【技术实现步骤摘要】
多探测器组合输出长中子计数器的装置及方法
[0001]本专利技术涉及中子测量
,具体涉及一种多探测器组合输出长中子计数器的装置与方法。
技术介绍
[0002]国际标准化组织推荐的参考中子辐射场,其注量标准的准确传递是中子计量的重要内容,在核参数测量、反应堆设计和运行、中子核技术应用及中子计量仪表的校准等方面均有应用,具有重要意义。由于Am
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Be、Cf
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252等同位素中子源具有体积小、成本低、容易制备等优点,因而利用同位素中子源建立的同位素中子场是应用最广泛的参考中子辐射场。同位素中子场的能谱通常跨越3
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5个数量级,在宽能区内中子探测效率平坦一致的探测器在此类中子场的注量标准传递中有显著优势。
[0003]现有的中子探测器大致可以分为热中子探测器和快中子探测器,均存在限定的中子能量测量范围。为了探测更宽能区内的中子,通常在热中子探测器外加慢化体。此时,部分低能量中子在慢化体内损失能量无法到达探测器,部分高能中子在慢化体内损失能量变为低能中子,即热中子,被 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种多探测器组合输出长中子计数器的装置,用于探测中子辐射源形成的中子辐射场中的中子注量,其特征在于,包括:慢化体,降低所述中子量,形成热中子;多个热中子探测器,设置在所述慢化体中,按照同一方向第一深度次序排列,记录所述热中子的响应值;金属材料层,设置在所述慢化体和多个所述热中子探测器之间,用于补偿能量在MeV以上的中子响应;屏蔽层,设置在所述金属材料层和所述慢化体之间,用于屏蔽散射中子。2.如权利要求1所述的装置,其特征在于,还包括:空气层,设置在中子入射的所述慢化体的表面,使中子更易进入所述慢化体到达所述热中子探测器。3.如权利要求3所述的装置,其特征在于,所述慢化体材料为聚乙烯或石蜡。4.如权利要求4所述的装置,其特征在于,所述热中子探测器为含有热中子转换体的第三代半导体探测器。5.如权利要求5所述的装置,其特征在于,所述第三代半导体探测器为碳化硅探测器、氮化镓探测器或金刚石探测器。6.如权利要求5所述的装置,其特征在于,所述热中子转换体材料为6LiF或B4C。7.一种利用如权利要求1
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7任一装置的多探测器组合输出长中子计数器的方法,其特征在于,分别计算所述第一深度次序排列的所述多个热中子探测器记录的所述热中子的响应...
【专利技术属性】
技术研发人员:胡志猛,汤晓斌,王鹏翔,龚频,王泽宇,梁大戬,王平全,李凡,
申请(专利权)人:南京航空航天大学,
类型:发明
国别省市:
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