基于SISL的毫米波缝隙天线阵列制造技术

本发明专利技术公开一种基于SISL的毫米波缝隙天线阵列，由7层上下表面布置的金属层的介质基板自上而下排列构成，馈电结构布置于介质基板上，功分网络结构由多个功分网络构成；辐射结构由多个辐射单元组成，辐射缝隙加载在金属层G1和金属层G2，加载金属化通孔连接金属层G1和金属层G2，金属层G5和金属层G6的馈电网络通由一条主传输线加载周期性的短路枝节构成，形成双层布线结构；短路枝节加载辐射缝隙中心位置的正下方，介质基板Sub5为屏蔽层作为天线阵列的地。本发明专利技术采用双层布线技术，减小介质损耗，提高天线增益和效率，能够覆盖27.5

【技术实现步骤摘要】
基于SISL的毫米波缝隙天线阵列


[0001]本专利技术涉及天线
，涉及一种缝隙阵列天线，特别是涉及一种基于SISL的工作在5G毫米波频段(27.5
‑
28.35GHz)的毫米波缝隙天线阵列。

技术介绍

[0002]高数据速率是未来通信系统的巨大需求，同时第五代移动通信技术发展日新月异，其中毫米波段带宽更宽，能够有效提供高速率数据传输。这些应用需要一种宽带，高增益，高效率天线。
[0003]传统的微带缝隙阵列虽然具有低剖面，易于集成的优势，但是在毫米波段由于其传输损耗较大，造成其增益和辐射效率减小。金属波导缝隙天线可以有效减小传输损耗，但是其加工工艺较为复杂，成本昂贵。基片集成波导的加工方式为标准的PCB工艺，成本大大减小，但是相比较金属波导缝隙天线的增益和效率下降较大。
[0004]综上所述，为了能够在利用标准PCB加工工艺，同时提高天线的增益和效率是目前急需克服的困难。

技术实现思路

[0005]本专利技术的目的是针对现有技术中的问题，而提供一种基于SISL的毫米波缝隙天线阵列，其是一本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.基于SISL的毫米波缝隙天线阵列，其特征在于，由7层介质基板自上而下排列构成，7层介质基板从上到小分别是介质基板Tra_sub1,介质基板Tra_sub2,介质基板Sub1,介质基板Sub2,介质基板Sub3,介质基板Sub4,介质基板Sub5，介质基板Sub2和介质基板Sub4构成空气腔体，包括：馈电结构，布置于介质基板上，通过金属化通孔屏蔽电磁波泄露，馈电结构的最上层屏蔽层在介质基板Tra_sub1上，电磁波能量馈入口为介质基板Sub5的馈电口；功分网络结构，由介质基板Sub1,介质基板Sub2,介质基板Sub3,介质基板Sub4,介质基板Sub5中的多个功分网络构成，为天线阵列提供等幅同相的激励；辐射结构，由介质基板Sub1,介质基板Sub2,介质基板Sub3,介质基板Sub4,介质基板Sub5中的多个辐射单元组成，作为天线阵列的单元子阵；单元子阵由介质基板Sub1,介质基板Sub2,介质基板Sub3,介质基板Sub4构成，每层介质基板上下具有两层金属，共10层金属层，自下而下依次为金属层G1,金属层G2,金属层G3,金属层G4,金属层G5,金属层G6,金属层G7,金属层G8,金属层G9,金属层G10；辐射缝隙加载在金属层G1和金属层G2，周围加载金属化通孔连接金属层G1和金属层G2，所述馈电结构包括介质基板Sub3上下侧的金属层G5和金属层G6...

【专利技术属性】
技术研发人员：马凯学，刘瑞鹏，闫宁宁，王勇强，
申请(专利权)人：天津大学，
类型：发明
国别省市：