一种获取氘氚中子源能谱和角分布的方法技术

本发明专利技术公开了一种获取氘氚中子源能谱和角分布的方法，采用基于SiC探测器的D

【技术实现步骤摘要】
一种获取氘氚中子源能谱和角分布的方法


[0001]本专利技术属于核
，具体涉及一种获取氘氚中子源能谱和角分布的方法。

技术介绍

[0002]聚变氘氚(D
‑
T)中子源广泛应用于核数据测量、快中子照相、爆炸物检测、单粒子效应以及探测器效率刻度等研究领域，该中子源通过加速器产生D离子，轰击在T
‑
Ti靶上，通过T(d,n)4He反应产生约14MeV中子供实验使用。
[0003]在核数据测量和探测器效率刻度等领域的实际过程中，往往需要使用D
‑
T中子源经过长时间的辐照来累计实验计数以确保实验数据的统计精度，此种情况下，由于加速器产生的D离子轰击T
‑
Ti靶产生中子的同时，会有部分D离子沉积在T
‑
Ti靶里，而这部分D离子会与后来入射的D离子发生D(d,n)3He反应产生约2.8MeV的中子(D
‑
D中子)。随着辐照时间的增加，沉积在T
‑
Ti靶里的T会不断消耗，而沉积的D离子又不断增加，导致发生D(d,n)3He本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种获取氘氚中子源能谱和角分布的方法，其特征是，包括以下步骤：(1)建立基于碳化硅探测器的D
‑
T中子辐射场测量系统；(2)在所述系统中对D
‑
D反应和D
‑
T反应产生的伴随粒子进行监测，分别获得到T(d,n)4He和D(d,t)p两种反应产生的伴随粒子α粒子(4He)和质子(p)的计数；(3)根据上述伴随粒子α粒子(4He)和质子(p)的计数通过公式计算D
‑
D、D
‑
T产额比；(4)分别模拟计算获得D
‑
T中子源和D
‑
D中子源的能谱和角分布；(5)在模拟的D
‑
T中子源和D
‑
D中子源的能谱和角分布中设置上述伴随粒子α粒子(4He)和质子(p)的计数率比值，得到真实D
‑
T、D
‑
D中子源能谱和角分布。2.根据权利要求1所述的一种获取氘氚中子源能谱和角分布的方法，其特征是，所述步骤(1)中，所述基于碳化硅(SiC)探测器的D
‑
T中子辐射场测量系统包括SiC探测器伴随粒子监视器、SiC探测器测量系统。3.根据权利要求2所述的一种获取氘氚中子源能谱和角分布的方法，其特征是，所述步骤(1)中，所述SiC探测器伴随粒子监视器包括伴随粒子真空靶管和SiC探测器，所述伴随粒子真空靶管和SiC探测器在与D束流所在轴线夹角固定的位置上。4.根据权利要求2所述的一种获取氘氚中子源能谱和角分布的方法，其特征是，所述SiC探测器测量...

【专利技术属性】
技术研发人员：聂阳波，张时宇，丁琰琰，阮锡超，任杰，
申请(专利权)人：中国原子能科学研究院，
类型：发明
国别省市：