半导体结构制造技术

本公开实施例提供一种半导体结构，半导体结构包括：基底结构，包括第一区域和围绕第一区域的第二区域；停止层，位于基底结构上方且至少覆盖第一区域；第一对准标记，位于停止层上方且在基底结构顶面的投影位于第一区域；介质层，位于基底结构上方且在基底结构顶面的投影覆盖第二区域；再分布层，共形地覆盖部分停止层、第一对准标记和介质层，再分布层包括第二对准标记，第二对准标记位于第一对准标记的上方。上方。上方。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构


[0001]本公开实施例涉及半导体
，特别涉及一种半导体结构。

技术介绍

[0002]半导体器件的集成度越来越高，半导体器件的体积和关键尺寸(CD，Critical Dimension)的不断缩小，对于半导体器件封装的可靠性的要求越来越高。
[0003]相比于半导体前段制程(FEOL，Front End of Line)，在半导体后段制程(BEOL，Back End of Line)中，形成互连金属线(Metal)的对准标记(ALM，ALignment Mark)深宽比较大，光阻层在填充对准标记时会产生涂覆不良，进而降低对准标记的识别率，影响互连金属线的掩膜图案的转移，不利于半导体后段制程的可靠性。
[0004]在半导体后段制程中，如何形成高识别率的对准标记面临极大的技术挑战。

技术实现思路

[0005]有鉴于此，本公开实施例提供一种半导体结构。
[0006]根据本公开实施例提供一种半导体结构，包括：
[0007]基底结构，包括第一区域和围绕所述第一区域的第二区域；
[0本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：基底结构，包括第一区域和围绕所述第一区域的第二区域；停止层，位于所述基底结构上方且至少覆盖所述第一区域；第一对准标记，位于所述停止层上方且在所述基底结构顶面的投影位于所述第一区域；介质层，位于所述基底结构上方且在所述基底结构顶面的投影覆盖所述第二区域；再分布层，共形地覆盖部分所述停止层、所述第一对准标记和所述介质层，所述再分布层包括第二对准标记，所述第二对准标记位于所述第一对准标记的上方。2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述再分布层包括位于所述停止层的上方且围绕所述第二对准标记的虚设结构。3.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述虚设结构包括图案化结构。4.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述再分布层包括位于所述介质层侧壁上的导电插塞、位于所述介质层顶面上的导电线；所述第二对准标记的外围沿所述第二对准标记的延伸方向与所述导电插塞之间的距离为第一预设距离，所述导电线的顶面与所述介质层的厚度之和为第一厚度；第一预设距离与第一厚度的...

【专利技术属性】
技术研发人员：薛东，李宗翰，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：