3、熔炼皿；4、注气机构；41、矩形盒；42、滑移槽；43、滑柱；44、卷轮；45、注气软管；46、阀组件；461、阀管；462、阀柱；463、顶
簧；464、堵头；465、一号磁环；466、二号磁环；47、复位组件；471、矩形框；472、复位发条；5、注料机构；51、安装板；52、注入管；53、L形管；54、齿圈；55、触动阀单元；551、顶柱；552、阀片；553、环片；6、清洗机构；61、圆筒；62、驱动环；63、环形管；64、刷条；7、搅拌棒。
具体实施方式
[0027]为使本专利技术的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本专利技术的具体实施方式做详细的说明。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本专利技术。但是本专利技术能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本专利技术内涵的情况下做类似改进，因此本专利技术不受下面公开的具体实施例的限制。
[0028]请参阅图1，本专利技术提供一种技术方案：一种碲化镉多晶料的制备装置，包括支台1，支台1上端面固定连接有箱体2，箱体2侧腔壁通过固定杆固定连接有熔炼皿3，箱体2内腔安装有用于将惰性气体通入其内部的本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种碲化镉多晶料的制备装置，包括支台(1)，其特征在于：所述支台(1)上端面固定连接有箱体(2)，所述箱体(2)侧腔壁通过固定杆固定连接有熔炼皿(3)，所述箱体(2)内腔安装有用于将惰性气体通入其内部的注气机构(4)，所述箱体(2)上腔壁安装有注料机构(5)；所述注气机构(4)包括：嵌接在箱体(2)侧腔壁上的矩形盒(41)、开设在矩形盒(41)前后相对侧腔壁上的滑移槽(42)、滑动连接在滑移槽(42)内部的滑柱(43)、固定连接在前后两个滑柱(43)之间的卷轮(44)、缠绕设置在卷轮(44)外部的注气软管(45)及若干个嵌接在注气软管(45)外部的阀组件(46)；滑动设置在矩形盒(41)后腔壁上用于控制卷轮(44)将注气软管(45)收卷复位的复位组件(47)。2.根据权利要求1所述的一种碲化镉多晶料的制备装置，其特征在于：所述注料机构(5)包括嵌接在箱体(2)上部壁板中的安装板(51)、通过连接杆左右对称安装在安装板(51)上部的注入管(52)、转动连接在注入管(52)下端的L形管(53)，L形管(53)下部贯穿安装板(51)并伸入到箱体(2)内部，两个所述L形管(53)竖向段外部均固定连接有相互啮合的齿圈(54)，L形管(53)横向段端部安装有触动阀单元(55)。3.根据权利要求1所述的一种碲化镉多晶料的制备装置，其特征在于：所述箱体(2)右部安装有用于对碲化镉多晶料表面清洗的清洗机构(6)，所述清洗机构(6)包括连通在箱体(2)右部的圆筒(61)、若干个等距转动连接在圆筒(61)内部的驱动环(62)、周向等距固定连接在驱动环(62)内壁上的刷条(64)及若干个固定连接在圆筒(...
【专利技术属性】
技术研发人员：卢鹏荐，曾小龙，张林，
申请(专利权)人：武汉拓材科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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