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本发明属于半导体材料加工制备的技术领域，具体为一种碲镉汞材料的P型热处理工艺方法。本发明对外延生长得到的碲镉汞材料进行富汞热处理和真空热处理，根据碲镉汞材料的厚度确定富汞热处理的时间，并同时控制热处理的温度、真空退火处理的温度与时间，能够解...
该专利属于武汉高芯科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过武汉高芯科技有限公司授权不得商用。

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