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本发明公开一种半导体元件的测试键结构，其包括一基底，一栅极结构位于该基底上，以及多个第一虚设栅极结构位于该基底上并且位于该栅极结构的四周，其中该栅极结构的一底面低于该多个第一虚设栅极结构的底面，该栅极结构的一顶面与该多个第一虚设栅极结构的顶...
该专利属于联芯集成电路制造(厦门)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过联芯集成电路制造(厦门)有限公司授权不得商用。

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