【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于生产包括至少一个碳导体的导电导体束的方法
现有技术
[0001]本专利技术涉及用于生产包括至少一个碳导体的导电导体束的方法。
[0002]在现有技术中,碳导体是已知的。例如,现有技术已知由石墨、热解石墨、碳纳米管或石墨烯制成的电导体。为了增加其导电性,已知对碳导体进行掺杂。例如,由DE102019220177 A1已知可以通过固有掺杂的石墨烯对石墨烯进行掺杂。WO2021004692 A1展示了如何通过过渡金属上的氧化物对石墨烯进行掺杂,从而提高导电性。EP0081004 B1展示了石墨的导电性可以通过用BF3、SiF4、HfF4、TiF4、ZrF4、PF5、NbF5、TaF5、AsF5或SbF5掺杂来提高。
[0003]从CN106744888A已知通过添加氟化铝和胺在石墨烯分散体中生产石墨烯。从Nakajima,T.,Kawaguchi,M.,&Watanabe,N.(1981).Ternary intercalation compound of graphite with aluminum fluoride ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.用于生产包含至少一个碳导体(3)的导电导体束(1)的方法,其包括以下步骤:a)制造或提供导体束(1)作为包含至少一个碳导体(3)的中间产品,所述碳导体特别包含石墨、热解石墨、石墨烯、石墨炔和/或碳纳米管,b)将导体束(1)和一种或多种嵌入物质(2),特别是一种或多种金属卤化物或一种或多种有机碱金属引入反应器体积(5)的气相或液相中,其中所述嵌入物质适用于嵌入到导体束(1)的所述至少一个碳导体(3)的材料中,和c)对导体束(1)进行热处理,其中使反应器体积(5)达到工艺温度以引发嵌入(4),其中嵌入物质(2)的原子或分子嵌入在各自碳导体(3)的材料中,特别是积聚到碳导体(3)的碳结构形式上,特别是在多层碳结构形式的层之间的区域中。2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述嵌入物质(2)是金属氟化物,特别是氟化铝(AlF3)、氟化锆(ZrF4)、氟化铁(FeF3)、氟化镁(MgF2),其中金属氟化物的金属选自元素周期表第2、4、5、6、8、10、11、12或13族之一。3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述嵌入物质(2)是金属氯化物、金属溴化物或金属碘化物,特别是氯化铝(AlCl3)、氯化锆(ZrCl4)、溴化锆(ZrBr4)、氯化铁(FeCl3)、氯化镁(MgCl2)、溴化镁(MgBr2)、碘化镁(MgI2)、溴化铝(AlBr3)或碘化铝(AlI3),其中所述金属氯化物、金属溴化物或金属碘化物的金属选自元素周期表第2、4、5、6、8、10、11、12或13族之一。4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述嵌入物质(2)是有机碱金属,特别是
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有机钠,尤其特别是萘基钠(C
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H8Na)、正戊基钠(C5H
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Na)或苄基钠(C7H7Na),
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有机钾,尤其特别是苄基钾(C7H7K)或甲基钾(CH3K),或
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有机锂,尤其特别是苄基锂(C7H7Li)、正己基锂(C6H
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Li)、正丁基锂(C4H9Li)和苯基锂(C6H5Li)。5.根据权利要求1或2中任一项所述的方法,其特征在于,所述方法在步骤1b)中包括以下步骤...
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