一种碲镉汞材料的P型热处理方法技术

本发明专利技术属于半导体材料加工制备的技术领域，具体为一种碲镉汞材料的P型热处理工艺方法。本发明专利技术对外延生长得到的碲镉汞材料进行富汞热处理和真空热处理，根据碲镉汞材料的厚度确定富汞热处理的时间，并同时控制热处理的温度、真空退火处理的温度与时间，能够解决富汞热处理后P型碲镉汞材料电学参数不稳定的技术问题，同时还可以在一定温度范围内精确控制液氮温度下碲镉汞P型材料的载流子浓度，实现良好的批次稳定性，提高了碲镉汞材料退火热处理的良品率，非常适合批量生产使用，降低了生产成本。成本。成本。

【技术实现步骤摘要】
一种碲镉汞材料的P型热处理方法


[0001]本专利技术涉及一种半导体材料加工制备的
，具体为一种碲镉汞材料的P型热处理工艺方法。

技术介绍

[0002]碲镉汞(Hg1‑
x
Cd
x
Te)三元材料是一种重要的半导体材料，具有带隙可调、光学吸收系数大、电子迁移率高、载流子寿命长、耐高温等优点，卓越的性能使碲镉汞成为制造红外焦平面器件一种非常重要的材料，多年来一直是制备红外探测器的首选，被广泛应用于航空航天、天气预报、医学生物工程、环境保护等领域当中。
[0003]碲镉汞材料通常分为P型和N型两种导电类型，P型导电类型为汞空位掺杂或其它受主型杂质掺杂所致，N型导电类型为碲镉汞材料剩余施主杂质或碲镉汞材料晶格损伤所致。在碲镉汞材料的外延制备过程中，由于其生长方式自身的特点，富碲液相外延时，生长腔内的富碲状态导致外延生长得到的碲镉汞薄膜材料表现为强P型导电类型(液氮温度下P型载流子浓度≥1
×
10
17
cm
‑3)，无法将其直接应用于制备碲镉汞n
‑...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种碲镉汞材料P型热处理方法，其特征在于，包括如下的步骤：S1：将碲镉汞材料在第一温度条件下的富汞气氛中进行热处理第一时间；S2：将上述热处理后的碲镉汞材料在第二温度条件下进行真空退火处理第二时间，即可得到P型碲镉汞材料。2.根据权利要求1所述的一种碲镉汞材料P型热处理方法，其特征在于，步骤S1中热处理时间与碲镉汞材料的厚度关系为：t＝0.06889
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d2+9.2，其中t为热处理时间，单位为小时，d为碲镉汞材料厚度，单位为微米。3.根据权利要求1或2所述的一种碲镉汞材料P型热处理方法，其特征在于，步骤S1中第一温度为200℃～240℃，第一时间为10
‑
25h。4.根据权利要求1所述的一种碲镉汞材料P型热处理方法，其特征在于，步骤S2中第二温度为200℃～300℃，第二时间为5
‑
10h。5.根据权利要求1所述的一种碲镉汞材料P型热处理方法，其特征在于，所述P型碲镉汞材料在液氮温度条件下的P型载流子浓度与步骤S2中真空退火温度的关系为：P＝(2
×
10

【专利技术属性】
技术研发人员：黄晟，黄立，杨朝臣，张冰洁，刘永锋，周文洪，
申请(专利权)人：武汉高芯科技有限公司，
类型：发明
国别省市：