半导体元件的测试键结构制造技术

本发明专利技术公开一种半导体元件的测试键结构，其包括一基底，一栅极结构位于该基底上，以及多个第一虚设栅极结构位于该基底上并且位于该栅极结构的四周，其中该栅极结构的一底面低于该多个第一虚设栅极结构的底面，该栅极结构的一顶面与该多个第一虚设栅极结构的顶面齐平。平。平。

【技术实现步骤摘要】
半导体元件的测试键结构


[0001]本专利技术涉及一种半导体元件的测试键结构，特别是涉及一种用于监控半导体元件的金属栅极结构的测试键结构。

技术介绍

[0002]先进半导体制作工艺中，置换金属栅极制作工艺(replacement metal gate)已广泛用于制作金属栅极，其步骤包括移除层间介电层中的牺牲栅极结构以形成栅极沟槽(gate trench)，然后于栅极沟槽内填入金属栅极材料(例如功函数金属层和低阻值金属层)，获得置换金属栅极。栅极沟槽的深宽比和开口轮廓显著地影响了金属栅极材料的填充能力，若深宽比过大或开口过小可能会造成提早封口而产生空隙缺陷。目前，生产线上是利用光学缺陷检测方法(例如bright field inspection)来检查空隙缺陷。然而光学缺陷检测方法受限于较慢的检查速度，仅能抽检部分晶片以避免影响产率(throughput)。此外，若空隙缺陷是被埋藏在金属栅极内部，则难以利用光学缺陷检测方法识别。
[0003]因此，本领域仍需一种快速且有效地在线上就及时反应出金属栅极填充不良的缺陷的测试键结构。
专本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体元件的测试键结构，包括：基底；栅极结构，位于该基底上；以及多个第一虚设栅极结构，位于该基底上并且位于该栅极结构的四周，其中该栅极结构的底面低于该多个第一虚设栅极结构的底面，该栅极结构的顶面与该多个第一虚设栅极结构的顶面齐平。2.如权利要求1所述的半导体元件的测试键结构，还包括蚀刻停止层位于该基底上并且覆盖该栅极结构以及该多个第一虚设栅极结构的侧壁，其中该蚀刻停止层包括喙状部分，该喙状部分位于该栅极结构的顶部的侧壁上。3.如权利要求1所述的半导体元件的测试键结构，其中该栅极结构的顶部包括弧形轮廓。4.如权利要求1所述的半导体元件的测试键结构，还包括：第一间隙壁，位于该栅极结构的侧壁，其中该第一间隙壁的顶面低于该栅极结构的该顶面；以及多个第二间隙壁，分别位于该多个第一虚设栅极结构的侧壁上，其中该第二间隙壁的顶面与该多个第一虚设栅极结构的该顶面齐平。5.如权利要求1所述的半导体元件的测试键结构，还包括隔离结构位于该基底上。6.如权利要求5所述的半导体元件的测试键结构，其中该栅极结构设置在该隔离结构的凹陷上，该多个第一虚设栅极结构设置在该凹陷区以外的该隔离结构上，该栅极结构的高度等于该多个第一虚设栅极结构的高度加上该凹陷的深度。7.如权利要求5所述的半导体元件的测试键结构，还包括栅极介电层位于该多个第一虚设栅极结构与该隔离结构之间，其中该栅极结构的高度等于...

【专利技术属性】
技术研发人员：邱志祥，何荣，顾海龙，黄清俊，谈文毅，
申请(专利权)人：联芯集成电路制造厦门有限公司，
类型：发明
国别省市：